Nanosystems and nanostructures of reduced dimensionality – their production and research, nanotechnology and nanoelectronics. Physical chemistry, electron spectroscopy and surface engineering. Spectroscopy of defect formation and formation of interfacial boundaries on the surface of materials with different types of bonding (at the atomic level); nano-, micro- and solid-state electronics materials; radiation physics and chemistry of the surface and emission and charge effects of chipping surfaces.

• Electron spectroscopy and surface engineering (153 Micro- and nanosystem technology)
• Nanoengineering and surface electron spectroscopy
• Nanosystems and nanotechnologies (176 Micro and nanosystem technology)
• Semiconductor electronics (153 Micro and nanosystem technology)

1. Галій П.В. Роль примесей в термостимулированной экзоэлектронной эмиссии радиационно-возбуж­енных ионных соединений / П.В. Галий, И.З. Гудь, Т.М. Ненчук, Е.П. Поплавский // Изв. АН СССР. Сер. физ. ― 1991. ― т. 55, №12. ― C. 2432–2436.
2. Набитович И.Д. Фотоэкзоэмиссия электронов поверхностей скола кристаллов KCl / И.Д. Набитович, П.В. Галий, Н.И. Лосик, В.И. Чих // Изв. АН СССР. Сер. физ. ― 1991. ― т. 55, № 12. ― С. 2437–2440.
3. Галий П.В. Накопление центров окраски в бромиде цезия при облучении электронами и рекомби­национная термостимулированная экзоэлектронная эмиссия / П.В. Галий, В.П. Савчин // Укр. фіз. журн. ― 1991. ― т. 36, № 11. ― С. 1737―1743.
4. Nabitovich I.D. Exoelectron Emission from Cleaved Surfaces of KCl Crystal Containing Coloured Centres / I.D. Nabitovich, P.V. Galiy, M.I. Losyk, V.I. Chikh // Поверхность. Физ. хим. мех. – 1993. – № 8. – С. 54–60.
5. Galiy P.V., Dislocations and Exoemission Properties of Silicon / P.V. Galiy, T.N. Nenchuk, I.M. Stakhira, J.M. Spitkovsky // Поверхность. Физ. хим. мех. ― 1993. ― № 8. ― С. 61―65.
6. Галий П.В.Экзоэмиссионная спектроскопия примесей радиационно-возбужденных ионных соедине­ний / П.В. Галий, Е.П. Поплавский // Поверхность. Физ. хим. мех. ― 1993. ― № 9. ― C. 33―39.
7. Галій П.В. Радіаційне дефектоутворення і радіоліз поверхні кристалів CsI при опроміненні електро­нами / П.В. Галій, Т.М. Ненчук, В.П. Савчин // Укр. фіз. журн. ― 1994. ― т. 39, № 4. ― С. 450―456.
8. Галий П.В. Дослiдження адсорбцiйної активностi шаруватих напiвпровiдникових кристалiв селенiдів iндiю та галiю / П.В. Галій, Т.М. Ненчук, В.П. Савчин, Й.М. Стахiра // Укр. фiз. журн. – 1995. – т. 40, № 3/4. – C. 230–235.
9. Galiy P.V. The interconnection of colour centres and centres of recombinational thermostimulated exoelectron emission in CsBr crystals / P.V.Galiy, T.M. Nenchuk, O.V. Tsvetkova // Scientific Reports of the Techn. Univ. of Opole. Ser. Phys. ― 1995. ― vol. 16, № 215. ― P. 69―76.
10. Galiy P.V.Auger-Recombinational TSEE of Radiatively Excited Caesium Hallides Crystals / P.V. Galiy //  Proc. of the 17-th Karpach Sem. on Exoemission and Related Pheno-mena. – Turawa, Poland. – 1996. – P. 15-22.
11. Galiy P. Exoelectron relaxation emission of the coloured alkali halide crystals surfaces /P. Galiy, O. Tsvetko­va // Scientific Reports of the Techn. Univ. of Opole. Ser. Phys. ― 1996. ― vol. 17, № 220. ― P. 23―30.
12. Galiy P.V. Electron Emission Spectroscopy of the Surfaces of Caesium Halide Crystals under Electron Irradition/ P.V. Galiy // Proc. of the 12-th International Symp. on Exoemission and its Application. – Polonica-Zdroj, Poland. – 1997. – P. 19-26.
13. Galiy P.V. Exoemission Recombination Processes of Crystal Surfaces Excited by Cleaveges / P.V. Galiy, M.I. Losyk // Scient. Reports of the Techn. Univ. of Opole. Ser. Phys. ― 1997. ― vol. 20, № 240. ― P. 27―35.
14. Galiy P.V. Surface Investigations of Nanostructured Porous Silicon/ P.V. Galiy, T.I. Lesiv, L,S. Monastyrs­kii., T.M. Nenchuk, I.B. Olenych // Thin Solid Films ― 1998, ― V. 318, N 2. ― P. 113―116.
15. Галій П.В. Екзоемісійні рекомбінаційні процеси на кристалічних поверхнях, збуджених сколюван­ням / П.В. Галій, М.І. Лосик // Укр. фіз. журн. ― 1998. ― т. 43, № 2. ― С. 200―206.
16. Galiy P.V.Radiation defect accumulation in cesium iodine scintilative crystals under inten-sive electron beam irradiation / P.V. Galiy // Functional materials. ― 1999. ― vol. 6, № ― P. 47―54.
17. Galiy P.V. The radiation defect accumulation in scintillative crystals of caesium halides under intense electron beam irradiation/ P.V. Galiy // Radiation Measurements. ― ― vol. 30, № 1. ― P. 41―50.
18. Galiy P.V. Auger Electron Spectroscopy Studies of In₄Se₃ Layered Crystals/ P.V. Galiy, T.M. Nenchuk, J.M.  Stakhira M. Fiyala // Journ.of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. – 1999. – vol. 105, N 1. – P. 91–97.
19. Galiy P.V. Thermostimulated Exoelectron Emission Studies of Porous Silicon / P.V. Galiy, T.M. Nenchuk, J.M. Stakhira // Phys. Status Solidi (b). ― 1999. ― V. 212, N 1. ― P. R7― R9.
20. ГалійП.В. Електронно-емісійна спектроскопія поверхонь поруватого кремнію /П.В. Галій // Укр. фіз. журн. ― 2000. ― т. 45, № 8. ― C. 985―993.
21. Galiy P.V. Relaxation processes of exoemission from the surfaces of radiation coloured crystals excited by cleavage / P. Galiy, M.I. Losyk, R.Ya. Voloshchuk, O.V. Tsvetkova, O.P. Poplavskii // Proc. of the 13-th Inter­national Symp. on Exoemission and Related Relaxation Phenomena. – Jurmala, Latvia. – 2000. – p. 88-92.
22. Galiy P.V. Study of interface formation on the cleavage surfaces of A³B⁶ layered semiconductors / P.V.Galiy, T.M. Nenchuk, J.M. Stakhira // Jour. of Physics D: Applied Physics. ― 2001. ― vol. 34, № ― P. 18―24.
23. Галій П.В. Електронні релаксації радіаційних дефектів аніонної підгратки кристалів броміду цезію та екзоемісія електронів / П.В.Галій, О.Я. Мельник // Укр. фіз. журн. ― 2002. ― т. 47, № 4.― C. 376―384.
24. Galiy P. Electronic relaxations of radiative defects of the anion sublattice in caesium bromide crystals and exoemission of electrons/ Galiy, O. Mel’nyk // Radiation Effects and Defects in Solids. ― 2002. ― vol. 157, № 6/12. ― P. 683―689.
25. Галій П.В. Формування міжфазових меж на поверхнях сколювання монокристалічного кремнію /П.В.  Галій, Т.М. Ненчук // Фізика і хімія твердого тіла. ― ― т. 3, № 3. ― C. 470―481.
26. Кількісна оже-електронна спектроскопія формування інтерфейсних шарів вуглецю на поверхнях ваку­умних сколів кристалів шаруватих напівпровідників In₄Se₃/ П.В. Галій, Т.М. Ненчук, О.Я. Мельник, Й.М. Стахiра // Укр. фіз. журн. ― 2003. ― т. 48, № 3. ― C. 256―268.
27. ГалійП.В. Енерґетичний спектр та ймовірність виходу екзоелектронів у рекомбінаційній моделі екзоемісії / П.В. Галій, О.Я. Мельник // Журнал фізичних досліджень. ― 2003. ― т. 7, № 1. ― С. 84―92.
28. Galiy P. Surface Structure and Nature of the Thin Film Coatings on the Surface of Porous Silicon / P. Galiy, A. Musyanovych, T. Nenchuk // Microscopy and Microanalysis. ― ― vol. 9, № 3. ― P. 292―293.
29. Galiy P.V.Electron Spectroscopy of the Interface Carbon Layer Formation on the Cleavage Surface of the Layered Semiconductor In₄Se₃ Crystals / P.V. Galiy, A.  Musyanovych, T.M. Nenchuk // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. ― 2005. ― vol. 142, № 2. ― P. 121―128.
30. Галій П.В. Роль термоактивованих та тунельних електронних релаксацій радіаційних дефектів у вини­кненні струму ізотермічної екзоемісії/ П.В. Галій, М.І. Лосик,О.Я. Мельник // Укр. фіз. журн. ― 2005. ― т. 50, № 5. ― С. 469―476.
31. Galiy P.V. Excitonic ionizations of the electron centres in caesium iodide crystal and exoemission of elect­rons/V. Galiy, O.Ya. Mel’nyk, O.V. Tsvetkova // Journal of Luminescence. ― 2005. ― vol. 112, № 1/4. ― P. 105―108.
32. Galiy P. X-Ray Photoelectron Spectroscopy of the Interface Phase on the Cleavage Surfaces of the Layered Semiconductor In₄Se₃ Crystals/ P.Galiy, A. Musyanovych // Functional materials. ― ― vol. 12, № 3. ― P. 467―475.
33. Галій П.В. Екзоелектронна емісійна спектроскопія приповерхневого шару монокристалічного кремнію / П.В. Галій, Т.М. Ненчук, Л.І. Ярицька // Фізика і хімія тверд. тіла. ― 2005. ― т. 6, № 4. ― С. 570―575.
34. Галій П.В. Кількісна спектроскопія електронно-стимульованих процесів на поверхні широкозонних діелектричних матеріалів // П.В. Галій, О.П. Поплавський, С.І. Вашкевич, С.Ю. Кривенко // Укр. фіз. журн. ― 2006. ― т. 51, № 6. ― C. 581―587.
35. GaliyP.V. The Interface Microscopy and Spectroscopy on the Cleavage Surfaces of the In₄Se₃ Pure and Cop­per Intercalated Layered Crystals/ P.V. Galiy, A.V. Musyanovych, Ya.M. Fiyala // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. ― ― vol. 35, № 2. ― P. 88―92.
36. Losovyj B. The electronic structure of surface chains in the layered semiconductor In₄Se₃(100) / Ya.B.  Losovyj, M. Klinke, E. Cai, I. Rodriges, J. Zhang, L. Makinistian, A.G. Petukhov E.A. Albanesi, P. Galiy, Ya. Fi­yala, J. Liu, P.A. Dowben // Applied Physics Letters. ― 2008. ― vol. 92, № 12. ― P.122107-1―122107-3.
37. GaliyP.V. Structural and energy changes at the cleavage surfaces of In₄Se₃ layered crystals under interface formation/ P.V. Galiy, T.M. Nenchuk,B. Losovyj, Ya.М. Fiyala // Functional materials. ― 2008. ― vol. 15, № 1. ― P. 68―73.
38. Liu The bulk band structure and inner potential of layered In₄Se₃ / J. Liu, Ya.В. Losovyj, T. Komesu P.A  Dowben, L. Makinistian, M. Klinke, E.A. Albanesi, A.G. Petukhov, P. Galiy, Ya. Fiyala // Applied Surface Sci­ence. ― 2008. ― vol. 254, № 14. ― P. 4322―4325.
39. Losovyj B. The Anisotropic Band Structure of Layered In₄Se₃(001) / Ya.В. Losovyj, L. Makinistian, E. Albanesi, A.G.  Petukhov, J. Liu, P.V. Galiy, O.R. Dveriy, P.A Dowben // Journal of Applied Physics. ― 2008. ― vol. 104, № 8. ― P. 083713-1―083713-7.
40. Galiy P.V. Atomic force microscopy study of the cleavage surfaces of In₄Se₃ layered semiconductor crystal / V. Galiy, T.M. Nenchuk, O.R. Dveriy, A. Ciszewski, P. Mazur, S. Zuber // Physica E: Low-dimensional Sys­tems and Nanostruct. ― 2009. ― vol. 41, № 3. ― P. 465―469.
41. Мельник О.Я.Транспорт до поверхні та вихід у вакуум низькоенергетичних екзоелектронів CsBr /  О.Я. Мельник, П.В. Галій // Фізика і хімія твердого тіла. ― 2009. ― т. 10, № 1. ― С. 74―80.
42. Galiy P.V. Investigation of (100) In₄Se₃ crystal surface nanorelief / P.V. Galiy, A. Ciszewski, O.R. Dveriy, Ya.B. Lozovyj, P. Mazur, T.M. Nenchuk, S. Zuber, Ya.M. Fiyala // Functional materials. ― 2009. ― vol. 16, N 3. ― P. 279-285.
43. ГалійП.В. Нановимірні дослідження поверхні (100) шаруватого кристалу In₄Se₃ / П.В. Галій, Т.М. Не­нчук, О.Р. Дверій, О.П. Поплавський, Я.М. Фіяла // Фіз. і хімія твердого тіла. ― 2009. ― т. 10,  № 4. ― С. 813-818.
44. Fukutani Keisuke.Ordered-Disordered Transition for Corrugated Au Layers / Keisuke Fukutani, N. Lozova, S.M. Zuber, P.A.  Dowben, P. Galiy, Yaroslav B. Losovyj. // Applied Surface Science. ― 2010, ― V. 256, Issue 15. ― P. 4796-4800.
45. MakinistianP. Ab initio calculations and ellipsometry measurements of the optical properties of the layered se­miconductor In₄Se₃ / P. Makinistian, E.A. Albanesi, N.V. Gonzales Lemus, A.G. Petukhov, D. Schmidt, E. Schubert, Ya.B. Losovyj, P. Galiy, P. Dowben. // Physical Review B. ― 2010. ― Vol. 81,  N 7. P. 075217-1 ― 075217-8.
46. Galiy P.V.The Anisotropy of Electron Spectra the Cleavage Surface (100) Layered In₄Se₃ Crystals/ V. Galiy, T.M. Nenchuk, O.R. Dveriy, Ya.B. Losovyj // Chemistry of Metals and Alloys. – 2011. – v.4, № 1/2. – P. 63-66.
47. Галій П.В. Растрова електронна та атомно-силова мікроскопія радіолізу поверхонь плівок CsI при високоінтенсивному електронному опроміненні / П.В. Галій, Т.М. Ненчук, О.П Поплавський, О.Я. Тузяк // Фізика і хімія твердого тіла. – 2012. – Т. 13, №3. – с. 827–835.
48. Galiy P.V. Indium induced nanostructures on In₄Se₃(100) surface studied by scanning tunnelling microsco­py / VGaliy , T.M.Nenchuk, A. Ciszewski., P. Mazur, S. Zuber, Ya.M. Buzhuk. // Functional materials – 2013.  – vol. 20, № 1. – р. 37-43.
49. Галій П.В. Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsI / П.В.Галій, Т.М.  Ненчук., О.Я. Тузяк, І.Р. Яровець //Хімія, фізика та технологія поверхні. – 2013, – Т. 4, №2. – с. 132-150.
50. Галій П.В. Динаміка зміни стехіометрії поверхні кристалів CsI під впливом концентрованих потоків енергії: роль теплових та електронних збуджень / П.В.Галій, О.Я. Тузяк, О.В. Цветкова, І.Р. Яровець //  Фізика і хімія твердого тіла. – 2013. – Т. 13, №3. – с. 827–835.
51. 51. Galiy P.V. Low-energy-electron-difraction structural stadies of (100) cleavage surfaces of In₄Se₃ lay­ered crystals/ V. Galiy, Ya.B.Losovyj, T.M. Nenchuk, I.R.. Yarovets // Ukr. Jour. Physics, 2014, т.59, N 6,. – P. 613-622.
52. Галій П.В. Дослідження топографії та атомної структури поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In₄Se₃/ П.В. Галій, Т.М Ненчук ., I.R.. Yarovets // Журнал нано- та електронної фізики. – 2014.  –  т. 6,  № 2. – с. 02029-1-02029-7.
53. Галій П.В. Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In₄Se₃// Хімія, фізика та технологія поверхні. – 2014. – т. 5, №3. – с. 245-255.
54. Fukutani Keisuke Photoemission Study of Quasi-One-Dimensional Semiconductor In₄Se₃ High-Resolution Angle-Resolved / Fukutani Keisuke, Miyata Yasunari, Matsuzaki Idea, P.V.Galiy, Peter A. Dowben, Sato Taka­fumi, Takahashi Takashi // Journ. of the Physical Society of Japan. – 2015. – Vol. 84, – 074710-1 –  074710-6.
55. GaliyP. Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Low Energy Electron Diffraction Investi­gations of GaTe Layered Crystal Cleavage Surface / P. Galiy, T. Nenchuk, A. Ciszewski, P. Mazur, S. Zuber, I. Yarovets // Металлофизика и новейшие технологии – 2015. – т. 37,  № 6. – с. 789-801.
56. KFukutani. Tunable Two-Dimensional Electron Gas at the Surface of Thermoelectric Material In₄Se₃ / Fuku­tani K., Sato T., Galiy P.V., Sugawara K. and Takahashi T. // Physical Review B. – 2016. – Vol. 93, N 20. –  P. 205156-1-205156-6.
57. Галій П.В. Дослідження мікро- та наноструктури міжшарових поверхонь сколювання шаруватих крис­талів InSe, інтеркальованих нікелем/ П.В. Галій, П. Мазур, А. Ціжевський, І.Р. Яровець, Т.М. Ненчук, Франк Сімон, Я.М. Бужук, В.Л. Фоменко // Журнал нано- та електронної фізики. – 2016. – т. 8, № 1. – С. 01012-1―01012-11.
58. Galiy P.V. Ni_xInSe (0001) Metal–Semiconductor Hetero Nano System study /P.V. Galiy, T.M. Nenchuk, A. Ciszewski, P. Mazur, I.R. Yarovets’ and O.R. Dveriy // Metallofizika i Noveishie Tekhnologii. – 2017. – Vol. 39, № 7. – P. 995–1004.
59. ГалійП.В. Особливості нікелевих наноструктур, сформованих на міжшарових поверхнях сколювання (0001) інтеркалатів Ni_хInSe / П.В. Галій, І.Р. Яровець, Т.М. Ненчук, П. Мазур, А. Ціжевський, О.Р. Две­рій // Хімія, фізика та технологія поверхні. – 2018, т. 9, №1. ― С. 46-63
60. ГалійП.В. Топографія та густина поверхневих електронних станів ювенільних та дефектних нано­структурованих поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In₄Se₃ / П.В. Галій, П. Мазур, А. Ціжев­ський, Т.М. Ненчук, І.Р. Яровець, Я.M. Бужук, О.Р. Дверій // Журнал нано- та електронної фізики. – 2018. – т. 10, № 4. – С. 04002-1 – 04002-12.
61. Galiy Р.V. Study of Self-assembled 2D Ag Nanostructures Intercalated into In₄Se₃ layered semiconducture crystals / P.V. Galiy, T.M. Nenchuk, R. Dveriy, A. Ciszewski, P. Mazur, I.O. Poplavskyy // Proceeding of the 2018 IEEE 8-th Intern. Conf. on “Nanomaterials: Applcations & Properties (NAP-2018)”, September 9-14, 2018, Odesa-Zatoka, Ukraine. – P. 02CBM02-1–02CBM02-5.
62. https://doi.org/10.1080/15421406.2023.2231241  Indium deposited nanosystems formation on 2D layered chalcogenide crystals’ surfaces PV Galiy, TM Nenchuk, A Ciszewski, P Mazur… – Molecular Crystals and Liquid Crystals, 2023
63. Solid state dewetting application for in/(0001) Sb2Te3 nanosystem formation PV Galiy, TM Nenchuk, A Ciszewski, P Mazur… – Molecular Crystals and Liquid Crystals, 2023
64. Фізико-математичні науки TR Makar, VI Dziuba, TM Nenchuk, PV Galiy, MI Losyk – Оргкомітет: Патряк Олександра Тарасівна, кандидат …, 2023
65. Power and polarization-dependent photoresponse of quasi-one-dimensional In4Se3 A Dhingra, SJ Gilbert, JS Chen, PV Galiy, TM Nenchuk… – MRS Advances, 2022
66. Solid state dewetting application for In/(0001) Sb2Te3 2D layered semiconductor nanosystem formation PV Galiy, TM Nenchuk, A Ciszewski, P Mazur… – Materials Today: Proceedings, 2022
67. Anisotropic Properties of Quasi‐1D In4Se3: Mechanical Exfoliation, Electronic Transport, and Polarization‐Dependent Photoresponse NS Vorobeva, A Lipatov, A Torres, J Dai, J Abourahma… – Advanced Functional Materials, 2021
68. Indium segregation to the selvedge of In4Se3 (001)(vol 593, 412208, 2020) A Dhingra, ZG Marzouk, E Mishra, PV Galiy… – PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2021
69. InTe surface application as template for indium deposited nanosystem formation PV Galiy, TM Nenchuk, A Ciszewski, P Mazur… – Molecular Crystals and Liquid Crystals, 2021
70. Corrigendum: Surface termination and Schottky-barrier formation of In 4 Se 3 (001)[Semiconductor Science and Technology (2020) 35 (065009 A Dhingra, PV Galiy, L Wang, NS Vorobeva, A Lipatov… – 2021
71. Solid-state Dewetting Formation of In/InTe Nanosystem PV Galiy, TM Nenchuk, A Ciszewski, P Mazur… – 2021
72. Indium segregation to the selvedge of In4Se3 (001) A Dhingra, ZG Marzouk, E Mishra, PV Galiy… – Physica B: Condensed Matter, 2020

Born on January 2, 1953 in Yosypovychi village, Stryi district, Lviv region. Radiophysicist, Candidate of Physical and Mathematical Sciences (Emission properties of single crystals and thin layers of cesium halide compounds, 1986), Senior Researcher (2000), Associate Professor (2002), Doctor of Physical and Mathematical Sciences (Electronic properties and micro- and nanostructure of surfaces of cesium halides and indium selenides, 2010), Professor (2014).

Graduated from the Faculty of Physics of Lviv University (1975), specialty – radiophysics and electronics, qualification – radiophysicist;

In 1975-79 engineer, 1979-84 senior engineer;

1984-88 Junior Research Fellow at the Department of Semiconductor Physics;

1988-96 senior researcher;

1996-97 associate professor-researcher;

1997-98 Leading researcher. RESEARCHER;

1998-2012 Associate Professor and since 2012 – Professor of the Department of Physics of Semiconductors;

Since May 2016 – Professor of the Department of Sensor and Semiconductor Electronics, Ivan Franko National University of Lviv, Faculty of Electronics and Computer Technologies.

Academic titles:

Certificate of Senior Researcher, 2000

in the specialty “Solid State Physics”

Certificate of Associate Professor of the Department of Semiconductor Physics, 2002

Certificate of Professor of the Department of Semiconductor Physics, 2014

Grant from the International Renaissance Foundation (1993). Grant from the University of Nebraska-Lincoln (USA) (2018).
Participation in research projects.

Project leader of LU-PG1207 (2005-07-09), (2010-13, “The Anisotropy of Electron Energetic Structure and Electron Spectra of the Cleavage Surface Layered Semiconductor Crystals” USA, jointly with the Center for Advanced Microstructures and Devices (CAMD) of Louisiana State University (LSU) (USA).

Scientific adviser of the topic CH-59F “Preparation and study of nanosystems based on chalcogenide semiconductors with natural nanostructured matrices” Fundamental, state budget 2017-2019, state registration no: 0117U001229

Scientific adviser of the project SN-67 “Preparation and study of chalcogenide materials suitable for the development of magneto-electronic spintronics devices” Fundamental and applied, grant funds. Customer: Supervisory Board of the University of Nebraska-Lincoln (UNL) (USA) 2018-2019.

Supervisor of 4 defended PhD theses.
Author of more than 230 scientific and educational publications: 220 scientific papers, including more than 90 scientific articles in domestic and foreign professional, ranked journals; more than 130 abstracts at scientific conferences of various levels – domestic, international, etc;
Public work and scientific contacts and cooperation:

Member of the International Supervisory Committee of Symposia and Seminars on “Exoelectronic Emission and its Applications” (1996-2010), member of the Specialized Academic Council for the Defense of Candidate and Doctoral Dissertations (since 2011) and member of the Academic Council of the Faculty of Electronics and Computer Technologies.

Contacts and cooperation with scientists: Center for Advanced Microstructures and Devices (CAMD) of Louisiana State University (LSU) (USA), University of Nebraska-Lincoln (UNL), Indiana State University (ISU) (USA), scientists from universities and colleges in Japan with whom he has joint research and publications.

Multiple internships at the Wroclaw University of the Republic of Poland (Poland) at the Institute of Experimental Physics, Department of Surface Microstructure. Joint research and publications in the framework of scientific cooperation.

2 textbooks:

Galiy P.V. Basic services and systems and technologies of access to the Internet. Study guide.- Lviv: Liga-Press. 2013.-472 c.

Functional microelectronics. Study guide [O.Y. Babych, P.V. Galiy, P.P. Parandiy] – Lviv: Liga-Press. 2014.-174 c.;

8 methodical developments for laboratory workshops on the following courses:

“Physical basis of integrated electronics” and “Semiconductor materials science” (1);

“Electronic Transfer Processes in Semiconductors (2);

“Internet basics (2); Electricity and magnetism (3)

Page with teachers schedule not found!