Матвіїшин Ігор Михайлович

Посада: доцент кафедри сенсорної та напівпровідникової електроніки

Науковий ступінь: кандидат фізико-математичних наук

Вчене звання: доцент

Телефон (робочий): (032) 239-41-58

Електронна пошта: ihor.matviyishyn@lnu.edu.ua

Профіль у Google Scholar: scholar.google.com.ua

Профіль ORCID: orcid.org

Профіль у Scopus: www.scopus.com

Профіль у Web of Science (Publons): www.webofscience.com

Профіль у Facebook: www.facebook.com

Наукові інтереси

Коло наукових інтересів: фотовольтаїчні, люмінесцентні, сцинтиляційні властивості шаруватих кристалів галогенідів кадмію і свинцю, детектори випромінювання на їх основі, рідкокристалічні системи в сенсорній електроніці.

 

Навчальні дисципліни

Публікації

Luminescence centers in low-dimensional layered cadmium iodide crystals and nanostructures / Rudka, M.Matviishyn, I.Seredyuk, B., …Karkulovska, M.Kravchuk, I. // 2020 IEEE 40th International Conference on Electronics and Nanotechnology, ELNANO 2020 – Proceedings2020. – P. 268–271, 9088922. http://10.1109/ELNANO50318.2020.9088922

Temperature and Pressure Changes of the Refractive Properties of LiNH4SO4 Crystal in β Modification / Rudysh, M.Stadnyk, V.Shchepanskyi, P., …Myronchuk, G.,Matviishyn, I. // 2019 11th International Scientific and Practical Conference on Electronics and Information Technologies, ELIT 2019 – Proceedings. – P. 316 – 320. http://10.1109/ELIT.2019.8892311

The Effect of Uniaxial Pressures on the Infrared Spectra of LiNH4SO4 Crystals / I. Stadnyk, Ya. Rudish, P.A.Shchepansky, I.Matviishyn, O. M. Gorina, M. Gaba  // Optics and Spectroscopy. ‑ Vol. 124, No.2. – 2018. – P. 216-220. http://10.1134/S0030400X18020169

Radiation-Stimulated Changes in the Characteristics of Surface-Barrier Al–Si–Bi Structures with Different Concentrations of Dislocations at the Crystal Surface / B. Pavlyk, M. Kushlyk, D. Slobodzyan, I. Matvijishyn, R. Lys, M. Jałbrzykowski // Acta mechanica et automatica. – Vol.12,№1. – 2018. – P. 72-77. http://10.2478/ama-2018-0012

Спектральні характеристики кристалів Cs:RCl/ С. Новосад, І. Матвіїшин, І. Новосад, А. Лучечко, О.Кравець//Електроніка та інформаційні технології (ЕлІТ-2017): збірник матеріалів VIII-ої Українсько-польської науково-практичної конференції, (Львів – Чинадієво, 28-31 серпня 2017 р.)/ МОН України, Львівський національний університет імені Івана Франка.-Львів: Львів. нац. ун-т ім. Івана Франка, Україна, 2017.–С. 203-206.

The Temperature Changes of Refractive Indices and Thickness of Doped Triglycine Sulfate Crystals / Kurlyak, V.Y.Stadnyk, V.Y.Gaba, V.M.Kohut, Z.O.Matviishyn, I.M. // Journal of Applied Spectroscopy. –  Vol. 83(3). – 2016. –  P. 472–477. http://10.1007/s10812-016-0313-2

 Курляк В. Зоннa структура кристалiв Rb2ZnCl4 у параелектричній фазі / В. Курляк, О. Бовгира, В. Стадник, І. Матвіїшин, В. Стахура, Л. Карплюк // Електроніка та інформаційні технології. – 2015. – № 5. – С.22-32.

Стадник В.Й., Кашуба О.З., Брезвін Р.С., Матвіїшин І.М., Рудиш М.Я. Двопроменезаломлюючі властивості одновісно стиснутих кристалів K2SO4. –Укр. фіз. журн. – 2013. – Т. 58, № 9. – С. 855-858.

Стадник В. Пошук нових кристалів з ізотропною точкою / В. Стадник, З. Когут, І. Матвіїшин, М. Рудиш М, П. Щепанський // Вісник ЛНУ, серія фіз. – 2013. – № 48. – C. 148-158.

Стадник В. Розрахунок електрооптичних коефіцієнтів в домішкових кристалах тригліцинсульфату / В. Стадник, Ю. Кірик, І. Матвіїшин // Електроніка та інформаційні технології. – 2011. – Вип. 1. – С. 126-133.

Новосад С.С. Спектральные и кинетические характеристики сцитилляторов CdI2 и CdI2:Pb / С.С. Новосад, И.С. Новосад, И.М. Матвиишин, О.С. Новосад // Журн. прикл. спектроск. – 2008. – 75, №6. – С.830-835.

Matvijishyn I.M. Transverse Photoeffect in PbI2 Crystals under X-ray and Laser Excitation / I.M. Matvijishyn, S.S. Novosad, L.I. Yaritska, I.S. Novosad, A.V. Futei // Inorganic Materials. – 2006. – 42, No9. – P. 1034-1038.

Новосад С.С. Влияние адсорбции на поперечное фотонапряжение в кристаллах иодистого кадмия при рентгеновском возбуждении / С.С. Новосад, И.М. Матвиишин, И.С. Новосад // ЖТФ. – 2005. – 75, Вып. 2. – С. 121-123.

С.С. Новосад, І.С. Новосад, А.М. Войцеховська, І.М. Матвіїшин, О.В. Футей. Деклараційний патент на корисну модель. UA №7841. Детектор іонізуючого випромінювання. – Опубл. 15.07.2005. Бюл. №7, заявл. 26.11.2004, G01T1/24, H01L31/04, №20041109746.

Новосад С.С. Люминесценция и фоточувствительность кристаллов PbI2 / С.С. Новосад, И.С. Новосад., И.М. Матвиишин // Неорг.матер. – 2002. – 18, № 10. – С. 1253-1259.

Біографія

Народився 16 червня 1958 р. у м. Стрий Львівської області. У 1980 р. закінчив фізичний факультет Львівського університету  імені Івана Франка.

У 1992 р. захистив кандидатську дисертацію на тему «Фотовольтаїчні ефекти у галогенідах кадмію та свинцю». У 2008 р. отримав Вчене звання доцента кафедри електроніки.

Протягом  1980–1986 рр. працював старшим  лаборантом кафедри загальної фізики фізичного факультету.

1986–87 рр. – стажер-викладач кафедри.

1987–1990 рр. – аспірант кафедри.

1990–2000 рр. – науковий співробітник НДЛ-12.

2000–2005 рр. – асистент кафедри електроніки.

З 2005р. – доцент кафедри сенсорної та напівпровідникової електроніки.

Методичні матеріали

Методичні рекомендації до лабораторного практикуму з курсу «Теорія електричних та електронних кіл». Частина 2 / М.О. Кушлик, І.М. Матвіїшин, Д.П. Слободзян. – Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка. – 2020. – 28 с.

Методичні рекомендації до лабораторного практикуму з курсу «Теорія електричних та електронних кіл» / М.О. Кушлик, І.М. Матвіїшин, Д.П. Слободзян. – Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка. – 2020. – 49 с.

Методичні рекомендації до лабораторного практикуму з курсу «Прилади і методи відображення біомедичних сигналів та зображень»/Д.П. Слободзян, І.М. Матвіїшин, Я.О. Шпотюк, Л.В. Костик, А.П. Лучечко, Р.М. Лис.– Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка, 2017. – 47 с.

Методичні рекомендації до лабораторного практикуму з курсу «Енергетична електроніка»/Л.В. Костик, Р.М. Матвіїшин, Л.М. Шпак , Д.П. Слободзян. –Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка, 2017.– 59 с.

Павлик Б.В., Лис Р.М., Матвіїшин І.М., Шпак Л.М., Лучечко А.П., Слободзян Д.П. // Методичні вказівки до лабораторного практикуму з курсу “Твердртільна електроніка”. –  Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка, 2016. – 36 с.

Матвіїшин І., Настишин Ю., Шпак Л., Крупич О., Слободзян Д. // Методичні рекомендації до лабораторного практикуму з курсу “Рідкі кристали в сенсорній електроніці” (ч.3). –  Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка, 2015. – 58 с.

Павлик Б.В., Матвіїшин І.М., Костик Л.В., Шпак Л.М. // Практикум з твердотільної електроніки. –  Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка, 2012. – 130 с.

Павлик Б.В., Матвіїшин І.М., Костик Л.В., Шпак Л.М. // Методичні рекомендації з курсу “Основні параметри та характеристики структур твердотільної електроніки”. –  Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка, 2008. – 50 с.

Павлик Б.В., Матвіїшин І.М., Костик Л.В., Шпак Л.М. // Методичні рекомендації з курсу “Основні параметри та характеристики пристроїв твердотільної електроніки”. –  Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка, 2007. – 28 с.

Розклад