Соколовський Богдан Степанович

Посада: доцент кафедри радіоелектронних і комп’ютерних систем

Науковий ступінь: кандидат фізико-математичних наук

Вчене звання: ст. наук. співробітник

Телефон (робочий): (032) 239-41-52

Електронна пошта: bohdan.sokolovskyy@lnu.edu.ua

Профіль у Google Scholar: scholar.google.com.ua

Профіль у Academia.edu: orcid.org

Наукові інтереси

Теоретичні дослідження неоднорідних напівпровідників та приладів на їх основі, комп’ютерне моделювання в напівпровідниковій електроніці

Навчальні дисципліни

Вибрані публікації

1. Савицкий В. Г. Магнитоконцентpационный эффект в ваpизонных стpуктуpах/ В. Г. Савицкий, Б. С. Соколовский, М. И. Стодилка, В. И. Фурман //УФЖ. – 1978. – Т. 23, №5. – С. 792 – 798.

2. Савицкий В. Г. Антистоксовское преобразование излучения варизонными полупроводниками при магнитоконцентрационном эффекте /В. Г. Савицкий, Б. С. Соколовский, В. И. Новак // ФТП. – 1993. –Т.27, №1.– 95 -98.

3. Соколовский Б. С. Фотовольтаический эффект в тонких варизонных слоях / Б. С. Соколовский //ФТП. – 1996. –Т.30, №6. – 1006-1010.

4. Sokolovskii B.S. Multilayer structures based on doped graded-band-gap semiconductors: features of energy band diagram/ B. S. Sokolovskii // Phys. Stat. Solidi (a). – 1997. –V. 163, No.2. – P. 425 – 432.

5. Sokolovskii B.S. Current-voltage characteristics of p-n structures with band gap inhomogeneity in base region / B. S. Sokolovskii // Phys. Stat. Solidi (a). – 2001. –V. 186, No.3. – P. 453-460.

6. Соколовский Б. С. Отрицательное дифференциальное сопротивление обратноосмещенного полупроводникового диода с неоднородной базовой областью / Б. С. Соколовский //Письма в ЖТФ. – 2002. –Т.28, №24. – С. 20-24.

7. Sokolovskii B.S. Theoretical study of the photovoltaic effect in thin variable-gap semiconductor layers / B.S. Sokolovskii, V. K. Pysarevskii, O. V. Nemolovskii, Z. Swiatek // Thin Solid Films. – 2003.– V. 431-432. – P. 457-460.

8. Соколовский Б. С. Электролюминесценция варизонных структур с антизапорным и омическим контактами / Б. С. Соколовский, В. И. Иванов-Омский, Г. А. Ильчук // ФТП. – 2005. –Т. 39, №12. – С. 1409 – 1416.

9. Monastyrskii L.S. Modeling of photoconductivity of porous silicon // L. S. Monastyrskii, B. S. Sokolovskii, M. R. Pavlyk, P. P. Parandii // Advances in OptoElectronics . – 2011 . –V. 2011. –ID 896962.

10. Monastyrskii L.S. Calculation of energy diagram of asymmetric graded-band-gap superlattices / L.S. Monastyrskii, B.S. Sokolovskii, M.P. Alekseichyk // Nanoscale Research Letters. – 2017. – V. 12: 203.

Наукова біографія

Народився 9.03.1950р. в смт Куликів Жовківського р-ну  Львівської обл.  Фізик, канд. фіз.-мат. наук  (“Перенос носіїв заряду у варізонних структурах”, 1987), ст. наук. співроб. (1991). Закінчив фізичний факультет Львівського університету (1972), аспірантуру (1978). Працював на посадах  інж. (1971-1975),  ст. інж.  НДС (1978 -1986),  мол. наук. співроб. проблемної  НДЛ  росту та дослідження фізичних властивостей кристалів (1986-1987),   наук. співроб. СКТБ “Магнон” ( 1987-1989), с т. наук.співроб. (1989-1993), пров. наук. співроб.  Інституту прикладної фізики (1993- 2000),  пров. наук. співроб. НДЛ-14 фотоелектроніки кафедри фізики напівпровідників (2000-2014).  З 2014р.  доцент каф. радіоелектронних і комп’ютерних систем.  Наукові інтереси:  теоретичні дослідження неоднорідних напівпровідників та приладів на їх основі, комп’ютерне моделювання в напівпровідниковій електроніці. Автор (співавтор) близько 300 наукових публікацій.

Методичні матеріали

Стохастичне моделювання

 

Розклад