Дідик Роман Іванович

Посада: завідувач Лабораторії навчальна лабораторія напівпровідникової електроніки

Науковий ступінь: кандидат фізико-математичних наук

Вчене звання: ст. наук. співробітник

Телефон (робочий): (032) 239-43-71

Електронна пошта: didykroman2015@gmail.com

Наукові інтереси

Радіоліз кристалів. Вплив на електропровідність напівпровідників пружної деформації, дефектності кристалічної гратки та її приповерхневого шару, тривалої дії магнітного поля.

Публікації

1. Effect of elastic deformation and the magnetic field on the electrical conductivity of p-Si crystals / R. Lys, B. Pavlyk, R. Didyk, J. Shykorjak, I. Karbovnyk //Applied Nanoscience. – 2018.

2. Особенности одноосной упругой деформации кристаллов p-Si, облученных рентгеновскими лучами / Б.В. Павлык, Р.М. Лыс, Р.И. Дидык, И.А. Шикоряк // ФТП. – 2015. – Т. 49, Вып. 5. – С. 638–643.

3. Дослідження змін електропровідності опромінених Х-променями кристалів p-Si в процесі пружної деформації / Б.В. Павлик, Р.М. Лис, Р.І. Дідик, Й.А. Шикоряк // ФХТТ. – 2014. – Т.15, № 2. – С. 297–303.

4. Особливості електрофізичних характеристик пружнодеформованих монокристалів p-Si / Б. Павлик, Р. Дідик, Р. Лис, Д. Слободзян, А. Грипа, Й. Шикоряк, М. Кушлик, І. Чегіль // Електроніка та інформаційні технології. – 2013. – Вип. 3. – С. 54–61.

5. Патент на корисну модель, 86829 Україна, МПК G01N3/08 (2006.01), H01L21/322 (2006.01). Пристрій для пластичної деформації напівпровідникових матеріалів / Б.В. Павлик, Р.І. Дідик, Й.А. Шикоряк, Р.М. Лис, А.С. Грипа, Д.П. Слободзян, М.О. Кушлик; заявник і власник ЛНУ ім. І. Франка. – № u201309259; заявл. 23.07.2013; опубл. 10.01.2014, Бюл. № 1/2014.

6. Патент на корисну модель, 84570 Україна, МПК G01R 1/00. Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах / Б.В. Павлик, Р.І. Дідик, Й.А. Шикоряк, Р.М. Лис, А.С. Грипа, Д.П. Слободзян, М.О. Кушлик; заявник та власник Львівський національний університет імені Івана Франка. – № u201305090; заявл. 19.04.2013; опубл.25.10.2013, Бюл. № 20/2013.

7. Павлик Б.В. Мікроскопічні дослідження дефектної структури приповерхневого шару кристалів р-Si / Б.В. Павлик, Р.І. Дідик, Й.А. Шикоряк, [та ін.] // Теоретична електротехніка – 2010. – вип.61 – С.164-170.

8. Н.А.Цаль, Р.И.Дидык, Н.Н.Романюк «Электронно-микроскопическое наблюдение дефектов, возникающих при радиационном разрушении щелочногалоидных кристаллов», Доклады АН СССР ,244, №3, 574-575, 1979.

9. Н.А.Цаль, Ю.В.Караван, Р.И.Дидык, О.П.Драган «Выделение газообразных компоненет щелочногалоидных кристаллов при радиолизе», Доклады АН СССР ,220, №3, 658-661,1975.

10. Масс-спектрометрическоеисследованиевЫделенияхлора при радиолизекристалловNaCl. /Н.А.Цаль, Ю.В.Караван, Р.И.ДидЫк, О.П.Драган//ДокладЫ АН СССР, т. 219, №2, 333, 1974.

11. N.A.Tsal and R.I.Didyk «On the Lattice and Dislocation Mechanism of Colloid Formation in Alkali Halide Crystals» Phys. stat.sol. (b), 51, 891-899, 1972.

12. Р.И.Дидык, Ю.В.Караван, З.В.Стасюк, Н.А.Цаль «Масс-спектрометрическое изучение разложения кристаллов NaCI при радиационном облучении», Физика твердого тела, 12, 3629-3631, 1970.

13. On the Nature of X-Centres in NaCl Crystals with Anionic Impurities /N.A.Tsal, R.I.Didyk// Phys. Stat. Solidi, 40, 409, 1970.

Біографія

   Народився 02.01.1939 р. у м. Львові. Навчався з 1948 по 1956 роки у початковій  60-ій та середній 51-ій школах м. Львова. З 1956 по 1961 р. навчався на фізичному факультеті ЛДУ  ім. І. Франка.

   Після закінчення навчання був залишений на роботу в університеті.  Розпочав працювати (ще будучи студентом)  з 01.03.1961 р. на посаді 0,5 ставки лаборанта кафедри фізики твердого тіла фізичного факультету ЛДУ. З 1963 року – працівник науково-дослідної лабораторії, назва якої мінялась тричі, проте найдовше вона мала назву «Проблемна науково-дослідна лабораторія росту та дослідження фізичних властивостей кристалів». Працював на посадах інженера, старшого інженера, а з 1972 року до звільнення у 2000 році (в зв’язку з виходом на пенсію) був завідувачем цієї лабораторії.

   У 2008 році Б.В. Павлик запросив мене працювати на кафедрі електроніки і з квітня цього ж року я працюю на його кафедрі. З 2016 року працюю на посаді завідувача навчальної лабораторії при кафедрі сенсорної та напівпровідникової електроніки.

   У 1973 році захистив кандидатську дисертацію на тему «Вплив деяких домішок на процеси утворення електронних та колоїдальних центрів забарвлення в лужно-галоїдних кристалах», яку виконав під керівництвом проф. Цаля М.О.

   Маю біля 50 друкованих праць, 17 патентів на винаходи та, фактично, одне наукове відкриття, про яке детальніше нижче.

  Я разом з М.О.Цалем, Ю.В.Караваном, О.П.Драганом є співавтором наукового відкриття ОТ-8793 «Явище дискретного виділення продуктів радіолізу кристалів» пріоритет від 02.07.1974 р.

   Заявлене явище було визнане відкриттям на засіданні Експертної ради Комітету по винаходах та відкриттях при РМ СРСР, яке відбулося 5 липня 1991 р. у м. Москві, на якому були присутні співавтори заявки (М.О. Цаля уже не було в живих) та начальник патентного відділу ЛДУ ім. І.Франка Сумішевська Н.Й. Була затверджена формула відкриття:

   «Експериментально встановлено раніше невідоме явище дискретного виділення продуктів радіолізу твердих тіл, яке полягає в тому, що при опроміненні відбувається виділення їх компонентів у вигляді дискретних пульсацій, амплітуда і частота яких залежить від температури, а також інтенсивності опромінення і котре обумовлене створенням, просторовим розділенням і агрегатизацією продуктів радіолізу».

   На цій Експертній раді було вирішено матеріали направити у відділення фізики, хімії і технології неорганічних матеріалів АН СРСР (секретар відділення академік Бруслаєв Ю.О.).

   Через півтора місяця, 24 серпня 1991 р., Україна проголосила незалежність. Радянський Союз розпався, його Академія наук перестала існувати і Диплома на відкриття ми не змогли отримали.