Ненчук Тарас Миколайович

Посада: доцент кафедри системного проектування

Науковий ступінь: кандидат фізико-математичних наук

Вчене звання: доцент

Телефон (робочий): 0322394303

Електронна пошта: taras.nenchuk@lnu.edu.ua

Профіль у Google Scholar: scholar.google.com

Наукові інтереси

Наукові дослідження проводяться у рамках особистої ініціативи за тематикою: “Системний аналіз даних засобами штучного інтелекту та машинного навчання” №Др 0122U200688 (у вільний від основної роботи час). Відповідно до тематики наукової роботи кафедри заплановано провести обробку сирих тривимірних слабо структурованих експериментальних даних з метою перетворення їх у двовимірний формат для аналізу засобами машинного навчання та розробка алгоритмів аналізу великих масивів спектральних даних отриманих для поверхонь твердих тіл методами скануючої тунельної спектроскопії та дифракції повільних електронів з використанням мови Python. Результатом проведеної роботи є оптимізація обробки даних у процесі переходу від їх отримання до аналізу та алгоритмізація обробки експериментальних даних, запропоновані моделі машинного навчання для обробки масивів двовимірних даних, які дозволяють ефективно ідентифікувати наноструктурні елементи різної симетрії, отримані на поверхнях шаруватих кристалів у результаті процедури вторинного твердотільного змочування.

Навчальні дисципліни

Публікації

  1. Nenchuk T.M. Self‑assembled indium nanostructures formation on InSe (0001) surface/ P.V. Galiy , P. Mazur, A. Ciszewski , T.M. Nenchuk, Ya.M. Buzhuk ,·O.V. Tsvetkova // Applied Nanoscience, 2020, 7pp. https://doi.org/10.1007/s13204-020-01421-y
  2. Nenchuk T.M. Surface termination and Schottky-barrier formation of In4Se3(001) / Archit Dhingra, Pavlo V Galiy, Lu Wang, Nataliia S Vorobeva, Alexey Lipatov, Angel Torres, Taras M Nenchuk, Simeon J Gilbert, Alexander Sinitskii, Andrew J Yost, Wai-Ning Mei, Keisuke Fukutani, Jia-Shiang Chen, Peter A Dowben // Semiconductor Science and Technology, V. 35, N.6, 2020, p. 065009 http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ab7e45
  3. Nenchuk T.M. Indium segregation to the selvedge of In4Se3 (001) / Archit Dhingra, Zoe G. Marzouk, Esha Mishra, Pavlo V. Galiy, Taras M. Nenchuk, Peter A. Dowben // Physica B 593 (2020) p. 412280 (pp.3). https://doi.org/10.1016/j.physb.2020.412280
  4. Nenchuk T.M. Scanning tunneling microscopy/spectroscopy study of In/In4Se3 (100) nanosystem / P.V. Galiy , P. Mazur, A. Ciszewski , T.M. Nenchuk , I.R. Yarovets’ // The European Physical Journal Plus. – V. 134, 2019, p. 70 (6pp). https://doi.org/10.1140/epjp/i2019-12461-1.
  5. Nenchuk T.M. Quantitative analysis of indium deposited layer formation mechanism for In/In4Se3 (100) nanosystem / P.V. Galiy, T.M. Nenchuk, P. Mazur, A. Ciszewski, I.R. Yarovets // Journal Molecular Crystals and Liquid Crystals, V. 674, 2018, Issue 1: 6th Intern. Conf. on Nanotechnology and Nanomaterials (NANO-2018), Part 2, Pages 11-18 Published online: 24 Jun 2019. https://doi.org/10.1080/15421406.2019.1578487
  6. Nenchuk T.M. Building the Quasi One Dimensional Transistor from 2D Materials / Pavlo V. Galiy, Lu Wang, Avinash Kumar, Bilal Barut, Taras M. Nenchuk, Andrew Yost, Alexander Sinitskii, Michael Randle, Simeon Gilbert, Chun-Pui Kwan, Shenchu Yin, Takashi Komesu, Jonathan P. Bird, Alexey Lipatov, Nataliia Vorobeva, Jubin Nathawat, Nargess Arabchigavkani,Keke He, Wai-Ning Mei, Peter A. Dowben // 2019 IEEE 2nd Ukraine Conference on Electrical and Computer Engineering. Conference Proceedings, Lviv, Ukraine, July 2-6, 2019, p. 679-682.
  7. Nenchuk T.M. Indium deposited nanosystem formation on InSe (0001) surface applied as template / P.V. Galiy, T.M. Nenchuk, A. Ciszewski, P. Mazur, Ya.M. Buzhuk, Z.M. Lubun, O.R. Dveriy // Metallophysics and Advanced Technologies, V. 41, issue №10, 2019, p. 1291-1301.
  8. Nenchuk T.M.Scanning tunneling microscopy/spectroscopy study of In/In4Se3(100) nanosystem / P.V.Galiy, T.M.Nenchuk, Ciszewski, P. Mazur, O.R. Dveriy // 9th International workshop on surface physics. Book of abstracts. 24-28 June, 2019. – Trzebnica, Poland. – P. 48. http://www.iwsp2019.ifd.uni.wroc.pl/files/AbstractBook.pdf.
  9. Nenchuk T.M. Application of InSe (0001) surface as template for indium deposited 0D nanosystem formation / P.V.Galiy, T.M.Nenchuk, A. Ciszewski, P. Mazur, O.R. Dveriy, Ya.M Buzhuk // Book of abstracts International research and practice conference ” Nanotechnology and nanomaterials” NANO 2019, 27-30 August 2019, Lviv, Ukraine, p. 368. http://www.iop.kiev.ua/~een/PICNIC-2019/files/nano19program.pdf
  10. Nenchuk T.M. Formation of Indium Nanowires on (100) Surface of In4Se3 Layered Crystal / V.Galiy, T.M.Nenchuk, P.Mazur, O.P.Poplavskyy// ХVII Intern. Conf. on Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems: Book of Abstr., May 20-25, 2019, Ivano-Frankivsk, Ukraine. – Ivano-Frankivsk, Ukraine. 2019. – P. 189.https://conference.pu.if.ua/phys_che/start/conference_17/zbirn_%202019_internet.pdf
  11. Nenchuk T.M. Tunable In/In4Se3 (100) nanosystem application for nanoelectronics / P.V.Galiy, T.M.Nenchuk, A. Ciszewski, P. Mazur, O.R. Dveriy // E-MRS 2019 Fall Meeting, September 16-19, 2019, Warsaw, Poland. Symposium D Materials for nanoelectronics and nanophotonics, P. PP5TL, D.01.7. https://www.european-mrs.com/sites/default/files/pdf/full_conference_prog.pdf
  12. Nenchuk T.M. Elemental-phase composition study of por-Si/c-Si heterostructure’s interfaces obtained by electrochemical etching / V.Galiy, T.M.Nenchuk, O.R. Dverij, O.V. Tsvetkova // Book of abstracts Ukrainian Con­ference with Inter­national participation “CHEMISTRY, PHYSICS AND TECHNOLOGY OF SURFACE”. 15 – 17 May, 2019. – Kyiv, Ukraine. – P.69. https://www.isc.gov.ua/images/documents/conference/2019/book_2019.pdf
  13. Патент на корисну модель України № 130851, номер заявки № u201807411, МПК G01Q 80/00 (2018.01), B82Y 35/00(2018.01) заявка від 02.07.2018 р. Опубл. 26.12.2018. – Бюл.№ 24. Галій П.В., Ненчук Т.М., Цвєткова О.В. /“Спосіб визначення наявності нанометрових напівпровідникових та металевих ділянок на поверхні матеріалів нано- та мікро інтегральної електроніки”. http://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=254029
  14. Патент на корисну модель України № 136617, номер заявки № u201902507, МПК B82B 1/00 (2019.01), B82B 3/00(2019.01), C23C 4/06 (2016.1), C23C 4/18 (2006.01), B82Y 40/00 (2019.01) заявка від 14.03.2019 р. Опубл. 27.08.2019. – Бюл.№ 16. Галій П.В., Ненчук Т.М., Цвєткова О.В. / “Спосіб одержання лінійних провідних нанодротів на наноструктурованій поверхні”.http://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=261429
  15. Nenchuk T.M. Quantitative analysis of indium deposited layer formation mechanism for In/In4Se3 (100) nanosystems / P.V. Galiy, P. Mazur, T.M. Nenchuk, I.R. Yarovets, O.R. Dveriy, I.O. Poplavskyy // Intern. research and practice conf. “Nanotechnology and nanomaterials” (Nano 2018) /Book of Abstr., 27-30 August 2018.- Kyiv, Ukraine, P.468.
  16. Ненчук Т.М. Аналіз формування індієвих наноструктур на поверхні шаруватого напівпровідникового кристалу In4Se3 методами скануючої тунельної мікроскопії/спектроскопії / П.В Галій, Т.М. Ненчук, П. Maзур, А Ціжевський . І.Р Яровець, Я.M Бужук  // V Міжнарод. наук.-практич. конф. “Напівпровідникові матеріали., інформаційні технології. та фотовольтаїка” / Тез. доп., 17-19 травня 2018 р. – Кременчук.- С. 80-81.
  17. Ненчук Т.М. Топографія та густина поверхневих електронних станів ювенільних та дефектних наноструктурованих поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3 / П.В.Галій, П.Мазур, А. Ціжевський, Т.М. Ненчук, І.Р. Яровець, Я.M. Бужук, О.Р. Дверій //  Журнал нано- та електронної фізики. – 2018. – т. 10, № 4. – С. 04002-1 – 04002-12.
  18. Nenchuk T.M. Study of Self-assembled 2D Ag Nanostructures Intercalated into In4Se3 layered semiconducture crystals /P.V. Galiy, T.M. Nenchuk, .R. Dveriy, A. Ciszewski, P. Mazur, I.O.Poplavskyy // Proceeding of the 2018 IEEE 8-th Intern. Conf. on “Nanomaterials: Applcations & Properties (NAP-2018)”, September 9-14, 2018, Odesa-Zatoka, Ukraine. – P. 02CBM02-1–02CBM02-5.
  19. Nenchuk T.M. Structural aspect of the In/In4Se3 (100) nanosystem formation / Galiy P.V., Mazur P., Ciszewski A., Nenchuk T.M., Yarovets’ I.R., Dveriy O.R. // Металлофизика и новейшие технологи, V. 40, issue №10, 2018, p. 1361-1371.
  20. Ненчук Т.М. Елементно-фазові та структурні дослідження полікристалічних по­верхонь сполук системи b-Ga2O3-SnO2 / П.В.Галій, В.І.Васильців, А.П. Лучечко, П. Мазур, Т.М. Ненчук, О.В. Цвєткова, І.Р. Яровець // Журнал нано- та електронної фізики. – 2018. – т. 10, № 5. – С. 05039-1 – 05039-8.
  21. Ненчук Т.М. Особливості нікелевих наноструктур, сформованих на міжшарових поверхнях сколювання (0001) інтеркалатів NiхInSe/ П.В. Галій, І.Р. Яровець, Т.М. Ненчук, П. Мазур, А. Ціжевський, О.Р. Дверій // Хімія, фізика та технологія поверхні. – 2018, т. 9, №1. ― С. 46-63.
  22. Nenchuk T.M. Data processing for scanning tunneling spectroscopy analysis of metal and semiconductors areas in nanoscale/ T.M. Nenchuk, P.V.Galiy, Buzhuk Ya.M, Korvats’ka K.A. // Proceedings of the Xth Intern. Sientifics and Practical Conf. “Electronics and Inform. Technologies” (ELIT-2018) Aug 3 – Sept. 2 2018 Lviv-Karpaty, Ukraine. – P. A-88–A-91.
  23. Nenchuk T.M. NixInSe(0001) Metal-Semiconductor Hetero Nano System Study / Galiy P.V., Nenchuk T.M., Ciszewski A., Mazur P., Yarovets’ I.R., Dveriy O.R. // Металлофизика и новейшие технологи, V. 39, issue №7, 2017, p. 995-1004 DOI:10.15407/mfint.39.07.0995.
  24. Nenchuk T.M. Scanning tunneling spectroscopy study of In/In4Se3 (100) nanosystem / Galiy P.V., Mazur P., Ciszewski A., Nenchuk T.M., Yarovets’ I.R. // Book of abstracts International research and practice conference ” Nanotechnology and nanomaterials” NANO 2017, 23-26 August 2017, Chernivtsi, Ukraine. – p. 712.
  25. Nenchuk T.M. The surface study of InSe(Ni) intercalate heteronanosystems / Galiy P.V., Mazur P., Ciszewski A., Nenchuk T.M., Yarovets’ I.R., Dveriy O.R., Buzhuk Ya.M. // Book of abstracts International research and practice conference ” Nanotechnology and nanomaterials” NANO 2017, 23-26 August 2017, Chernivtsi, Ukraine, p. 713.
  26. Ненчук T.M. Аналіз спектрів скануючої тунельної спектроскопії для системи метал-напівпровідник InSe(Ni) / Галій П.В., Ненчук Т.М., Мазур П., Ціжевський А., Яровець І.Р. // IV Міжнародна науково-практична конференція “Напівпровідникові матеріали, інформаційні технології та фотовольтаїка”, Кременчук: Кременчуцький національний університет імені Михайла Остроградського, 26-28 травня 2016 р. – С. 139-141.
  27. Nenchuk T.M. Micro-, nano- and electron energy structure of cleavage surfaces of NiхInSe hybrid intercalate systems / Galiy P.V., Mazur P., Ciszewski A., Yarovets’ I.R, Nenchuk T.M., Simon Frank, Losovyj Ya.B., Buzhuk Ya.M. // Book of abstracts International research and practice conference ” Nanotechnology and nanomaterials” NANO 2016, 24-27 August 2016, Lviv, Ukraine, p. 314.
  28. Ненчук T.M. Дослідження мікро- та наноструктури міжшарових поверхонь сколювання шаруватих кристалів InSe, інтеркальованих нікелем / Галій П.В., Мазур П., Ціжевський А., Яровець І.Р., Ненчук Т.М., Сімон Франк, Бужук Я.М., Фоменко В.Л. // Журнал нано- та електронної фізики, Т. 8, №1, 2016, с. 01012(11cc).
  29. Nenchuk T.M. Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Low-Energy Electron Diffraction Investigations of GaTe Layered Crystal Cleavage Surface / Galiy P.V., Nenchuk T.M., Ciszewski A., Mazur P., Zuber S., Yarovets’ I.R. // Металлофизика и новейшие технологи, Т. 37, №6, 2015, с. 789-801.
  30. Nenchuk T.M. Structural Phase Tran­sitions on the Free Cleavage Surfaces of GaTe Layered Crystals / Galiy P.V., Nenchuk T.M., Mazur P., Poplavskyy O.P., Yarovets I.R. // ХV Міжнародна конференція з фізики і технології тонких плівок та наносистем, Івано-Франківськ, 11-16 травня, 2015. – C.65.
  31. Nenchuk T.M. Surface Structure Studies of InSe Layered Crystal Intercalated by Nickel / Galiy P.V., Losovyj Ya.B., Nenchuk T.M., Ciszewski A., Mazur P., Yarovets’ I.R. // The XXth International Seminar on Physics and Chemistry of Solids, Lviv, Ukraine, 12-15 September 2015, p. 49-50
  32. Ненчук Т.М. Структурні дослідження поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3 методом дифракції повільних електронів / Галій П.В., Ло¬зо¬вий Я.Б., Ненчук Т.М., Яровець І.Р. // Укр. фіз. жур¬нал.  2014. т. 59, № 6. – с. 613-622.
  33. Ненчук Т.М. Дослідження топографії та атомної структури поверхонь ско-лювання (100) шаруватих кристалів In4Se3 / Галій П.В., Ненчук Т.М., Яровець І.Р. // Журнал нано- та електронної фізики.  2014.  т. 6, № 2. – с. 02029-1-02029-7.
  34. Galiy P. V. Indium induced nanostructures on In4Se3 (100) surface studied by scanning tunneling microscopy / P. V. Galiy, T. M. Nenchuk, A. Ciszewski, P. Mazur, S. Zuber, Ya. M. Buzhuk // Functional materials. – 2013. – V. 20, N 1. – p. 37–43.
  35. Патент на корисну модель України № 146695, номер заявки № u2020 06814, МПК (2021.01), B82B 1/00, B82B 3/00, B82Y 40/00, заявка від 23.10.2020. Опубл. 10.03.2021 – Бюл. № 10. Львівський національний уні¬верситет імені Івана Франка, вул. Університетська 1, м. Львів 79000. Галій П.В., Ненчук Т.М., Цвєткова О.В. / “Спосіб одержування упорядкованої нуль мірної металевої структури на наноструктурованій поверхні монокристалу InSe”
  36. Патент на корисну модель України № 149850, номер заявки № u202104062, МПК (2006): C30B 1/00, B82Y 40/00, заявка від 12.07.2021. Опубл. 08.12.2021. – Бюл. № 49/2021. Львівський національний університет імені Івана Франка, вул. Університетська 1, м. Львів 79000. Галій П.В., Ненчук Т.М., Цвєткова О.В. / “Спосіб одержування підкладок-шаблонів для створення 1D та 0D провідних упорядкованих наноструктур”.

     

  37. Патент на корисну модель України №  152312, номер заявки № u 2022 02442, МПК (2022.01): B82B 1/00, B82B 3/00, заявка від 11.07.2022. Опубл. 11.01.2023. – Бюл. № 2/2023 Галій П.В., Ненчук Т.М., Цвєткова О.В. /“Спосіб одержання наносистем на структурованих поверхнях сколювання шаруватих монокристалів інтеркалатів (xNi)InSe ”, Львівський національний університет імені Івана Франка, вул. Університетська 1, м. Львів 79000.

     

  38. Nenchuk T.M. Quantitative analisis of interface layer formation In/ (0001) Sb2Te3 from data acquired by scanning tunneling microscopy study/ P.V. Galiy, T.M. Nenchuk, P. Mazur, V.I. Dzyuba, T.R. Makar // VIІ Міжнародна науково-практична конференція «Напівпровідникові матеріали, інформаційні технології та фотовольтаїка»: Тези доповідей. − Кременчук: Кременчуцький національний університет імені Михайла Остроградського, 14-16 травня 2022 р. – C.54-55.

     

  39. Ненчук Т.М. Одержання наносистем In0/In4Se3 на поверхні кристалічного In4Se3 при зміні її стехіометрії методом іонного травлення / Т.Р. Макар, П.В. Галій, Т.М. Ненчук, В.І. Дзюба // Міжнародна науково-практична інтернет-конференція з економіки, інформаційних систем і технологій, психології та педагогіки «Світ наукових досліджень» : Тези доповідей. − Тернопіль, 24-25 березня 2022 р. – С.65-71.

Біографія

Народився 1964 року у Львові.

Закінчив ЛЗСШ №53.

У 1981-1986 навчався на фізичному факультеті ЛДУ імені Івана Франка, який закінчив із відзнакою.

З 1986 працює у ЛДУ імені Івана Франка (тепер ЛНУ імені Івана Франка) на посадах інженера, молодшого наукового, наукового співробітника.

У 1997 році захистив дисертацію на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук.

З 1999 асистент, а з 2002 року доцент кафедри фізики напівпровідників фізичного факультету, а з 2003 року факультету електроніки. З 2016 року працює доцентом кафедри системного проектування.

Проекти

Участь у проекті Львівського ІТ кластеру Data Science & Intelligent Systems at LNU

Методичні матеріали

Методичне забезпечення: програми курсів, зокрема, розроблені у співпраці зі спеціалістами Львівського ІТ кластеру, електронні методичні розробки завдань до лабораторних робіт, тестові завдання для контролю знань студентів.

Управління ІТ проектами   4курс ФеІ

Проектування інформаційних систем 3 курс ФеІ

Управління ІТ проектами (інженерія програмного забезпечення) 1 курс ФеС

Управління ІТ проектами   3курс ФеІ

Управління ІТ проектами (менеджмент)  4курс ФеС

 

Розклад