Опис навчальної дисципліни

Назва  дисципліни: Електронна спектроскопія та інженерія поверхні (нормативна)___  Семестр: перший (магістри)

Спеціальність (спеціалізація): 153 – Мікро- та наносистемна техніка

___Фізична та біомедична електроніка_________________________________________  

 загальна кількість годин – 180 (кредитів ЄКТС – _6_);

  аудиторні години – 64 (лекції – 32 , практичні – ___ , семінарські – ___,

  лабораторні – 32)

Анотація  навчальної  дисципліни: Метою курсу є ознайомити магістрів із сучасним арсеналом аналітич­них, експериментальних методів електронної спектроскопії для дослідження поверхні твердої фази як системи з пониженою розмірністю (2D). Їх можливостями та обмеженнями щодо застосування, засадничими принци­пами їх роботи та основними методами інженерії низьковимірних систем на поверхні. Електроніка мікро- та наноелектронних структур як і їх формування – це галузі що бурхливо розвиваються. Сучасний етап розвитку електроніки є таким, що основними об’єктами досліджень стають, значною мірою, не монокристали з їх три­вимірними (3D) електронними властивостям, а системи з пониженою вимірністю (2D, 1D, 0D), якими являю­ться як поверхні твердої фази, так й створені на них 1D, 0D об’єкти. У зв’язку з цим курс присвячений вивчен­ню методами електронної спектроскопії структурних та електронних особливостей поверхні та приповерх­невих шарів напівпровідників, які визначають широкий спектр їх електронних властивостей як і напівпро­відникових мікро- та наноелектронних пристроїв та систем.

Результати навчання:

.

• знати: апаратне забезпечення для реалізації методів електронної спектроскопії та інженерії повер­хні. Фізичні моделі поверхні напівпровідників: атомно чисті поверхні (АЧП); леговані (гетеровані) поверхні; реальні поверхні напівпровідників контактуючі з іншими фазами та їх основні структурні і електронно-енергетичні особливості. Методи одержання АЧП напівпровідників, способи збережен­ня, консервації і відновлення чистоти поверхні. Методи електронної спектроскопії дослідження ато­мної структури і кристалографії поверхонь; дослідження елементно-фазового складу та електронно-енергетичної структури поверхонь, до яких належать – ДПЕ, ОЕС, ХФЕС, УФЕС, УФЕСКР, СТМ/ СТС, і реалізації інженерії (СТМ, АСМ, МПЕ) низьковимірних систем (0D 1D 2D) з метою реалізації елементів і пристроїв наноелектроніки.

• вміти: обробляти та аналізувати результати електронної спектроскопії поверхні для встановлення її атомної структури та кристалографії, елементно-фазового складу та електронно-енергетичної структу­ри. Вміти проводити якісний й кількісний аналіз елементно-фазового складу поверхні матеріалів мік­ро- та наноелектроніки. Використання методу ОЕС у ланці планарних технологій виробництва інтегра­льних мікросхем та мікропроцесорів. Визначення відносних поверхневих концентрацій компонент го­могенних сполук за відносною інтенсивністю оже- та Х-піків елементів. Читати планарні зображення результатів СТМ та АСМ і реалізовувати ці методи, разом є МПЕ в інженерії наносистем 2D, 1D, 0D.

Форма  звітності:_____екзамен______________________________________

                                                                                                            ^{(екзамен, залік)}

Мова вивчення:        _українська___                        ___________