Кінетичні явища і електронні процеси в просторово неднорідних та низькорозмірних напівпровідникових структурах, комп’ютерне моделювання в радіоелектронному матеріалознавстві, проектування систем “інтелектуальних об’єктів”.

• Аналіз та рефакторинг коду, моделювання та проектування ПЗ (ІПЗ)
• Інформаційна безпека програм та даних (121 ІПЗ)
• Інформаційна безпека програм та даних (ВПК)
• Мікрокомп'ютерні системи (КН)
• Надійність програмно-апаратних систем (122 КН)
• Надійність програмно-апаратних систем (122 Комп'ютерні науки)
• Технології захисту інформації (ІСТ)
• Технології захисту інформації (КН)
• Якість та тестування ПЗ (ВПК)

• Оленич І.Б. Вологочутливі структури на основі поруватого кремнію / І.Б. Оленич, Л.С. Монастирський, О.І. Аксіментьєва, Б.С. Соколовський // УФЖ. – 2011. – Т. 56, № 11. – С. 1199–1203. http://archive.ujp.bitp.kiev.ua/files/journals/56/11/561106pu.pdf
• Olenych I.B. Electrochromic effect in photoluminescent porous silicon–polyaniline hybrid structures / I.B. Olenych, O.I. Aksimentyeva, L.S. Monastyrskii, M.R. Pavlyk // Journal of Applied Spectroscopy. – 2012. – V. 79, No. 3. – P. 495–498. http://doi.org/10.1007/s10812-012-9629-8
• Оленич І.Б. Фотодетектори на основі поруватого кремнію / І.Б. Оленич, Л.С. Монастирський, Б.С. Соколовський // Журнал нано- та електронної фізики. – 2012. – Т. 4, № 3. – 03025-1–0325-5. https://jnep.sumdu.edu.ua/download/numbers/2012/3/articles/jnep_2012_V4_03025.pdf
• Olenych I.B. Effect of Bromine Adsorption on the Charge Transport in Porous Silicon – Silicon Structures / I.B. Olenych, L.S. Monastyrskii, O.I. Aksimentyeva, B.S. Sokolovskii // Electronic Materials Letter. – 2013. – V. 9, No. 3. – P. 257–260. http://doi.org/10.1007/s13391-012-2126-7
• Monastyrskii L.S. Photosensitive Structures of Conjugated Polymer – Porous Silicon / L.S. Monastyrskii, O.I. Aksimentyeva, I.B. Olenych, B.S. Sokolovskii // Mol. Cryst. & Lig. Cryst. – 2014. – V. 589. – Р. 124–131. https://doi.org/10.1080/15421406.2013.872400
• Olenych I.B. Sensory properties of hybrid composites based on poly(3,4-ethylenedioxythiophene) – porous silicon – carbon nanotubes / I.B. Olenych, O.I. Aksimentyeva, L.S. Monastyrskii, Yu.Yu. Horbenko, L.I. Yarytska // Nanoscale Research Letters. – 2015. – V. 10. – P. 187-1–187-6. https://nanoscalereslett.springeropen.com/articles/10.1186/s11671-015-0896-1
• Olenych I. Preparation and Properties of Nanocomposites of Silicon Oxide in Porous Silicon / I. Olenych, B. Tsizh, L. Monastyrskii, O. Aksimentyeva, B. Sokolovskii // Solid State Phenomena. – 2015. – V. 230. – Р. 127-132. https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.230.127
• Aksimentyeva O.I. Luminescence in porous silicon – poly(paraphenylene) hybrid nanostructures / O.I. Aksimentyeva, B.R. Tsizh, L.S. Monastyrskii, I.B. Olenych, M.R. Pavlyk // Physics Procedia. – 2015. – V. 76. – P. 31–36. https://doi.org/10.1016/j.phpro.2015.10.006
• Оленич І.Б. Вплив радіаційного опромінення на властивості наноструктур поруватого кремнію / І.Б. Оленич, Л.С. Монастирський, О.С. Дзендзелюк // Журнал нано- та електронної фізики. – 2015. – Т. 7, № 4. – С. 04063-1–04063-4. https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/44481
• I.B. Olenvch, O.I. Aksimentveva, L.S. Monastvrskii, Yu.Yu. Horbenko, M.V. Partyka, A.P. Luchechko, L.I. Yarytska. Effect of Graphene Oxide on the Properties of Porous Silicon // Nanoscale Research Letters. – 2016. – V. 11. – 43. https://nanoscalereslett.springeropen.com/articles/10.1186/s11671-016-1264-5
• Olenych I.B. Influence of passivating SiO_x films on porous silicon photoluminescence / I.B. Olenych, L.S. Monastyrskii, B.P. Koman, A.P. Luchechko // Journal of Applied Spectroscopy. – 2016. – V. 83, No. 1. – P. 111–114. https://doi.org/10.1007/s10812-016-0251-z
• I.B. Olenvch, O.I. Aksimentveva, L.S. Monastvrskii, O.S. Dzendzeliuk. Effect of radiation on the electrical and luminescent properties of conjugated polymer – porous silicon composite // Mol. Cryst. & Lig. Cryst. – 2016. – Vol. 640. – P. 165-172. https://doi.org/10.1080/15421406.2016.1257328
• I.B. Olenych, O.I. Aksimentyeva, L.S. Monastyrskii, Yu.Yu. Horbenko, M.V. Partyka. Electrical and Photoelectrical Properties of Reduced Graphene Oxide – Porous Silicon Nanostructures // Nanoscale Research Letters. – 2017. – Vol. 12. – 272. https://nanoscalereslett.springeropen.com/articles/10.1186/s11671-017-2043-7
• Olenych I.B. Photoluminescence of porous silicon–zinc oxide hybrid structures / I.B. Olenych, L.S. Monastyrskii, A.P. Luchechko // Journal of Applied Spectroscopy. – 2017. – V. 84, No. 1. – P. 66–70. https://doi.org/10.1007/s10812-017-0428-0
• Оленич I.Б. Електричні властивості оксидокремнієвих гетероструктур на основі поруватого кремнію / I.Б. Оленич, Л.С. Монастирський, Б.П. Коман // УФЖ. – 2017. – Т. 62, № 2. – С. 166–171. https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2018718/856
• І.B. Olenych, L. S. Monastyrskii. Electrical and sensory properties of zinc oxide – porous silicon nanosystems // Molecular Crystals and Liquid Crystals. – 2018. – Vol. 671. – P. 97-103. https://doi.org/10.1080/15421406.2018.1542092

• I.B. Olenych, L.S. Monastyrskii, O.I. Aksimentyeva, L. Orovcík, M.Y. Salamakha. Charge Transport in Porous Silicon/Graphene-Based Nanostructures // Molecular Crystals and Liquid Crystals. – 2018. – Vol. 673.P. 32-38. https://doi.org/10.1080/15421406.2019.1578491
• I.B. Olenych, L.S. Monastyrskii, Ya.V. Boyko, A.P. Luchechko, A.M. Kostruba. Photoluminescent properties of nc-Si–SiO_x nanosystems // Applied Nanoscience. – 2019. – Vol. 9, No 5. – P. 781 – 786.  https://doi.org/10.1007/s13204-018-0701-4
• I.B. Olenych, L.S. Monastyrskii, A.P. Luchechko, A.M. Kostruba, Y.I. Eliyashevskyy. Photoluminescence polarization and refractive index anisotropy of porous silicon nanocrystals arrays // Applied Nanoscience. – 2020. – Vol. 10. – P. 2519–2525. https://doi.org/10.1007/s13204-019-01085-3
• Monastyrskii L.S., Olenych I.B., Sokolovskii B.S. Simulation of field effect in porous silicon nanostructures // Applied Nanoscience. – 2020. Vol. 10. – P. 4645–4650. https://doi.org/10.1007/s13204-020-01321-1
• Olenych I.B., Monastyrskii L.S., Aksimentyeva O.I., Girnyk I.S., Eliyashevskyy Yu.I., Rudko M.S. Low-temperature study of electrical properties of porous silicon/graphene-based nanostructures // Molecular Crystals and Liquid Crystals. – 2020. – Vol. 700. – P. 88-94. https://doi.org/10.1080/15421406.2020.173255
• Оленич І.Б., Монастирський Л.С., Морозов Л.М., Соколовський Б.С., Аксіментьєва О.І. Спосіб отримання фотовольтаїчних кремнієвих структур. Патент на винахід № 105248 від 25.04.2014. Бюл. № 8. https://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=199448
• Монастирський Л.С., Аксіментьєва О.І., Оленич І.Б. Спосіб отримання фотовольтаїчних сенсорних структур на основі поруватого кремнію. Патент на корисну модель № 100132 від 10.07.2015. Бюл. № 13. https://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=214087
• Оленич І.Б., Монастирський Л.С., Морозов Л.М., Аксіментьєва О.І., Горбенко Ю.Ю. Патент України на винахід № 111447. Спосіб отримання плівкового газового сенсора. 25.04.2016. Бюл. №8. http://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=222441
• Оленич І.Б., Аксіментьєва О.І., Монастирський Л.С., Горбенко Ю.Ю. Патент України на корисну модель №107110. Спосіб отримання газового сенсора на основі композитного матеріалу. 25.05.2016. Бюл. №10. http://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=223666
• Оленич І.Б., Аксіментьєва О.І., Монастирський Л.С. Патент України на корисну модель №109647. Спосіб отримання фоточутливих структур на основі поруватого кремнію. 25.08.2016 р. Бюл. №16. http://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=226907
• Оленич І.Б., Аксіментьєва О.І., Монастирський Л.С. Патент України на корисну модель № 127257 Спосіб отримання електрохромної структури на основі поруватого кремнію. 25.07.2018 р. Бюл. № 14. http://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=249550
• Монастирський Л.С., Соколовський Б.С., Сінькевич О.О., Оленич І.Б. Патент України на корисну модель № 140565. Спосіб визначення теплофізичних характеристик архітектурних споруд. 10.03.2020 р. Бюл. № 5. https://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=viewdetails&IdClaim=266436

МОНАСТИРСЬКИЙ Любомир Степанович (09.04. 1952, с. Яблунів, Коломийського району Івано-Франк. обл.) – радіофізик, канд. фіз.-мат. наук (Епітаксіальні варизонні структури на основі потрійних твердих розчинів халькогенідів ртуті, кадмію і цинку, 1986), доц. (1990), д-р фіз.-мат. наук (Кінетичні явища і електронні процеси в просторово неоднорідних та низькорозмірних напівпровідникових структурах з розвинутою поверхнею, 2011), проф.(2012).Закінчив фіз. ф-т Львів. ун-ту (1973). У 1973-96 інженер, ст. інженер, мол., ст. наук. співроб., доц. НДЧ, з 1997-2012 доц. каф. радіоелектронного матеріалознавства, 1999-2002 заст. декана з наук. та виховної роботи фіз. ф-ту Львів. ун-ту, з 2012 проф каф. радіоелектронного матеріалознавства ф-ту електрон. Львів. ун-ту, з 2013 зав. каф. радіоелектронних і комп’ютерних систем ф-ту електрон. Львів. ун-ту. Наук. інтереси: компютерні науки,“розумні рішення”, “розумний будинок”, “захист інформації”. Бл. 400 праць, 4 патенти. Член ред. “Вісника НУ “Львів. політехніка”. Сер. “комп’ют. науки”. Наук. кер. держбюдж. тем (з 1996). Наук. кер. 4-х аспірант., консультант докт. дисертацій.

1-й семестр
2-й семестр