Liubomyr Monastyrskyi

Position: Professor, Radioelectronic and Computer Systems Department

Scientific degree: Doctor of Physical and Mathematical Sciences

Academic status: Professor

Phone (office): (032) 2394564

Email: lyubomur.monastyrskyy@lnu.edu.ua

Google Scholar profile: scholar.google.com.ua

Research interests

Kinetic phenomena and electronic processes in spatially inhomogeneous and low-dimensional semiconductor structures, computer modeling in electronic materials science, design of “intelligent object” systems.

Courses

Publications

  • Оленич І.Б. Вологочутливі структури на основі поруватого кремнію / І.Б. Оленич, Л.С. Монастирський, О.І. Аксіментьєва, Б.С. Соколовський // УФЖ. – 2011. – Т. 56, № 11. – С. 1199–1203. http://archive.ujp.bitp.kiev.ua/files/journals/56/11/561106pu.pdf
  • Olenych I.B. Electrochromic effect in photoluminescent porous silicon–polyaniline hybrid structures / I.B. Olenych, O.I. Aksimentyeva, L.S. Monastyrskii, M.R. Pavlyk // Journal of Applied Spectroscopy. – 2012. – V. 79, No. 3. – P. 495–498. http://doi.org/10.1007/s10812-012-9629-8
  • Оленич І.Б. Фотодетектори на основі поруватого кремнію / І.Б. Оленич, Л.С. Монастирський, Б.С. Соколовський // Журнал нано- та електронної фізики. – 2012. – Т. 4, № 3. – 03025-1–0325-5. https://jnep.sumdu.edu.ua/download/numbers/2012/3/articles/jnep_2012_V4_03025.pdf
  • Olenych I.B. Effect of Bromine Adsorption on the Charge Transport in Porous Silicon – Silicon Structures / I.B. Olenych, L.S. Monastyrskii, O.I. Aksimentyeva, B.S. Sokolovskii // Electronic Materials Letter. – 2013. – V. 9, No. 3. – P. 257–260. http://doi.org/10.1007/s13391-012-2126-7
  • Monastyrskii L.S. Photosensitive Structures of Conjugated Polymer – Porous Silicon / L.S. Monastyrskii, O.I. Aksimentyeva, I.B. Olenych, B.S. Sokolovskii // Mol. Cryst. & Lig. Cryst. – 2014. – V. 589. – Р. 124–131. https://doi.org/10.1080/15421406.2013.872400
  • Olenych I.B. Sensory properties of hybrid composites based on poly(3,4-ethylenedioxythiophene) – porous silicon – carbon nanotubes / I.B. Olenych, O.I. Aksimentyeva, L.S. Monastyrskii, Yu.Yu. Horbenko, L.I. Yarytska // Nanoscale Research Letters. – 2015. – V. 10. – P. 187-1–187-6. https://nanoscalereslett.springeropen.com/articles/10.1186/s11671-015-0896-1
  • Olenych I. Preparation and Properties of Nanocomposites of Silicon Oxide in Porous Silicon / I. Olenych, B. Tsizh, L. Monastyrskii, O. Aksimentyeva, B. Sokolovskii // Solid State Phenomena. – 2015. – V. 230. – Р. 127-132. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.230.127
  • Aksimentyeva O.I. Luminescence in porous silicon – poly(paraphenylene) hybrid nanostructures / O.I. Aksimentyeva, B.R. Tsizh, L.S. Monastyrskii, I.B. Olenych, M.R. Pavlyk // Physics Procedia. – 2015. – V. 76. – P. 31–36. https://doi.org/10.1016/j.phpro.2015.10.006
  • Оленич І.Б. Вплив радіаційного опромінення на властивості наноструктур поруватого кремнію / І.Б. Оленич, Л.С. Монастирський, О.С. Дзендзелюк // Журнал нано- та електронної фізики. – 2015. – Т. 7, № 4. – С. 04063-1–04063-4. https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/44481
  • I.B. Olenvch, O.I. Aksimentveva, L.S. Monastvrskii, Yu.Yu. Horbenko, M.V. Partyka, A.P. Luchechko, L.I. Yarytska. Effect of Graphene Oxide on the Properties of Porous Silicon // Nanoscale Research Letters. – 2016. – V. 11. – 43. https://nanoscalereslett.springeropen.com/articles/10.1186/s11671-016-1264-5
  • Olenych I.B. Influence of passivating SiOx films on porous silicon photoluminescence / I.B. Olenych, L.S. Monastyrskii, B.P. Koman, A.P. Luchechko // Journal of Applied Spectroscopy. – 2016. – V. 83, No. 1. – P. 111–114. https://doi.org/10.1007/s10812-016-0251-z
  • I.B. Olenvch, O.I. Aksimentveva, L.S. Monastvrskii, O.S. Dzendzeliuk. Effect of radiation on the electrical and luminescent properties of conjugated polymer – porous silicon composite // Mol. Cryst. & Lig. Cryst. – 2016. – Vol. 640. – P. 165-172. https://doi.org/10.1080/15421406.2016.1257328
  • I.B. Olenych, O.I. Aksimentyeva, L.S. Monastyrskii, Yu.Yu. Horbenko, M.V. Partyka. Electrical and Photoelectrical Properties of Reduced Graphene Oxide – Porous Silicon Nanostructures // Nanoscale Research Letters. – 2017. – Vol. 12. – 272. https://nanoscalereslett.springeropen.com/articles/10.1186/s11671-017-2043-7
  • Olenych I.B. Photoluminescence of porous silicon–zinc oxide hybrid structures / I.B. Olenych, L.S. Monastyrskii, A.P. Luchechko // Journal of Applied Spectroscopy. – 2017. – V. 84, No. 1. – P. 66–70. https://doi.org/10.1007/s10812-017-0428-0
  • Оленич I.Б. Електричні властивості оксидокремнієвих гетероструктур на основі поруватого кремнію / I.Б. Оленич, Л.С. Монастирський, Б.П. Коман // УФЖ. – 2017. – Т. 62, № 2. – С. 166–171. https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018718/856
  • B. Olenych, L. S. Monastyrskii. Electrical and sensory properties of zinc oxide – porous silicon nanosystems // Molecular Crystals and Liquid Crystals. – 2018. – Vol. 671. – P. 97-103. https://doi.org/10.1080/15421406.2018.1542092
  • I.B. Olenych, L.S. Monastyrskii, O.I. Aksimentyeva, L. Orovcík, M.Y. Salamakha. Charge Transport in Porous Silicon/Graphene-Based Nanostructures // Molecular Crystals and Liquid Crystals. – 2018. – Vol. 673.P. 32-38. https://doi.org/10.1080/15421406.2019.1578491
  • I.B. Olenych, L.S. Monastyrskii, Ya.V. Boyko, A.P. Luchechko, A.M. Kostruba. Photoluminescent properties of nc-Si–SiOx nanosystems // Applied Nanoscience. – 2019. – Vol. 9, No 5. – P. 781 – 786.  https://doi.org/10.1007/s13204-018-0701-4
  • I.B. Olenych, L.S. Monastyrskii, A.P. Luchechko, A.M. Kostruba, Y.I. Eliyashevskyy. Photoluminescence polarization and refractive index anisotropy of porous silicon nanocrystals arrays // Applied Nanoscience. – 2020. – Vol. 10. – P. 2519–2525. https://doi.org/10.1007/s13204-019-01085-3
  • Monastyrskii L.S., Olenych I.B., Sokolovskii B.S. Simulation of field effect in porous silicon nanostructures // Applied Nanoscience. – 2020. Vol. 10. – P. 4645–4650. https://doi.org/10.1007/s13204-020-01321-1
  • Olenych I.B., Monastyrskii L.S., Aksimentyeva O.I., Girnyk I.S., Eliyashevskyy Yu.I., Rudko M.S. Low-temperature study of electrical properties of porous silicon/graphene-based nanostructures // Molecular Crystals and Liquid Crystals. – 2020. – Vol. 700. – P. 88-94. https://doi.org/10.1080/15421406.2020.173255
  • Оленич І.Б., Монастирський Л.С., Морозов Л.М., Соколовський Б.С., Аксіментьєва О.І. Спосіб отримання фотовольтаїчних кремнієвих структур. Патент на винахід № 105248 від 25.04.2014. Бюл. № 8. https://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=199448
  • Монастирський Л.С., Аксіментьєва О.І., Оленич І.Б. Спосіб отримання фотовольтаїчних сенсорних структур на основі поруватого кремнію. Патент на корисну модель № 100132 від 10.07.2015. Бюл. № 13. https://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=214087
  • Оленич І.Б., Монастирський Л.С., Морозов Л.М., Аксіментьєва О.І., Горбенко Ю.Ю. Патент України на винахід № 111447. Спосіб отримання плівкового газового сенсора. 25.04.2016. Бюл. №8. http://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=222441
  • Оленич І.Б., Аксіментьєва О.І., Монастирський Л.С., Горбенко Ю.Ю. Патент України на корисну модель №107110. Спосіб отримання газового сенсора на основі композитного матеріалу. 25.05.2016. Бюл. №10. http://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=223666
  • Оленич І.Б., Аксіментьєва О.І., Монастирський Л.С. Патент України на корисну модель №109647. Спосіб отримання фоточутливих структур на основі поруватого кремнію. 25.08.2016 р. Бюл. №16. http://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=226907
  • Оленич І.Б., Аксіментьєва О.І., Монастирський Л.С. Патент України на корисну модель № 127257 Спосіб отримання електрохромної структури на основі поруватого кремнію. 25.07.2018 р. Бюл. № 14. http://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=249550
  • Монастирський Л.С., Соколовський Б.С., Сінькевич О.О., Оленич І.Б. Патент України на корисну модель № 140565. Спосіб визначення теплофізичних характеристик архітектурних споруд. 10.03.2020 р. Бюл. № 5. https://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=266436

Biography

Monastyrskyi Liubomyr Stepanovych (09.04.1952, Yabluniv village, Kolomyia district, Ivano-Frankivsk region) – radiophysicist, Candidate of Physical and Mathematical Sciences (Epitaxial varizon structures based on ternary solid solutions of mercury, cadmium and zinc chalcogenides, 1986), Associate Professor (1990), Doctor of Physical and (Kinetic phenomena and electronic processes in spatially inhomogeneous and low-dimensional semiconductor structures with developed surface, 2011), professor (2012).Graduated from the Faculty of Physics of Lviv University (1973). From 1973-96 engineer, senior engineer, associate engineer, senior researcher, and associate professor of research, from 1997-2012 associate professor of the Department of Radioelectronic Materials Science, 1999-2002 deputy dean for research and educational work of the Faculty of Physics, Lviv University, since 2012 professor of the Department of Radioelectronic Materials Science, Faculty of Electronics. Lviv University, since 2013 – Head of the Department of Radioelectronic and Computer Systems, Faculty of Electronics. Lviv University. Research interests: computer science, smart solutions, smart home, information security. About 400 works, 4 patents. Member of the editorial board of the Lviv Polytechnic National University Bulletin. Ser. of “Computer Science”. Scientific supervisor of state budget topics (since 1996). Scientific supervisor of 4 postgraduate students, and consultant of doctoral dissertations.

Schedule

Page with teachers schedule not found!