Процеси дефектоутворення в матеріалах сенсорної електроніки та структурах на їхній основі

• Архітектура комп'ютерів (153 Мікро- та наносистемна техніка/Сенсорні та діагностичні електронні системи)
• Архітектура комп'ютерів і програмування (171 Електроніка та комп’ютерні системи)
• Цифрова обробка сигналів (171 Електроніка та комп'ютерні системи)
• Цифрові сигнали (153 Мікро- та наносистемна техніка)
• Напівпровідникова електроніка (153 Мікро- та наносистемна техніка)
• Фізичні основи сенсорики (153 Мікро- та наносистемна техніка)

1. Correlation between electrical conductivity and luminescence properties in β-Ga₂O₃:Cr³⁺ and β-Ga₂O₃:Cr, Mg single crystals / V. Vasyltsiv, A. Luchechko, Y. Zhydachevskyy, L. Kostyk, R. Lys, Slobodzyan, R. Jakieła, B. Pavlyk, A. Suchocki // Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films. – 2021. – Vol.39(3). – P. 033201. https://doi.org/10.1116/6.0000859
2. Magnetically stimulated changes in the electrophysical properties of the near-surface silicon layer / B.V. Pavlyk, D.P. Slobodzyan, R.M. Lys, M.O. Kushlyk, R.I. Didyk, J.A. Shykorjak // Journal of Physical Studies – 2020. – Vol. 24, No. 3. – P. 3702-1-3702-5. https://doi.org/10.30970/jps.24.3702
3. Light-curing effects in acrylic-type dental nanocomposites probed by annihilating positrons: the case of densely monolith ЭCTA-3® restoratives / O. Shpotyuk, A. Ingram, O. Shpotyuk, D. Slobodzyan, J. Cebulski, N. Smolar // Applied Nanoscience. – 2020. Vol. 10, No. 12. – P. 4791-4796. https://doi.org/10.1007/s13204-020-01423-w.
4. Mathematical model of mechanically stimulated changes of irradiated silicon crystals’ surface conductivity / R. Lys, B. Pavlyk, R. Didyk, J. Shykorjak, Slobodzyan, M. Kyshlyk, W. Żyłka // Applied Nanoscience. – Vol. 10, №12. – P. 4767-4772. https://doi.org/10.1007/s13204-020-01300-6
5. Structural analysis of Se-rich arsenoselenide glass nanoparticles obtained by high-energy mechanical milling / Y. Shpotyuk, P. Demchenko, R. Lys, D. Slobodzian, Z. Bujňáková, P. Baláž, O. Shpotyuk // AIP Conference Proceedings. – 2019. – Vol. 2196. – P. 020039-1- 020039-5. https://doi.org/10.1063/1.5140312020039-5
6. Electroluminescence energy efficiency of Si-structures with different compound of nanoscale dislocation complexes / D. Slobodzyan, B. Pavlyk, M. Kushlyk // Applied Nanoscience. –2019. –  Vol. 9, №5. – P. 865-871. DOI: 10.1007/s13204-018-0729-5
7. Features of changes in the electrical resistance of p-Si crystals under the action of an elastic one-axial mechanical load and a magnetic field / B.Pavlyk, R. Lys, D. Slobodzyan, M. Kushlyk, R. Didyk, J. Shykoryak, I. Karbovnyk // Applied Nanoscience. – 2019. – Vol. 9, №8. – P.1775-1779. DOI: 10.1007/s13204-019-00964-z
8. Free-volume structure of polyvinylpyrrolidone-capped glassy As₂Se₃ nanocomposites prepared by mechanical milling / O. Shpotyuk, A. Ingram, Z. Bujnáková, P. Baláž, Ya. Shpotyuk, Slobodzyan, M. Wozny, C. Boussard-Pledel, B. Bureau // Polymer Engineering and Science. – Vol.59, №12. – 2019. – P. 2438-2442. DOI 10.1002/pen.25101
9. The role of a thin aluminum film in the reconstruction of silicon’s near-surface layers / R. Lys, B. Pavlyk, D. Slobodzyan, J. Cebulski, M. Kushlyk // Advances in Thin Films, Nanostructured Materials, and Coatings. – 2019. –  P. 189–196. doi:10.1007/978-981-13-6133-3_19
10. Radiation-Stimulated Changes in the Characteristics of Surface-Barrier Al–Si–Bi Structures with Different Concentrations of Dislocations at the Crystal Surface / B. Pavlyk, M. Kushlyk, D. Slobodzyan, I. Matvijishyn, R. Lys, M. Jałbrzykowski // Acta mechanica et automatica. – Vol.12,№1. – 2018. – P. 72-77
11. Origin of dislocation luminescence centers and their reorganization in p-type silicon crystal subjected to plastic deformation and high temperature annealing / B.V. Pavlyk, M.O. Kushlyk, D.P. Slobodzyan // Nanoscale Research Letters. – 2017. – 12, 358. – P. 1-8
12. Особливості впливу X-випромінювання та магнітного поля на електрофізичні характеристики бар’єрних структур на основі дислокаційного p-Si, призначеного для сонячної енергетики / Д.П. Слободзян, Б.В. Павлик, М.О. Кушлик // Журнал Нано- та Електронної Фізики. – 2015. – Т.7, №4. – 04051-1 – 04051-5
13. Про природу центрів електролюмінесценції в пластично деформованих кристалах кремнію p-типу / Б.В. Павлик, М.О. Кушлик, Д.П. Слободзян // Журнал Нано- та Електронної Фізики. – 2015. – Т.7, №3. – 03043-1-03041-5
14. Дослідження Х-стимульованої еволюції дефектів у кристалах p-Si методом ємнісно-модуляційної спектроскопії / Б.В. Павлик, Д.П. Слободзян, Р.М. Лис, Р.І. Дідик, Й.А. Шикоряк // Журнал Фізичних Досліджень. – 2014. – Т.18, №4. – С. 4601-1-4601-7
15. Електрофізичні характеристики приповерхневих шарів кристалів Si p-типу, з напиленими плівками Al, підданих пружній деформації / Б.В. Павлик, М.О. Кушлик, Д.П. Слободзян, Й.А. Шикоряк, Р.І. Дідик, Б.Я. Кулик // Український Фізичний Журнал. – 2013. – Т.58, №8. – С. 743-748
16. Quality of the p-Si crystal surface and radiation-stimulated changes in the characteristics of Bi-Si-Al surface-barrier structures / B.V. Pavlyk, D.P. Slobodzyan, A.S. Hrypa, R.M. Lys, M.O. Kushlyk, J.A. Shykoryak, R.I. Didyk // Semiconductors. – 2012. – Vol.46, №8. – P. 993-997
17. The Effect of a Magnetic Field on Electrical Properties of Surface-Barrier Bi-Si-Al Structures / B.V. Pavlyk, A.S. Hrypa, D.P. Slobodzyan, R.M. Lys, J.A. Shykoryak, R.I. Didyk // Semiconductors. – 2011. – Vol.45, No.5. – P. 599 – 602

Народився 8 листопада 1985 року в с. Безброди Буського р-ну Львівської обл. У 2003 році закінчив Буську гімназію імені Євгена Петрушевича при Львівському національному університеті імені Івана Франка. У 2008 році закінчив Львівський національний університет. Здобув кваліфікацію “Магістр електроніки”. В період з серпня 2008 по грудень 2011 року працював на посаді інженера науково-дослідної частини НДЛ-20 кафедри електроніки. З січня 2012 зарахований на посаду інженера кафедри електроніки  Львівського національного університету імені Івана Франка. З вересня 2012 по квітень 2015 року працював на посаді асистента кафедри електроніки за сумісництвом. У 2014 році захистив дисертацію на тему “Еволюція структурних дефектів у приповерхневому шарі бар’єрних структур на основі p-Si, стимульована дією зовнішніх факторів” та отримав науковий ступінь кандидата фізико-математичних наук зі спеціальності “Фізика напівпровідників і діелектриків”. У червні 2015 р. обраний по конкурсу на посаду асистента кафедри електроніки терміном на п’ять років. У червні 2017 р. обраний по конкурсу на посаду доцента кафедри сенсорної та напівпровідникової  електроніки терміном на п’ять років.

1. Проект МОН України СЕ-42 Нр “Наноструктуровані та полікристалічні РЗМ-вмісні матеріали для сцинтиляторів, сенсорів та енергоощадних технологій” (№ держреєстрації0116U008069), 2016-2018 рр.
2. Проект МОН України СЕ-65 Нр «Модифікація сенсорних властивостей кремнієвих структур та РЗМ-вмісних матеріалів на основі оксидів і халькогенідів» (№ держреєстрації 0117U007189), 2017-2020 рр.
3. Проект МОН України СЕ-02 Нр «Модифікація оптичних властивостей кремнієвих структур та РЗМ-вмісних матеріалів на основі оксидів і халькогенідів методами плазмонного резонансу», 2020-2022 рр.

Премія Львівської обласної державної адміністрації і Львівської обласної ради для молодих учених і дослідників наукових установ та закладів вищої освіти (університетів, академій, інститутів) Львівської області (2019 р.).

1. Методичні рекомендації до лабораторного практикуму з курсу «Автоматизація експерименту» Частина ІІ / М.О. Кушлик, Д.П. Слободзян. – Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка. – 2021. – 52 с.
2. Методичні рекомендації до лабораторного практикуму з курсу «Автоматизація експерименту» Частина І / М.О. Кушлик,  Д.П. Слободзян. – Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка. – 2021. – 52 с.
3. Методичні рекомендації до лабораторного практикуму з курсу «Теорія електричних та електронних кіл». Частина 2 / М.О. Кушлик, І.М. Матвіїшин, Д.П. Слободзян. – Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка. – 2020. – 28 с.
4. Методичні рекомендації до лабораторного практикуму з курсу «Теорія електричних та електронних кіл» / М.О. Кушлик, І.М. Матвіїшин, Д.П. Слободзян. – Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка. – 2020. – 49 с.
5. Методичні рекомендації до лабораторного практикуму з курсу «Прилади і методи відображення біомедичних сигналів та зображень» / Д.П. Слободзян, І.М. Матвіїшин, Я.О. Шпотюк, Л.В. Костик, А.П. Лучечко, Р.М. Лис. – Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка. – 2017. – 47 с.
6. Методичні рекомендації до лабораторного практикуму з курсу «Твердотільна електроніка» / Б.В. Павлик, Р.М. Лис, І.М. Матвіїшин, Л.М. Шпак, А.П. Лучечко, Д.П. Слободзян. – Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка. – 2016. – 36 с.
7. Методичні рекомендації до лабораторного практикуму з курсу «Рідкі кристали в сенсорній електроніці» (Ч.3) / Ю.А.Настишин, І.М. Матвіїшин, Л.М. Шпак, О.М. Крупич, Д.П. Слободзян. – Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка. – 2015. – 58 с.
8. Методичні рекомендації до лабораторного практикуму з курсу «Рідкі кристали в сенсорній електроніці» (Ч.2) / Ю.А.Настишин, І.М. Матвіїшин, Л.М. Шпак, О.М. Крупич, Д.П. Слободзян. – Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка. – 2014. – 47 с.
9. Методичні рекомендації до лабораторного практикуму з курсу «Рідкі кристали в сенсорній електроніці» / Ю.А.Настишин, І.М. Матвіїшин, Л.М. Шпак, О.М. Крупич, Д.П. Слободзян. – Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка. – 2013. – 38 с.

1-й семестр
2-й семестр