Markiyan Kushlyk
Посада: Доцент, Department of Sensory and Semiconductor Electronics, Науковий співробітник, R&D Laboratory (NDL-20) for Sensorics
Науковий ступінь: кандидат фізико-математичних наук
Телефон (робочий): (032) 239-43-71
Електронна пошта: markiyan.kushlyk@lnu.edu.ua
Профіль у Google Scholar: scholar.google.com
Наукові інтереси
Methods for increasing the intensity of dislocation luminescence in p-type silicon crystals.
Improvement of the efficiency of p-type silicon radiating structures and photoluminescents by plasmon resonance methods in metal nanoparticles.
Навчальні дисципліни
- Testing and characterization of systems (153 Micro-nanosystem technology)
- Physical bases of sensors (153 Micro- and nanosystem technology)
- Programming (153 Micro and nanosystem technology)
- Solid State Electronics (153 Micro and Nanosystems Technology)
- Theory of electrical and electronic circuits (153 Micro- and nanosystem technology)
Вибрані публікації
- Р.І. Дідик, Й.А. Шикоряк, М.О. Кушлик Візуалізація результатів взаємодії точкових дефектів з поверхнею кристалів p-Si // Фізика і хімія твердого тіла – 2010. – Т.11, №3. – С.675-679.
- Б. Павлик, М. Кушлик, Р. Дідик та ін. Електрофізичні характеристики приповерхневих шарів кристалів Si p-типу з напиленими плівками Al, підданих пружній деформації// Електроніка та інформаційні технології. – 2011. – вип.2. – С.57-64.
- Б. Павлик, М. Кушлик, Р. Дідик та ін. Дослідження приповерхневих шарів кристалів p-Si, з напиленими плівками металів, підданих пружній деформації // Український фізичний журнал. – 2013р. – том.58. – №3. – С. 215-221
- Б.В. Павлик, М.О. Кушлик, Д.П. Слободзян Про природу центрів електролюмінесценції в пластично деформованих кристалах кремнію p-типу // Журнал нано- та електронної фізики. – 2015. – Т.7. – №3. – 03043-1-03041-5
- Д.П. Слободзян, Б.В. Павлик, М.О. Кушлик Особливості впливу X-випромінювання та магнітного поля на електрофізичні характеристики бар’єрних структур на основі дислокаційного p-Si, призначеного для сонячної енергетики // Журнал нано- та електронної фізики. – 2015. – Т.7. – №4. – 04051-1 – 04051-5
- B. Pavlyk, M. Kushlyk, D. Slobodzyan Origin of dislocation luminescence centers and their reorganization in p-type silicon crystal subjected to plastic deformation and high temperature annealing // Nanoscale Research Letters. – 2017. – V.12. – p.358
- Б. В. Павлик, М. О. Кушлик, Д. П. Слободзян, Р. М. Лис Перебудова дефектної структури та центрiв дислокацiйної люмiнесценцiї у приповерхневих шарах p-Si // Журнал Фізичних Досліджень. – 2017. – Т.21, № 1/2. – С. 1601-1608
- Electroluminescence energy efficiency of Si-structures with different compound of nanoscale dislocation complexes // Applied Nanoscience. – 2018
- B. Pavlyk, M. Kushlyk, D. Slobodzyan, I. Matviishyn, R. Lys, M.Jałbrzykowski Radiation-stimulated changes in the characteristics of surface-barrier Al–Si–Bi structures with different concentrations of dislocations at the crystal surface // Acta mechanica et automatica. – 2018. – V.12, No.1. – pp.72-77
- M. Kushlyk, V. Tsiumra, Y. Zhydachevskyy, et al. Enhancement of the YAG: Ce, Yb down-conversion emission by plasmon resonance in Ag nanoparticles // Journal of Alloys and Compounds. – 2019. – V. 804. – pp. 202. https://doi.org/10.1007/s13204-020-01300-6
- B.V. Pavlyk, D.P. Slobodzyan, R.M. Lys, M.O. Kushlyk, R.I. Didyk, J.A. Shykorjak. Magnetically stimulated changes in the electrophysical properties of the near-surface silicon layer // Journal of Physical Studies – 2020. – Vol. 24, No. 3. – P. 3702-1-3702-5. https://doi.org/10.1007/s13204-020-01300-6
- D. Slobodzyan, M. Kushlyk, R. Lys, et al. Radiative and magnetically stimulated evolution of nanostructured complexes in silicon surface layers // Materials. – 2022. – V.15(12). – p.4052.https://doi.org/10.3390/ma15124052
- M. Kushlyk, V. Tsiumra, Ya. Zhydachevskyy, et al. Preparation and properties of Ag plasmonic structures on garnet substrates // Applied Nanoscience. – 2022. Vol. 12, №3. – P. 317 – 334 https://doi.org/10.1007/s13204-020-01624-3
- A. Luchechko, V. Vasyltsiv, M. Kushlyk, et al. Structural and luminescence characterization of β-Ga2O3 nanopowders obtained via high-energy ball milling // Applied Nanosci. – 2023. – Vol. 13, № 7. – P. 5149-5155. https://doi.org/10.1007/s13204-022-02717-x
- A. Luchechko, V. Vasyltsiv, M. Kushlyk, et al. Effect of sintering atmosphere on structural, luminescence and electrical properties of β-Ga2O3 ceramics // Applied Nanosci. – V.13. – 2023. – p.7327–7334. https://doi.org/10.1007/s13204-023-02911-5
- M. Kushlyk, A. Luchechko, V. Vasyltsiv, et al. UV–Vis luminescence in β-Ga2O3: Eu nanopowders obtained by mechano-chemical synthesis // Applied Nanosci. – V.13. – 2023. – p.7115–7124. https://doi.org/10.1007/s13204-023-02880-9
- A. Luchechko, V. Vasyltsiv, M. Kushlyk, et al. Crystal structure, luminescence and electrical conductivity of pure and Mg2+-doped β-Ga2O3-In2O3 solid solutions synthesized in oxygen or argon atmospheres // Materials. – 2024. – V.17, I.6. – 1391 (1-13) – https://doi.org/10.3390/ma17061391.
- A. Luchechko, V. Vasyltsiv, M. Kushlyk, et al. Electrical conductivity, luminescence, and deep acceptor levels in β-Ga2O3-In2O3 polycrystalline solid
solution doped with Zr4+ or Ca2+ ions // Journal of Vacuum Science and Technology A. – 2024. – V. 42, I. 3. – P. 033202 (1-9) – https://doi.org/10.1116/6.0003466. - M. Kushlyk, Y. Shpotyuk, V. Tsiumra, et al. Coupling mechanisms of plasmon resonance and Bi3+ emission in YAG: Bi, Ce, Yb epitaxial films at low temperatures // Scientific Reports. – 2025. – Vol.15. – p.1477. – https://doi.org/10.1038/s41598-025-85843-0
- Б.В. Павлик, М.О. Кушлик, Р.І. Дідик та ін. Спосіб отримання світловипромінювального елемента // Патент на корисну модель, 129373 Україна, МПК H01L 33/00, G02B 26/00, № u201805232; заявник і власник ЛНУ ім.І.Фрака; заявл. 11.05.2018; опубл. 25.10.2018, Бюл.№20
- Б.В. Павлик, М.О. Кушлик, Й.А. Шикоряк та ін. Предметний столик мікроскопа // Патент на корисну модель, 151711 Україна, МПК G02B 21/26 (2006.01), G02B 21/32 (2006.01). заявник і власник ЛНУ ім.І.Фрака; заявл. 14.04.2022; опубл. 31.08.2022, Бюл.№35
- М.О. Кушлик, Й.А. Шикоряк, Н.Р. Гризоглазов та ін. Пристрій для нанесення покриття // Патент на корисну модель, 155726 Україна, МПК B05C 21/00 (2024.01), B05C 5/00 (2024.01). заявник і власник ЛНУ ім.І.Франка; заявл. 20.06.2023; опубл. 03.04.2024, Бюл.№14
Біографія
Researcher, Doctor of Philosophy, Physico-Mathematical Sciences,
Specialty: Physics of Semiconductors and Dielectrics
Department of Sensor and Semiconductors Electronics
Education:
2011 – Master of Electronics, emphasis in Physical and Biomedical Electronics (Diploma with Honor) Ivan Franko National University of Lviv, Ukraine
2016 – Ph. D. in Physico-Mathematical Sciences, Specialty: Physics of Semiconductors and Dielectrics Ivan Franko National University of Lviv, Ukraine (Supervisor: Dr. Bohdan Pavlyk)
Нагороди
Winner of the regional award for young scientists and specialists of the Lviv Regional Council and Lviv Regional State Administration
Розклад
Сторінка розкладу викладачів не знайдена!