Ненчук Тарас Миколайович

Посада: доцент кафедри системного проектування

Науковий ступінь: кандидат фізико-математичних наук

Вчене звання: доцент

Телефон (робочий): 0322394303

Електронна пошта: taras.nenchuk@lnu.edu.ua

Профіль у Google Scholar: scholar.google.com

Наукові інтереси

Наукові дослідження проводяться у рамках особистої ініціативи за тематикою: “Аналіз даних засобами машинного навчання” №Др 0119U002409 та держбюджетної теми СН-59Ф “Одержання та дослідження наносистем на основі халькогенідних напівпровідників з природними наноструктурованими матрицями” (у вільний від основної роботи час). Обробка сирих тривимірних експериментальних даних та перетворення їх у двовимірний формат для аналізу засобами машинного навчання та розробка алгоритмів аналізу великих масивів спектральних даних отриманих для поверхонь твердих тіл методами скануючої тунельної спектроскопії та дифракції повільних електронів з використанням мови Python. Метою роботи є оптимізація обробки даних у процесі переходу від їх отримання до аналізу та алгоритмізація обробки експериментальних даних, проектування та розробка програмного забезпечення з метою отримання достовірних висновків щодо експериментальних даних.

Обробка і аналіз даних отриманих для поверхонь твердих тіл методом скануючої тунельної спектроскопії є актуальною проблемою, з огляду на розмір відповідних експериментально отриманих масивів даних, та ряд параметрів, які використовуються їх дослідниками інтерпретації даних. Метою роботи є оптимізація конвертації форматів даних у процесі переходу від отримання даних до їх обробки та алгоритмізація обробки експериментальних даних, проектування та розробка програмного забезпечення з метою отримання висновків щодо експериментальних даних.

Навчальні дисципліни

Публікації

  1. Nenchuk T.M. Self‑assembled indium nanostructures formation on InSe (0001) surface/ P.V. Galiy , P. Mazur, A. Ciszewski , T.M. Nenchuk, Ya.M. Buzhuk ,·O.V. Tsvetkova // Applied Nanoscience, 2020, 7pp. https://doi.org/10.1007/s13204-020-01421-y
  2. Nenchuk T.M. Surface termination and Schottky-barrier formation of In4Se3(001) / Archit Dhingra, Pavlo V Galiy, Lu Wang, Nataliia S Vorobeva, Alexey Lipatov, Angel Torres, Taras M Nenchuk, Simeon J Gilbert, Alexander Sinitskii, Andrew J Yost, Wai-Ning Mei, Keisuke Fukutani, Jia-Shiang Chen, Peter A Dowben // Semiconductor Science and Technology, V. 35, N.6, 2020, p. 065009 http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ab7e45
  3. Nenchuk T.M. Indium segregation to the selvedge of In4Se3 (001) / Archit Dhingra, Zoe G. Marzouk, Esha Mishra, Pavlo V. Galiy, Taras M. Nenchuk, Peter A. Dowben // Physica B 593 (2020) p. 412280 (pp.3). https://doi.org/10.1016/j.physb.2020.412280
  4. Nenchuk T.M. Scanning tunneling microscopy/spectroscopy study of In/In4Se3 (100) nanosystem / P.V. Galiy , P. Mazur, A. Ciszewski , T.M. Nenchuk , I.R. Yarovets’ // The European Physical Journal Plus. – V. 134, 2019, p. 70 (6pp). https://doi.org/10.1140/epjp/i2019-12461-1.
  5. Nenchuk T.M. Quantitative analysis of indium deposited layer formation mechanism for In/In4Se3 (100) nanosystem / P.V. Galiy, T.M. Nenchuk, P. Mazur, A. Ciszewski, I.R. Yarovets // Journal Molecular Crystals and Liquid Crystals, V. 674, 2018, Issue 1: 6th Intern. Conf. on Nanotechnology and Nanomaterials (NANO-2018), Part 2, Pages 11-18 Published online: 24 Jun 2019. https://doi.org/10.1080/15421406.2019.1578487
  6. Nenchuk T.M. Building the Quasi One Dimensional Transistor from 2D Materials / Pavlo V. Galiy, Lu Wang, Avinash Kumar, Bilal Barut, Taras M. Nenchuk, Andrew Yost, Alexander Sinitskii, Michael Randle, Simeon Gilbert, Chun-Pui Kwan, Shenchu Yin, Takashi Komesu, Jonathan P. Bird, Alexey Lipatov, Nataliia Vorobeva, Jubin Nathawat, Nargess Arabchigavkani,Keke He, Wai-Ning Mei, Peter A. Dowben // 2019 IEEE 2nd Ukraine Conference on Electrical and Computer Engineering. Conference Proceedings, Lviv, Ukraine, July 2-6, 2019, p. 679-682.
  7. Nenchuk T.M. Indium deposited nanosystem formation on InSe (0001) surface applied as template / P.V. Galiy, T.M. Nenchuk, A. Ciszewski, P. Mazur, Ya.M. Buzhuk, Z.M. Lubun, O.R. Dveriy // Metallophysics and Advanced Technologies, V. 41, issue №10, 2019, p. 1291-1301.
  8. Nenchuk T.M.Scanning tunneling microscopy/spectroscopy study of In/In4Se3(100) nanosystem / P.V.Galiy, T.M.Nenchuk, Ciszewski, P. Mazur, O.R. Dveriy // 9th International workshop on surface physics. Book of abstracts. 24-28 June, 2019. – Trzebnica, Poland. – P. 48. http://www.iwsp2019.ifd.uni.wroc.pl/files/AbstractBook.pdf.
  9. Nenchuk T.M. Application of InSe (0001) surface as template for indium deposited 0D nanosystem formation / P.V.Galiy, T.M.Nenchuk, A. Ciszewski, P. Mazur, O.R. Dveriy, Ya.M Buzhuk // Book of abstracts International research and practice conference ” Nanotechnology and nanomaterials” NANO 2019, 27-30 August 2019, Lviv, Ukraine, p. 368. http://www.iop.kiev.ua/~een/PICNIC-2019/files/nano19program.pdf
  10. Nenchuk T.M. Formation of Indium Nanowires on (100) Surface of In4Se3 Layered Crystal / V.Galiy, T.M.Nenchuk, P.Mazur, O.P.Poplavskyy// ХVII Intern. Conf. on Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems: Book of Abstr., May 20-25, 2019, Ivano-Frankivsk, Ukraine. – Ivano-Frankivsk, Ukraine. 2019. – P. 189.https://conference.pu.if.ua/phys_che/start/conference_17/zbirn_%202019_internet.pdf
  11. Nenchuk T.M. Tunable In/In4Se3 (100) nanosystem application for nanoelectronics / P.V.Galiy, T.M.Nenchuk, A. Ciszewski, P. Mazur, O.R. Dveriy // E-MRS 2019 Fall Meeting, September 16-19, 2019, Warsaw, Poland. Symposium D Materials for nanoelectronics and nanophotonics, P. PP5TL, D.01.7. https://www.european-mrs.com/sites/default/files/pdf/full_conference_prog.pdf
  12. Nenchuk T.M. Elemental-phase composition study of por-Si/c-Si heterostructure’s interfaces obtained by electrochemical etching / V.Galiy, T.M.Nenchuk, O.R. Dverij, O.V. Tsvetkova // Book of abstracts Ukrainian Con­ference with Inter­national participation “CHEMISTRY, PHYSICS AND TECHNOLOGY OF SURFACE”. 15 – 17 May, 2019. – Kyiv, Ukraine. – P.69. https://www.isc.gov.ua/images/documents/conference/2019/book_2019.pdf
  13. Патент на корисну модель України № 130851, номер заявки № u201807411, МПК G01Q 80/00 (2018.01), B82Y 35/00(2018.01) заявка від 02.07.2018 р. Опубл. 26.12.2018. – Бюл.№ 24. Галій П.В., Ненчук Т.М., Цвєткова О.В. /“Спосіб визначення наявності нанометрових напівпровідникових та металевих ділянок на поверхні матеріалів нано- та мікро інтегральної електроніки”. http://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=254029
  14. Патент на корисну модель України № 136617, номер заявки № u201902507, МПК B82B 1/00 (2019.01), B82B 3/00(2019.01), C23C 4/06 (2016.1), C23C 4/18 (2006.01), B82Y 40/00 (2019.01) заявка від 14.03.2019 р. Опубл. 27.08.2019. – Бюл.№ 16. Галій П.В., Ненчук Т.М., Цвєткова О.В. / “Спосіб одержання лінійних провідних нанодротів на наноструктурованій поверхні”.http://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=261429
  15. Nenchuk T.M. Quantitative analysis of indium deposited layer formation mechanism for In/In4Se3 (100) nanosystems / P.V. Galiy, P. Mazur, T.M. Nenchuk, I.R. Yarovets, O.R. Dveriy, I.O. Poplavskyy // Intern. research and practice conf. “Nanotechnology and nanomaterials” (Nano 2018) /Book of Abstr., 27-30 August 2018.- Kyiv, Ukraine, P.468.
  16. Ненчук Т.М. Аналіз формування індієвих наноструктур на поверхні шаруватого напівпровідникового кристалу In4Se3 методами скануючої тунельної мікроскопії/спектроскопії / П.В Галій, Т.М. Ненчук, П. Maзур, А Ціжевський . І.Р Яровець, Я.M Бужук  // V Міжнарод. наук.-практич. конф. “Напівпровідникові матеріали., інформаційні технології. та фотовольтаїка” / Тез. доп., 17-19 травня 2018 р. – Кременчук.- С. 80-81.
  17. Ненчук Т.М. Топографія та густина поверхневих електронних станів ювенільних та дефектних наноструктурованих поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3 / П.В.Галій, П.Мазур, А. Ціжевський, Т.М. Ненчук, І.Р. Яровець, Я.M. Бужук, О.Р. Дверій //  Журнал нано- та електронної фізики. – 2018. – т. 10, № 4. – С. 04002-1 – 04002-12.
  18. Nenchuk T.M. Study of Self-assembled 2D Ag Nanostructures Intercalated into In4Se3 layered semiconducture crystals /P.V. Galiy, T.M. Nenchuk, .R. Dveriy, A. Ciszewski, P. Mazur, I.O.Poplavskyy // Proceeding of the 2018 IEEE 8-th Intern. Conf. on “Nanomaterials: Applcations & Properties (NAP-2018)”, September 9-14, 2018, Odesa-Zatoka, Ukraine. – P. 02CBM02-1–02CBM02-5.
  19. Nenchuk T.M. Structural aspect of the In/In4Se3 (100) nanosystem formation / Galiy P.V., Mazur P., Ciszewski A., Nenchuk T.M., Yarovets’ I.R., Dveriy O.R. // Металлофизика и новейшие технологи, V. 40, issue №10, 2018, p. 1361-1371.
  20. Ненчук Т.М. Елементно-фазові та структурні дослідження полікристалічних по­верхонь сполук системи b-Ga2O3-SnO2 / П.В.Галій, В.І.Васильців, А.П. Лучечко, П. Мазур, Т.М. Ненчук, О.В. Цвєткова, І.Р. Яровець // Журнал нано- та електронної фізики. – 2018. – т. 10, № 5. – С. 05039-1 – 05039-8.
  21. Ненчук Т.М. Особливості нікелевих наноструктур, сформованих на міжшарових поверхнях сколювання (0001) інтеркалатів NiхInSe/ П.В. Галій, І.Р. Яровець, Т.М. Ненчук, П. Мазур, А. Ціжевський, О.Р. Дверій // Хімія, фізика та технологія поверхні. – 2018, т. 9, №1. ― С. 46-63.
  22. Nenchuk T.M. Data processing for scanning tunneling spectroscopy analysis of metal and semiconductors areas in nanoscale/ T.M. Nenchuk, P.V.Galiy, Buzhuk Ya.M, Korvats’ka K.A. // Proceedings of the Xth Intern. Sientifics and Practical Conf. “Electronics and Inform. Technologies” (ELIT-2018) Aug 3 – Sept. 2 2018 Lviv-Karpaty, Ukraine. – P. A-88–A-91.
  23. Nenchuk T.M. NixInSe(0001) Metal-Semiconductor Hetero Nano System Study / Galiy P.V., Nenchuk T.M., Ciszewski A., Mazur P., Yarovets’ I.R., Dveriy O.R. // Металлофизика и новейшие технологи, V. 39, issue №7, 2017, p. 995-1004 DOI:10.15407/mfint.39.07.0995.
  24. Nenchuk T.M. Scanning tunneling spectroscopy study of In/In4Se3 (100) nanosystem / Galiy P.V., Mazur P., Ciszewski A., Nenchuk T.M., Yarovets’ I.R. // Book of abstracts International research and practice conference ” Nanotechnology and nanomaterials” NANO 2017, 23-26 August 2017, Chernivtsi, Ukraine. – p. 712.
  25. Nenchuk T.M. The surface study of InSe(Ni) intercalate heteronanosystems / Galiy P.V., Mazur P., Ciszewski A., Nenchuk T.M., Yarovets’ I.R., Dveriy O.R., Buzhuk Ya.M. // Book of abstracts International research and practice conference ” Nanotechnology and nanomaterials” NANO 2017, 23-26 August 2017, Chernivtsi, Ukraine, p. 713.
  26. Ненчук T.M. Аналіз спектрів скануючої тунельної спектроскопії для системи метал-напівпровідник InSe(Ni) / Галій П.В., Ненчук Т.М., Мазур П., Ціжевський А., Яровець І.Р. // IV Міжнародна науково-практична конференція “Напівпровідникові матеріали, інформаційні технології та фотовольтаїка”, Кременчук: Кременчуцький національний університет імені Михайла Остроградського, 26-28 травня 2016 р. – С. 139-141.
  27. Nenchuk T.M. Micro-, nano- and electron energy structure of cleavage surfaces of NiхInSe hybrid intercalate systems / Galiy P.V., Mazur P., Ciszewski A., Yarovets’ I.R, Nenchuk T.M., Simon Frank, Losovyj Ya.B., Buzhuk Ya.M. // Book of abstracts International research and practice conference ” Nanotechnology and nanomaterials” NANO 2016, 24-27 August 2016, Lviv, Ukraine, p. 314.
  28. Ненчук T.M. Дослідження мікро- та наноструктури міжшарових поверхонь сколювання шаруватих кристалів InSe, інтеркальованих нікелем / Галій П.В., Мазур П., Ціжевський А., Яровець І.Р., Ненчук Т.М., Сімон Франк, Бужук Я.М., Фоменко В.Л. // Журнал нано- та електронної фізики, Т. 8, №1, 2016, с. 01012(11cc).
  29. Nenchuk T.M. Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Low-Energy Electron Diffraction Investigations of GaTe Layered Crystal Cleavage Surface / Galiy P.V., Nenchuk T.M., Ciszewski A., Mazur P., Zuber S., Yarovets’ I.R. // Металлофизика и новейшие технологи, Т. 37, №6, 2015, с. 789-801.
  30. Nenchuk T.M. Structural Phase Tran­sitions on the Free Cleavage Surfaces of GaTe Layered Crystals / Galiy P.V., Nenchuk T.M., Mazur P., Poplavskyy O.P., Yarovets I.R. // ХV Міжнародна конференція з фізики і технології тонких плівок та наносистем, Івано-Франківськ, 11-16 травня, 2015. – C.65.
  31. Nenchuk T.M. Surface Structure Studies of InSe Layered Crystal Intercalated by Nickel / Galiy P.V., Losovyj Ya.B., Nenchuk T.M., Ciszewski A., Mazur P., Yarovets’ I.R. // The XXth International Seminar on Physics and Chemistry of Solids, Lviv, Ukraine, 12-15 September 2015, p. 49-50
  32. Ненчук Т.М. Структурні дослідження поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3 методом дифракції повільних електронів / Галій П.В., Ло¬зо¬вий Я.Б., Ненчук Т.М., Яровець І.Р. // Укр. фіз. жур¬нал.  2014. т. 59, № 6. – с. 613-622.
  33. Ненчук Т.М. Дослідження топографії та атомної структури поверхонь ско-лювання (100) шаруватих кристалів In4Se3 / Галій П.В., Ненчук Т.М., Яровець І.Р. // Журнал нано- та електронної фізики.  2014.  т. 6, № 2. – с. 02029-1-02029-7.
  34. Galiy P. V. Indium induced nanostructures on In4Se3 (100) surface studied by scanning tunneling microscopy / P. V. Galiy, T. M. Nenchuk, A. Ciszewski, P. Mazur, S. Zuber, Ya. M. Buzhuk // Functional materials. – 2013. – V. 20, N 1. – p. 37–43.

Біографія

Народився 1964 року у Львові.

Закінчив ЛЗСШ №53.

У 1981-1986 навчався на фізичному факультеті ЛДУ імені Івана Франка, який закінчив із відзнакою.

З 1986 працює у ЛДУ імені Івана Франка (тепер ЛНУ імені Івана Франка) на посадах інженера, молодшого наукового, наукового співробітника.

У 1997 році захистив дисертацію на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук.

З 1999 асистент, а з 2002 року доцент кафедри фізики напівпровідників фізичного факультету, а з 2003 року факультету електроніки. З 2016 року працює доцентом кафедри системного проектування.

Проекти

Участь у проекті Львівського ІТ кластеру Data Science & Intelligent Systems at LNU

Методичні матеріали

Методичне забезпечення: програми курсів, зокрема, розроблені у співпраці зі спеціалістами Львівського ІТ кластеру, електронні методичні розробки завдань до лабораторних робіт, тестові завдання для контролю знань студентів.

Управління ІТ проектами   4курс ФеІ

Проектування інформаційних систем 3 курс ФеІ

Управління ІТ проектами (інженерія програмного забезпечення) 1 курс ФеС

Розклад