Methods for increasing the intensity of dislocation luminescence in p-type silicon crystals.

Improvement of the efficiency of p-type silicon radiating structures and photoluminescents by plasmon resonance methods in metal nanoparticles.

• Testing and characterization of systems (153 Micro-nanosystem technology)
• Physical bases of sensors (153 Micro- and nanosystem technology)
• Programming (153 Micro and nanosystem technology)
• Solid State Electronics (153 Micro and Nanosystems Technology)
• Theory of electrical and electronic circuits (153 Micro- and nanosystem technology)

• 1. Р.І. Дідик, Й.А. Шикоряк, М.О. Кушлик Візуалізація результатів взаємодії точкових дефектів з поверхнею кристалів p-Si // Фізика і хімія твердого тіла – 2010. – Т.11, №3. – С.675-679.
• 2. Б. Павлик, М. Кушлик, Р. Дідик та ін. Електрофізичні характеристики приповерхневих шарів кристалів Si p-типу з напиленими плівками Al, підданих пружній деформації// Електроніка та інформаційні технології. – 2011. – вип.2. – С.57-64.
• 3. Б. Павлик, М. Кушлик, Р. Дідик та ін. Дослідження приповерхневих шарів кристалів p-Si, з напиленими плівками металів, підданих пружній деформації // Український фізичний журнал. – 2013р. – том.58. – №3. – С. 215-221
• 4. Б.В. Павлик, М.О. Кушлик, Д.П. Слободзян Про природу центрів електролюмінесценції в пластично деформованих кристалах кремнію p-типу // Журнал нано- та електронної фізики. – 2015. – Т.7. – №3. – 03043-1-03041-5
• 5. Д.П. Слободзян, Б.В. Павлик, М.О. Кушлик Особливості впливу X-випромінювання та магнітного поля на електрофізичні характеристики бар’єрних структур на основі дислокаційного p-Si, призначеного для сонячної енергетики // Журнал нано- та електронної фізики. – 2015. – Т.7. – №4. – 04051-1 – 04051-5
• 6. B. Pavlyk, M. Kushlyk, D. Slobodzyan Origin of dislocation luminescence centers and their reorganization in p-type silicon crystal subjected to plastic deformation and high temperature annealing // Nanoscale Research Letters. – 2017. – V.12. – p.358
• 7. Б. В. Павлик, М. О. Кушлик, Д. П. Слободзян, Р. М. Лис Перебудова дефектної структури та центрiв дислокацiйної люмiнесценцiї у приповерхневих шарах p-Si // Журнал Фізичних Досліджень. – 2017. – Т.21, № 1/2. – С. 1601-1608
• 8. D. P. Slobodzyan, M. O. Kushlyk, B. V. Pavlyk Electroluminescence energy efficiency of Si-structures with different compound of nanoscale dislocation complexes // Applied Nanoscience. – 2018
• 9. B. Pavlyk, M. Kushlyk, D. Slobodzyan, I. Matviishyn, R. Lys, M.Jałbrzykowski Radiation-stimulated changes in the characteristics of surface-barrier Al–Si–Bi structures with different concentrations of dislocations at the crystal surface // Acta mechanica et automatica. – 2018. – V.12, No.1. – pp.72-77
• https://doi.org/10.1007/s13204-022-02717-x
• https://doi.org/10.1007/s13204-023-02911-5
• https://doi.org/10.1007/s13204-023-02880-9
• https://doi.org/10.3390/ma15124052
• https://www.researchgate.net/
• https://d-nb.info/128049476X/34
• https://doi.org/10.1007/s13204-020-01624-3
• https://doi.org/10.1007/s13204-020-01300-6
• https://physics.lnu.edu.ua/jps/2020/3/pdf/3702-5.pdf
• https://doi.org/10.1007/s13204-019-00964-z

Researcher, Doctor of Philosophy, Physico-Mathematical Sciences,
Specialty: Physics of Semiconductors and Dielectrics
Department of Sensor and Semiconductors Electronics

Education:

2011 – Master of Electronics, emphasis in Physical and Biomedical Electronics (Diploma with Honor) Ivan Franko National University of Lviv, Ukraine
2016 – Ph. D. in Physico-Mathematical Sciences, Specialty: Physics of Semiconductors and Dielectrics Ivan Franko National University of Lviv, Ukraine (Supervisor: Dr. Bohdan Pavlyk)

Winner of the regional award for young scientists and specialists of the Lviv Regional Council and Lviv Regional State Administration

Page with teachers schedule not found!