Вплив Х-випромінювання та механічних навантажень на властивості кремнієвих діодних структур.

• Архітектура комп'ютерів і програмування (171 Електроніка та комп’ютерні системи)
• Елементарна база в мікроелектроніці (153 - Сенсорні та діагностичні електронні системи)
• Метрологія (153 Мікро- та наносистемна техніка)
• Мікроелектронні сенсорні пристрої / Microelectronic Sensor Devices (122 КН)
• Програмування (176 Мікро- та наносистемна техніка)
• Чисельні методи (176 - Сенсорні та діагностичні системи)
• Архітектура комп'ютерів (153 Мікро- та наносистемна техніка/Сенсорні та діагностичні електронні системи)
• Основи термометрії (153 Мікро- та наносистемна техніка)
• Теорія електромагнітного поля (153 Мікро- та наносистемна техніка)

1. Correlation between electrical conductivity and luminescence properties in β-Ga₂O₃:Cr³⁺ and β-Ga₂O₃:Cr, Mg single crystals / V. Vasyltsiv, A. Luchechko, Ya. Zhydachevskyy, L. Kostyk, R. Lys, D. Slobodzyan, R. Jakieła, B. Pavlyk, A. Suchocki // Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films. – 2021, Vol. 39, № 3. –P. 1 -7 (033201). https://doi.org/10.1116/6.0000859.
2. Mathematical model of mechanically stimulated changes of irradiated silicon crystals’ surface conductivity / R. Lys, B. Pavlyk, R. Didyk, J. Shykorjak, D. Slobodzyan, M. Kushlyk, W. Żyłka // Applied Nanoscience. – 2020. – Vol.10, No12. – P. 4767 – 4772. DOI 10.1007/s13204-020-01300-6.
3. Magnetically stimulated changes in the electrophysical properties of the near-surface silicon layer / B.V. Pavlyk, D.P. Slobodzyan, R.M. Lys, M.O. Kushlyk, R.I. Didyk, J.A. Shykorjak // Journal of Physical Studies. – 2020. – Vol.24, No3. – P. 3702(1) – 3702(5). DOI: https://doi.org/10.30970/jps.24.3702.
4. Lys, R., Pavlyk, B., Slobodzyan, D., Cebulski, J., & Kushlyk, M. (2019). The Role of a Thin Aluminum Film in the Reconstruction of Silicon’s Near-Surface Layers. Advances in Thin Films, Nanostructured Materials, and Coatings, 189–196. doi:10.1007/978-981-13-6133-3_19.
5. Radiation-stimulated changes in the characteristics of surface-barrier Al-Si-Bi structures with different concentrations of dislocations at the crystal surface / B. Pavlyk, M. Kushlyk, D. Slobodzyan, I. Matvijishyn, R. Lys, M. Jalbrzykowski // Acta mechanica et automatica. – 2018. – Vol.12, No1. – P. 72 – 77. DOI 10.2478/ama-2018-0012.
6. Effect of elastic deformation and the magnetic field on the electrical conductivity of p-Si crystals / R. Lys, B. Pavlyk, R. Didyk, J. Shykorjak, I. Karbovnyk //Applied Nanoscience. – 2018. DOI 10.1007/s13204-018-0707-y.
7. Thermally stimulated luminescence and thermally stimulated depolarization currents in MgGa₂O₄ spinels / O.P. Kravets, R.M. Lys, O.V. Tsvetkova, A.P. Luchechko, B.V. Pavlyk // Journal of Physical Studies. – 2018. – Vol. 22, No 1. – P. 1602-1 – 1602-7. Режим доступу.
8. Change in surface conductivity of elastically deformed  p-Si crystals irradiated by X-rays / R. Lys, B. Pavlyk, R. Didyk, J. Shykorjak // Nanoscale Research Letters. – 2017. – Vol. 12: 440. – Р.1 – 7. DOI: 10.1186/s11671-017-2210-x.
9. Restructuring of the defected structure and centers of dislocation luminescence in the p-Si surface layers / B.V. Pavlyk, М.О. Kushlyk, D.P. Slobodzyan, R.M. Lys // Journal of Physical Studies. – 2017. – Vol.21, No 1/2. – P. 1601-1 – 1601-8. Режим доступу.
10. Features of the uniaxial elastic deformation of X-ray-irradiated p-Si crystals / B.V. Pavlyk, R.M. Lys, R.I. Didyk, J.A. Shykoryak // Semiconductors. – 2015. – Vol. 49, No 5. – P. 638–643. Режим доступу.
11. The study of X-stimulated evolution of defects in p-Si crystals through capacitive-modulation spectroscopy   / B.V. Pavlyk, D.P. Slobodzyan, R.M. Lys, J.A. Shykoryak, R.I. Didyk // Journal of Physical Studies. – 2014. – Vol. 18, No 4. – P. 1(4702)–7(4702). Режим доступу.
12. Дослідження змін електропровідності опромінених Х-променями кристалів p-Si в процесі пружної деформації / Б.В. Павлик, Р.М. Лис, Р.І. Дідик, Й.А. Шикоряк // ФХТТ. – 2014. – Т.15, № 2. – С. 297–303. Режим доступу.
13. Особливості електрофізичних характеристик пружнодеформованих монокристалів p-Si / Б. Павлик, Р. Дідик, Р. Лис, Д. Слободзян, А. Грипа, Й. Шикоряк, М. Кушлик, І. Чегіль // Електроніка та інформаційні технології. – 2013. – Вип. 3. – С. 54–61. Режим доступу.
14. Совершенство поверхности кристаллов p-Si и радиационно-стимулированные изменения характеристик поверхностно-барьерных струткур Bi-Si-Al / Б.В. Павлык, Д.П. Слободзян, А.С. Грыпа, Р.М. Лыс, М.О. Кушлык, И.А. Шикоряк, Р.И. Дидык // Физика и техника полупроводников. – 2012. – Т. 46, Вып. 8. – С. 1017–1021. Режим доступу.
15. Радіаційно-стимульована перебудова дефектів у кристалах кремнію / Б.В. Павлик, Р.М. Лис, А.С. Грипа, Д.П. Слободзян, І.О. Хвищун, Й.А. Шикоряк, Р.І. Дідик // Укр. Фіз. журнал. – 2011. – Т. 56, № 1. – С. 64–68. Режим доступу.
16. Перебудова дефектів в поверхнево-бар’єрних структурах Bi-Si-Al стимульована дією радіації / Б.В. Павлик, А.С. Грипа, Д.П. Слободзян, Р.М. Лис, Р.І. Дідик, Й.А. Шикоряк // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології. – 2010. – Т. 1, № 7. – С. 37–41. Режим доступу.
17. Особливості електрофізичних характеристик поверхнево-бар’єрних структур на базі кристалів p-Si / Б.В. Павлик, А.С. Грипа, Р.М. Лис, Д.П. Слободзян, Р.І. Дідик, Й.А. Шикоряк // Фізика і хімія твердого тіла. – 2009. – Т. 10, № 4. – С. 935–938. Режим доступу.
18. Патент на корисну модель, 86829 Україна, МПК G01N3/08 (2006.01), H01L21/322 (2006.01). Пристрій для пластичної деформації напівпровідникових матеріалів / Б.В. Павлик, Р.І. Дідик, Й.А. Шикоряк, Р.М. Лис, А.С. Грипа, Д.П. Слободзян, М.О. Кушлик; заявник і власник ЛНУ ім. І. Франка. – № u201309259; заявл. 23.07.2013; опубл. 10.01.2014, Бюл. № 1/2014. Режим доступу.
19. Патент на корисну модель, 84570 Україна, МПК G01R 1/00. Зондовий пристрій для вимірювання електрофізичних характеристик напівпровідникових структур при різних температурах / Б.В. Павлик, Р.І. Дідик, Й.А. Шикоряк, Р.М. Лис, А.С. Грипа, Д.П. Слободзян, М.О. Кушлик; заявник та власник Львівський національний університет імені Івана Франка. – № u201305090; заявл. 19.04.2013; опубл.25.10.2013, Бюл. № 20/2013. Режим доступу.

Навчання:

– 1990-1999 рр. – ЗОШ І-ІІІ ступенів м. Зборів;

– 1999-2001 рр. – Тернопільський пед. ліцей (фіз.-мат. відділення) при ТНПУ ім. В. Гнатюка ;

– 2001-2006 рр. – ЛНУ ім. І.Франка, факультет електроніки;

– 2008-2012 рр. – заочна форма аспірантури ЛНУ ім. І. Франка;

– 2015 р. – захистив дисертацію (кандидат фіз.-мат. наук).

Робота:

– 2006-2007 рр. – вчитель фізики ЗОШ с. Млинівці;

– 2007-2008 рр. – інженер кафедри електроніки ЛНУ ім. І. Франка;

– 2008-2016 рр. – асистент кафедри електроніки ЛНУ ім. І. Франка;

– з 2016 р. – доцент кафедри сенсорної та напівпровідникової електроніки ЛНУ ім. І. Франка;

– з 2019 року – член методичної ради факультету;

– у 2019 році – член львівської системи дослідників.

1. Науковий керівник проекту МОН України СЕ-65 Нр «Модифікація сенсорних властивостей кремнієвих структур та РЗМ-вмісних матеріалів на основі оксидів і халькогенідів»

(№ держреєстрації 0117U007189), 2017-2020 рр.

2. Участь в проекті МОН України СЕ-42 Нр “Наноструктуровані та полікристалічні РЗМ-вмісні матеріали для сцинтиляторів, сенсорів та енергоощадних технологій”

(№ держреєстрації 0116U008069), 2016-2018 рр.

Премія Львівської обласної державної адміністрації і Львівської обласної ради для молодих учених і дослідників наукових установ та закладів вищої освіти (університетів, академій, інститутів) Львівської області (2018 р.).

1. Лис Р.М. Збірник задач з курсу «Фізичні основи твердотільної мікроелектроніки»: навч. посібник [для студ. вищ. навч. закл.] / Р.М. Лис, Б.В. Павлик. – Львів: ЛНУ імені Івана Франка, 2019. – 208 с. Режим доступу.

2. Лис Р.М. Квантові числа: методичні матеріали для студентів фізичних спеціальностей / Р.М. Лис. – Львів: Видавничий центр ЛНУ ім. І. Франка. –  2022. – 50 с.

3. Методичні рекомендації до лабораторного практикуму з курсу «Енергетична електроніка» / Л.В. Костик, Р.М. Лис, І.М. Матвіїшин, Д.П. Слободзян, Л.М. Шпак. – Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка. – 2017. – 59 с.

4. Методичні рекомендації до лабораторного практикуму з курсу «Прилади і методи відображення біомедичних сигналів та зображень» / Д.П. Слободзян, І.М. Матвіїшин, Я.О. Шпотюк, Л.В. Костик, А.П. Лучечко, Р.М. Лис. – Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка. – 2017. – 47 с.

5.   Методичні рекомендації до лабораторного практикуму з курсу «Вступ до спеціальності» / Р.М. Лис, Б.В. Павлик. – Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка. – 2016. – 34 с.

6.   Методичні рекомендації до лабораторного практикуму з курсу «Твердотільна електроніка» / Б.В. Павлик, Р.М. Лис, І.М. Матвіїшин, Л.М. Шпак, А.П. Лучечко, Д.П. Слободзян. – Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка. – 2016. – 36 с.

7.   Методичні рекомендації до лабораторного практикуму з курсу «Фізичні основи термометрії» / Б.В. Павлик, Р.М. Лис. – Львів: Видавничий центр ЛНУ імені Івана Франка. – 2012. – 46 с.

1-й семестр
2-й семестр