Дверій Остап Романович

Посада: асистент кафедри оптоелектроніки та інформаційних технологій

Електронна пошта: ostap.dverii@lnu.edu.ua

Профіль у Google Scholar: scholar.google.com.ua

Профіль у Scopus: www.scopus.com

Наукові інтереси

Напівпровідникові структури пониженої розмірності

Навчальні дисципліни

Публікації

  1. Indium Deposited Nanosystem Formation on InSe (0001) Surface Applied as Template / P.V. Galiy, T.M. Nenchuk, A. Ciszewski, P. Mazur, Ya.M. Buzhuk, Z.M. Lubun, O.R. Dveriy // Metallophysics and Advanced Technologies (Metallofizika i Noveishie Tekhnologii). – 2019. – Vol. 41, № 10. – P. 1395-1405. https://doi.org/10.15407/mfint.41.10.1395
  2. Structural Aspect of Formation of a Nanosystem of In/In4Se3 (100) / P.V. Galiy, P. Mazur, A. Ciszewski, T.M. Nenchuk, I.R. Yarovets’, O.R. Dveriy // Metallophysics and Advanced Technologies (Metallofizika i Noveishie Tekhnologii). – 2018. – Vol. 40, № 10. – P. 1349-1358. https://doi.org/10.15407/mfint.40.10.1349
  3. Topography and Surface Density of Electron States on Juvenile and Defect Nanostructured (100) Cleavage Surfaces of In4Se3 Layered Crystals / P.V. Galiy, P. Mazur, A. Ciszewski, T.M. Nenchuk, I.R. Yarovets, Ya.M. Buzhuk, O.R. Dveriy // Journal of nano- and electronic physics. – 2018. – V. 10, № 4. – P. 04002–1-04002–12. https://doi.org/10.21272/jnep.10(4).04002
  4. NixInSe (0001) Metal–Semiconductor Heteronanosystem Study / P.V. Galiy, T.M. Nenchuk, A. Ciszewski, P. Mazur, I.R. Yarovets’, O.R. Dveriy // Metallophysics and Advanced Technologies (Metallofizika i Noveishie Tekhnologii). – 2017. – V. 39, № 7. – P. 995-1004. https://doi.org/10.15407/mfint.39.07.0995
  5. Atomic force microscopy study of the cleavage surface of In4Se3 layered semiconductor crystal / P.V.Galiy, T.M.Nenchuk, A.Ciszewski, P.Mazur, S.Zuber // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. – 2009. – V. 41, № 3. – p. 465-469. https://doi.org/10.1016/j.physe.2008.09.011
  6. The Anisotropic Band Structure of Layered In4Se3 (001) / Ya.B.Losovyj, L.Makinistian, E.A.Albanesi, A.G.Petukhov, Jing Liu, P.Galiy, P.A.Dowben // Journal of Applied Physics. – 2008. – V. 104, № 8. – p. 083713-1–083713-7. https://doi.org/10.1063/1.3000453
  7. The peculiarities of nickel nanostructures formed on interlayer (0001) cleavage surfaces of NiхInSe intercalates / P.V. Galiy, I.R. Yarovets’, T.M. Nenchuk, P. Mazur, A. Ciszewski, O.R. Dveriy // Chemistry, physics and technology of surface. – 2018. – V. 9, № 1. – P. 46-63. https://doi.org/10.15407/hftp09.01.046
  8. Studies of the electrical, magnetic and structural properties of A3B6 type layered semiconductors intercalated by metals with regard to their military applications / B.O. Seredyuk, O.R. Dveriy, F.O. Ivashchyshyn // Scientific Bulletin of UNFU. – 2017. – V.27, № 10. – p. 117-121. https://doi.org/10.15421/40271022
  9. Features of nanosystems based on chalcogenide semiconductors with natural nanostructured matrices / P.V. Galiy, I.R. Yarovets, O.R. Dveriy // Herald of Vasyl Stefanyk Precarpathian National University. Series Chemistry. – 2017. No. 21. – P. 44-49. http://journals.pu.if.ua/index.php/chem
  10. Anisotropy of Electron Spectra the Cleavage Surface (100) Layered In4Se3 Crystals / Pavlo V. Galiy, Taras M. Nenchuk, Yaroslav B. Losovyj // Chemistry of Metals and Alloys. – 2011. – V. 4, № 1/2. – p. 63-66. http://www.chemetal-journal.org/ejournal8/CMA0154.pdf
  11. Scanning Tunneling Spectroscopy of In4Se3 Layered Semiconductor Crystals / P.V. Galiy, T.M. Nenchuk, O.R. Dveriy, A. Ciszewski, P. Mazur, S. Zuber, Ya.M. Buzhuk // Chemistry of Metals and Alloys. – 2011. – V. 4, № 1/2. – p. 1-5. http://www.chemetal-journal.org/ejournal8/CMA0135.pdf
  12. Nanodemensional Researches of Surface (100) Stratified the Crystal of In4Se3 / Galiy P.V., Nenchuk T.M., Dveriy O.R., Poplavskiy O.P., Fiyala Y.M. // Physics and Chemistry of Solid State. – 2009. – V. 10, № 4. – p. 813-818.
  13. Investigation of (100) In4Se3 crystal surface nanorelief / P.V.Galiy, A.Ciszewski, Ya.B.Losovyj, P.Mazur, T.M.Nenchuk, S.Zuber, Ya.M.Fiyala // Functional Materials. – 2009. – V. 16, № 3. – p. 279-285. http://functmaterials.org.ua/contents/16-3/fm163-11.pdf
  14. Nanoscale STM/STS/AFM studies of (100) In4Se3 crystal surfaces / P.V.Galiy, T.M.Nenchuk, A.Ciszewski, P.Mazur, S.Zuber // Visnyk of the Lviv Univiversity. Series Physics. – 2009. – № 43. – p. 28-35.

 

Біографія

Професійна діяльність понад 15 років, викладацька діяльність понад 10 років.

Освіта вища (2001–2006, Львівський національний університет імені Івана Франка, факультет електроніки)

Навчання в аспірантурі: 2007–2010, спеціальність 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків  (аспірант кафедри фізики напівпровідників Львівського національного університету імені Івана Франка)

Методичні матеріали

  1. Дверій О.Р. Основи електроніки та електричні вимірювання: Навчально-методичний посібник / О.Р.Дверій. – Львів: ВП «ЛФ КНУКіМ», 2021. – 180 с.
  2. Лоїк Г.Б. Основи напівпровідникової електроніки та комп’ютерної мікросхемотехніки: Навчально-методичний посібник / Г.Б.Лоїк, О.Р.Дверій, Х.І.Вінчур. – Львів: ВП «ЛФ КНУКіМ», 2019. – 164 с.
  3. Шабатура Ю.В. Фізичні теорії і поняття як теоретичні основи функціонування військової техніки: Навчальний посібник / Ю.В.Шабатура, Б.О.Середюк, О.І.Фіцич, О.Р.Дверій, Л.В.Корчак. – Львів: НАСВ, 2018. – 213 с.
  4. Шабатура Ю.В. Електроніка в системах озброєння та військової техніки: Навчально-методичний посібник / Ю.В.Шабатура, В.В.Атаманюк, О.Г.Крук, О.Р.Дверій. – Львів: НАСВ, 2017. – 199 с

Розклад