Semiconductor electronics (153 Micro and nanosystem technology)

Type: Normative

Department: department of sensory and semiconductor electronics

Curriculum

SemesterCreditsReporting
66Exam

Lectures

SemesterAmount of hoursLecturerGroup(s)
648Professor Galiy P. V.

Laboratory works

SemesterAmount of hoursGroupTeacher(s)
648Professor Galiy P. V.
Associate Professor Slobodzyan D. P.

Опис навчальної дисципліни

Назва  дисципліни: Напівпровідникова електроніка (нормативна)____  _______________ Семестр: VI (бакалаври)

 

Спеціальність (спеціалізація): 153-Мікро- та наносистемна техніка   Фізична та біомедична електроніка____________________________________________________

 

 загальна кількість годин 180 (кредитів ЄКТС – 5);

  аудиторні години – 96 (лекції – 48 , практичні – ___ , семінарські – ___,

  лабораторні – 48 )

 

Анотація навчальної дисципліни: Напівпровідникова електроніка є нормативною дисципліною циклу професійної та практичної підготовки студентів. Метою курсу є отримання студентами знань з елект­ронних процесів у напівпровідниках і присвячений розгляду процесів переносу носіїв заряду у напівпро­відниках та найпростіших напівпровідникових та комбінованих структурах. Вивчення впливу темпера­тури, легування, електричних та магнітних полів на явища переносу носіїв у напівпровідниках з метою їх застосування в якості сенсорів температурних полів та їх градієтів, магнітних та електричних полів, сенсорів газів та їх тиску. У курсі вивчаються особливості електронно-енергетичної структури та густини електронних станів, кінетики перенесення заряду у власних та домішкових (легованих) не вироджених і вироджених напівпровідниках і їх застосування. Курс призначений для студентів, які спеціалізуються в об­ласті напівпровідникової сенсорики та біомедичної електроніки, напівпровідникового матеріалознавства.

 

Результати навчання:

  • знати: що таке власний та домішковий (легований донорними та акцепторними домішками) напівпро­відник; знати їх зонно-енергетичну схему та які максимальні концентрації сторонніх неконтрольо­ваних домішок та дефектів допустимі у власному напівпровіднику?. Якими властивостями він володіє з точки зору температурних залежностей концентрації вільних носіїв заряду та питомої електропро­відності? Чи залежить ширина зони заборонених енергій та концентрація носіїв заряду у власному напівпровіднику від температури, якого типу вільні носії у ньому – n чи p? механізми протікання струму у напівпровідниках. Електропровідність напівпровідників: власну та домішкову,. Рухливість носіїв заряду. Температурна залежність рухливості. Як концентрація вільних носіїв заряду у зоні про­відності та валентній зоні залежить від ширини зони заборонених енергій Еg напівпровідників, наяв­ності донорних чи акцепторних домішок, і їх допустимі концентрації для досягнення не виродження та виродження. Що є основною, спонукаючою причиною легування напівпровідників? Що таке донорні та акцепторні домішки і чи змінюють вони тип і величину провідності? Як рухливість носіїв заряду залежить/не залежить від ефективної маси носіїв у зонах. Які основні механізми розсіяння у ковалент­них домішкових н/пр обмежують рухливість носіїв заряду? Рівні легування донорними/акцепторними домішками у см-3 при яких леговані напівпровідники залишаються не виродженими чи набувають температурно-концентраційного виродження та їх застоасування у н/пр приладах..
  • вміти: визначати параметри напівпровідників (концентрації вільних носіїв заряду і тип провідно­сті) та напівпровідикових структур (контактні різниці потенціалів, основні та неосновні носії заряду, ємності плоских (планарних) p-n переходів). Вимірювання питомого опору. Вимірювання ЕРС Холла. Визначення розподілу питомого опору, концентрації та рухливості носіїв заряду у дифузійних, епітак­сійних та іонно-легованих шарах. Визначення рухливості носіїв заряду методами струму Холла та геометричного магнітоопору. Визначення теплових та термоелектричних характеристик. Вимірювання параметрів нерівноважних носіїв заряду. Механізми виникнення ефектів Холла та Гауса. Холл-фактор. Холлівська рухливість. Вміти реалізувати та застосувати ефект Холла та магніторезистивний (ефект Гаусса) в напівпровідниках для виявлення та калібрування магнітних полів, реалізувати вплив форми зразка на величину магнетоопору. Практично застосувати ефекти Холла та Гауса та інш. у н/пр.

Форма звітності:_________________екзамен__________________

                                                                                                            (екзамен, залік)

Мова вивчення:        ____     українська