Кушлик Маркіян Олегович
Посада: доцент кафедри сенсорної та напівпровідникової електроніки, науковий співробітник Науково-дослідної лабораторії НДЛ-20 сенсорики:
Науковий ступінь: кандидат фізико-математичних наук
Телефон (робочий): (032) 239-43-71
Електронна пошта: markiyan.kushlyk@lnu.edu.ua
Профіль у Google Scholar: scholar.google.com.ua
Наукові інтереси
Методи підвищення інтенсивності дислокаційної люмінесценції в кристалах кремнію р-типу.
Покращення ефективності випромінювальних структур кремнію р-типу та фотолюмінофорів методами плазмонного резонансу в металічних наночастинках.
Навчальні дисципліни
Вибрані публікації
- 1. Р.І. Дідик, Й.А. Шикоряк, М.О. Кушлик Візуалізація результатів взаємодії точкових дефектів з поверхнею кристалів p-Si // Фізика і хімія твердого тіла – 2010. – Т.11, №3. – С.675-679.
- 2. Б. Павлик, М. Кушлик, Р. Дідик та ін. Електрофізичні характеристики приповерхневих шарів кристалів Si p-типу з напиленими плівками Al, підданих пружній деформації// Електроніка та інформаційні технології. – 2011. – вип.2. – С.57-64.
- 3. Б. Павлик, М. Кушлик, Р. Дідик та ін. Дослідження приповерхневих шарів кристалів p-Si, з напиленими плівками металів, підданих пружній деформації // Український фізичний журнал. – 2013р. – том.58. – №3. – С. 215-221
- 4. Б.В. Павлик, М.О. Кушлик, Д.П. Слободзян Про природу центрів електролюмінесценції в пластично деформованих кристалах кремнію p-типу // Журнал нано- та електронної фізики. – 2015. – Т.7. – №3. – 03043-1-03041-5
- 5. Д.П. Слободзян, Б.В. Павлик, М.О. Кушлик Особливості впливу X-випромінювання та магнітного поля на електрофізичні характеристики бар’єрних структур на основі дислокаційного p-Si, призначеного для сонячної енергетики // Журнал нано- та електронної фізики. – 2015. – Т.7. – №4. – 04051-1 – 04051-5
- 6. B. Pavlyk, M. Kushlyk, D. Slobodzyan Origin of dislocation luminescence centers and their reorganization in p-type silicon crystal subjected to plastic deformation and high temperature annealing // Nanoscale Research Letters. – 2017. – V.12. – p.358
- 7. Б. В. Павлик, М. О. Кушлик, Д. П. Слободзян, Р. М. Лис Перебудова дефектної структури та центрiв дислокацiйної люмiнесценцiї у приповерхневих шарах p-Si // Журнал Фізичних Досліджень. – 2017. – Т.21, № 1/2. – С. 1601-1608
- 8. Electroluminescence energy efficiency of Si-structures with different compound of nanoscale dislocation complexes // Applied Nanoscience. – 2018
- 9. B. Pavlyk, M. Kushlyk, D. Slobodzyan, I. Matviishyn, R. Lys, M.Jałbrzykowski Radiation-stimulated changes in the characteristics of surface-barrier Al–Si–Bi structures with different concentrations of dislocations at the crystal surface // Acta mechanica et automatica. – 2018. – V.12, No.1. – pp.72-77
- 10. M Kushlyk, V Tsiumra, Y Zhydachevskyy, et al. Enhancement of the YAG: Ce, Yb down-conversion emission by plasmon resonance in Ag nanoparticles // Journal of Alloys and Compounds. – 2019. – V. 804. – pp. 202.
- https://doi.org/10.1007/s13204-022-02717-x
- https://doi.org/10.1007/s13204-023-02911-5
- https://doi.org/10.1007/s13204-023-02880-9
- https://doi.org/10.3390/ma15124052
- https://www.researchgate.net/
- https://d-nb.info/128049476X/34
- https://doi.org/10.1007/s13204-020-01624-3
- https://doi.org/10.1007/s13204-020-01300-6
- https://physics.lnu.edu.ua/jps/2020/3/pdf/3702-5.pdf
- https://doi.org/10.1007/s13204-019-00964-z
Біографія
Освіта: вища
Назва навчального закладу: Львівський національний університет імені Івана Франка
Факультет: електроніки
Рік закінчення: 2011
Нагороди
Лауреат обласної премії молодим науковцям і спеціалістам Львівської Обласної Ради та Львівської Обласної Державної Адміністрації