Радіаційні процеси у напівпровідниках та діелектриках, пристроях сенсорної електроніки; вплив іонізуючих випромінювань та слабких магнітних полів на процеси еволюції дефектів у поверхнево-бар’єрних структурах на основі р-Si; дислокаційна люмінесценція кристалів р-Si; дослідження змін морфології поверхні напівпровідникових кристалів під дією зовнішніх полів.

• Актуальні питання сенсорної електроніки (153 Мікро- та наносистемна техніка)
• Твердотільна електроніка (153 Мікро- та наносистемна техніка)

1. Correlation between electrical conductivity and luminescence properties in β-Ga₂O₃:Cr³⁺ and β-Ga₂O₃:Cr, Mg single crystals / V. Vasyltsiv, A. Luchechko, Ya. Zhydachevskyy, L. Kostyk, R. Lys, D. Slobodzyan, R. Jakieła, B. Pavlyk, A. Suchocki // Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films. – 2021, Vol. 39, № 3. –P. 1 -7 (033201). https://doi.org/10.1116/6.0000859.
2. Magnetically stimulated changes in the electrophysical properties of the near-surface silicon layer / B.V. Pavlyk, D.P. Slobodzyan, R.M. Lys, M.O. Kushlyk, R.I. Didyk, J.A. Shykorjak // Journal of Physical Studies. – 2020. – Vol.24, No3. – P. 3702(1) – 3702(5). DOI: https://doi.org/10.30970/jps.24.3702.
3. Lys, R., Pavlyk, B., Slobodzyan, D., Cebulski, J., & Kushlyk, M. (2019). The Role of a Thin Aluminum Film in the Reconstruction of Silicon’s Near-Surface Layers. Advances in Thin Films, Nanostructured Materials, and Coatings, 189–196. doi:10.1007/978-981-13-6133-3_19.
4. Thermally stimulated luminescence and thermally stimulated depolarization currents in MgGa₂O₄ spinels / O.P. Kravets, R.M. Lys, O.V. Tsvetkova, A.P. Luchechko, B.V. Pavlyk // Journal of Physical Studies. – 2018. – Vol. 22, No 1. – P. 1602-1 – 1602-7. Режим доступу.
5. Restructuring of the defected structure and centers of dislocation luminescence in the p-Si surface layers / B.V. Pavlyk, М.О. Kushlyk, D.P. Slobodzyan, R.M. Lys // Journal of Physical Studies. – 2017. – Vol.21, No 1/2. – P. 1601-1 – 1601-8. Режим доступу.
6. Features of the uniaxial elastic deformation of X-ray-irradiated p-Si crystals / B.V. Pavlyk, R.M. Lys, R.I. Didyk, J.A. Shykoryak // Semiconductors. – 2015. – Vol. 49, No 5. – P. 638–643. Режим доступу.
7. The study of X-stimulated evolution of defects in p-Si crystals through capacitive-modulation spectroscopy   / B.V. Pavlyk, D.P. Slobodzyan, R.M. Lys, J.A. Shykoryak, R.I. Didyk // Journal of Physical Studies. – 2014. – Vol. 18, No 4. – P. 1(4702)–7(4702). Режим доступу.
8. Дослідження змін електропровідності опромінених Х-променями кристалів p-Si в процесі пружної деформації / Б.В. Павлик, Р.М. Лис, Р.І. Дідик, Й.А. Шикоряк // ФХТТ. – 2014. – Т.15, № 2. – С. 297–303. Режим доступу.
9. Особливості електрофізичних характеристик пружнодеформованих монокристалів p-Si / Б. Павлик, Р. Дідик, Р. Лис, Д. Слободзян, А. Грипа, Й. Шикоряк, М. Кушлик, І. Чегіль // Електроніка та інформаційні технології. – 2013. – Вип. 3. – С. 54–61. Режим доступу.
10. Совершенство поверхности кристаллов p-Si и радиационно-стимулированные изменения характеристик поверхностно-барьерных струткур Bi-Si-Al / Б.В. Павлык, Д.П. Слободзян, А.С. Грыпа, Р.М. Лыс, М.О. Кушлык, И.А. Шикоряк, Р.И. Дидык // Физика и техника полупроводников. – 2012. – Т. 46, Вып. 8. – С. 1017–1021. Режим доступу.
11. Радіаційно-стимульована перебудова дефектів у кристалах кремнію / Б.В. Павлик, Р.М. Лис, А.С. Грипа, Д.П. Слободзян, І.О. Хвищун, Й.А. Шикоряк, Р.І. Дідик // Укр. Фіз. журнал. – 2011. – Т. 56, № 1. – С. 64–68. Режим доступу.
12. Перебудова дефектів в поверхнево-бар’єрних структурах Bi-Si-Al стимульована дією радіації / Б.В. Павлик, А.С. Грипа, Д.П. Слободзян, Р.М. Лис, Р.І. Дідик, Й.А. Шикоряк // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології. – 2010. – Т. 1, № 7. – С. 37–41. Режим доступу.
13. Особливості електрофізичних характеристик поверхнево-бар’єрних структур на базі кристалів p-Si / Б.В. Павлик, А.С. Грипа, Р.М. Лис, Д.П. Слободзян, Р.І. Дідик, Й.А. Шикоряк // Фізика і хімія твердого тіла. – 2009. – Т. 10, № 4. – С. 935–938. Режим доступу.
14. Патент на корисну модель, 84570 Україна, МПК G01R 1/00. Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах / Б.В. Павлик, Р.І. Дідик, Й.А. Шикоряк, Р.М. Лис, А.С. Грипа, Д.П. Слободзян, М.О. Кушлик; заявник та власник Львівський національний університет імені Івана Франка. – № u201305090; заявл. 19.04.2013; опубл.25.10.2013, Бюл. № 20/2013. Режим доступу.

Народився 14.ХІ.1950р., м. Буськ, Львів. обл.

Закінчив фізичний факультет Львівського університету у 1973 році за спеціальністю «радіофізика та електроніка». З 1975-83 – інженер, старший. інженер проблемної лабораторії, 1983-86 – асистент, 1986-95 – доцент кафедри фізики напівпровідників, 1995-98 – докторант Львівського університету, 1999-2002 – професор, 2002-2003 – виконувач обов’язків завідувача кафедри електроніки фізичного факультету Львівського університету, у 2003 році обраний за конкурсом на посаду завідувача кафедри електроніки факультету електроніки Львівського національного університету. На даний час є завідувачем кафедри сенсорної та напівпровідникової електроніки факультету електроніки та комп’ютерних технологій.

Канд. фіз. – мат. наук (Деструкція кристалів лужногалоїдних сполук, 1985р.), доцент (1989), доктор фіз. – мат. наук (Радіаційно – і термостимульовані процеси агрегатизації дефектів у напівпровідникових та діелектричних кристалах, 1999р.), професор (2002).

Заслужений професор Львівського національного університету ім. Івана Франка, член експертної ради з фізики та астрономії Департаменту атестації кадрів вищої кваліфікації МОН України; заступник голови видавничої ради ЛНУ ім. Івана Франка; член Вченої Ради факультету електроніки та комп’ютерних технологій; член редакційної колегії 2-х журналів з переліку фахових видань; заступник голови спеціалізованої Вченої Ради Д 35.051.09 із захисту дисертацій при Львівському національному університеті ім. Івана Франка, Голова ДЕКу у ЛНУ «Львівська політехніка»; член журі Всеукраїнського конкурсу студентських наукових робіт з електроніки.

• Науковий керівник проекту МОН України СЕ-76 Ф «Фізичні процеси у матеріалах сенсорики на основі оксидів та халькогенідів, активованих рідкісно-земельними елементами»  (ДР № 0118U003612). 2018 -2020 рр.
• Патент на корисну модель, 86829 Україна, МПК G01N3/08 (2006.01), H01L21/322 (2006.01). Пристрій для пластичної деформації напівпровідникових матеріалів / Б.В. Павлик, Р.І. Дідик, Й.А. Шикоряк, Р.М. Лис, А.С. Грипа, Д.П. Слободзян, М.О. Кушлик; заявник і власник ЛНУ ім. І. Франка. – № u201309259; заявл. 23.07.2013; опубл. 10.01.2014, Бюл. № 1/2014.
• Патент на корисну модель, 84570 Україна, МПК G01R 1/00. Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах / Б.В. Павлик, Р.І. Дідик, Й.А. Шикоряк, Р.М. Лис, А.С. Грипа, Д.П. Слободзян, М.О. Кушлик; заявник та власник Львівський національний університет імені Івана Франка. – № u201305090; заявл. 19.04.2013; опубл.25.10.2013, Бюл. № 20/2013.

Подяка Міністра освіти і науки України.

Заслужений професор Львівського національного університету імені Івана Франка.

1.   Методичні рекомендації до лабораторного практикуму з курсу «Вступ до спеціальності» / Р.М. Лис, Б.В. Павлик. – Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка. – 2016. – 34 с.

2.   Методичні рекомендації до лабораторного практикуму з курсу «Твердотільна електроніка» / Б.В. Павлик, Р.М. Лис, І.М. Матвіїшин, Л.М. Шпак, А.П. Лучечко, Д.П. Слободзян. – Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка. – 2016. – 36 с.

3.   Методичні рекомендації до лабораторного практикуму з курсу «Фізичні основи термометрії» / Б.В. Павлик, Р.М. Лис. – Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка. – 2012. – 46 с.

1-й семестр
2-й семестр