Теоретичні дослідження неоднорідних напівпровідників та приладів на їх основі, комп’ютерне моделювання в напівпровідниковій електроніці

• Метаевристичні алгоритми / Metaheuristic Algorithms (122 КН)
• Стохастичне моделювання / Stochastic Modeling (122 КН)
• Теорія автоматичного керування (ІСТ)
• Операційні системи (КН)
• Основи м'яких обчислень (122 Комп'ютерні науки)

1. Савицкий В. Г. Антистоксовское преобразование излучения варизонными полупроводниками при магнитоконцентрационном эффекте /В. Г. Савицкий, Б. С. Соколовский, В. И. Новак // ФТП. – 1993. –Т.27, №1.– C.95 -98.  http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/15207

2. Соколовский Б. С. Фотовольтаический эффект в тонких варизонных слоях / Б. С. Соколовский //ФТП. – 1996. –Т.30, №6. – C.1006-1010. http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/18444

4. Sokolovskii B.S. Multilayer structures based on doped graded-band-gap semiconductors: features of energy band diagram/ B. S. Sokolovskii // Phys. Stat. Solidi (a). – 1997. –V. 163, No.2. – P. 425 – 432. https://doi.org/10.1002/1521-396X(199710)163:2<425::AID-PSSA425>3.0.CO;2-Y

3. Sokolovskii B.S. Current-voltage characteristics of p-n structures with band gap inhomogeneity in base region / B. S. Sokolovskii // Phys. Stat. Solidi (a). – 2001. –V. 186, No.3. – P. 453-460. https://doi.org/10.1002/1521-396X(200108)186:3<453::AID-PSSA453>3.0.CO;2-H

5. Sokolovskii B.S. Negative differential resistance in a reverse-biased diode with inhomogeneous base / B.S. Sokolovskii // Technical Physics Letters. – 2002. –V.2 8. ­– P.1027–1029.  https://doi.org/10.1134/1.1535492

6. Sokolovskii B.S. Theoretical study of the photovoltaic effect in thin variable-gap semiconductor layers / B.S. Sokolovskii, V. K. Pysarevskii, O. V. Nemolovskii, Z. Swiatek // Thin Solid Films. – 2003.– V. 431-432. – P. 457-460. https://doi.org/10.1016/S0040-6090(03)00169-X

7. Sokolovskii B.S. Electroluminescence of graded-gap structures with blocking and ohmic contacts / B. S. Sokolovskii, V. I. Ivanov-Omskii, G. A. Il’chuk // Semiconductors.– 2002. – V. 39. – P.1361–1368.  https://doi.org/10.1134/1.2140304

8. Monastyrskii L.S. Modeling of photoconductivity of porous silicon // L. S. Monastyrskii, B. S. Sokolovskii, M. R. Pavlyk, P. P. Parandii // Advances in OptoElectronics . – 2011 . –V. 2011. –ID 896962. https://doi.org/10.1155/2011/896962

9. Monastyrskii L.S. Calculation of energy diagram of asymmetric graded-band-gap superlattices / L.S. Monastyrskii, B.S. Sokolovskii, M.P. Alekseichyk // Nanoscale Research Letters. – 2017. – V. 12: 203. https://nanoscalereslett.springeropen.com/track/pdf/10.1186/s11671-017-1981-4.pdf

10. Monastyrskii L. S. Modelling of the field effect in porous silicon / L.S. Monastyrskii, B.S. Sokolovskii, Y.V. Boyko, M. P. Alekseichyk //Applied Nanoscience. ­–2020. – V. 10. – P.2639–2643. https://doi.org/10.1134/1.2140304

Більш повний список на web-сторінці  https://orcid.org/0000-0002-2561-3255

Народився 9.03.1950р. в смт Куликів Жовківського р-ну  Львівської обл.  Фізик, канд. фіз.-мат. наук  (“Перенос носіїв заряду у варізонних структурах”, 1987), ст. наук. співроб. (1991). Закінчив фізичний факультет Львівського університету (1972), аспірантуру (1978). Працював на посадах  інж. (1972-1975),  ст. інж.  НДС (1978 -1986),  мол. наук. співроб. проблемної  НДЛ  росту та дослідження фізичних властивостей кристалів (1986-1987),   наук. співроб. СКТБ “Магнон” ( 1987-1989), с т. наук.співроб. (1989-1993), пров. наук. співроб.  Інституту прикладної фізики (1993- 2000),  пров. наук. співроб. НДЛ-14 фотоелектроніки кафедри фізики напівпровідників (2000-2014).  З 2014р.  доцент каф. радіоелектронних і комп’ютерних систем.  Наукові інтереси:  теоретичні дослідження неоднорідних напівпровідників та приладів на їх основі, комп’ютерне моделювання в напівпровідниковій електроніці. Автор (співавтор) близько 300 наукових публікацій.

1-й семестр
2-й семестр