Кушлик Маркіян Олегович

Посада: науковий співробітник Науково-дослідної лабораторії НДЛ-20 сенсорики:

Науковий ступінь: кандидат фізико-математичних наук

Телефон (робочий): (032) 239-43-71

Наукові інтереси

Методи підвищення інтенсивності дислокаційної люмінесценції в кристалах кремнію р-типу.

Покращення ефективності випромінювальних структур кремнію р-типу та фотолюмінофорів методами плазмонного резонансу в металічних наночастинках.

Вибрані публікації

1. Р.І. Дідик, Й.А. Шикоряк, М.О. Кушлик Візуалізація результатів взаємодії точкових дефектів з поверхнею кристалів p-Si // Фізика і хімія твердого тіла – 2010. – Т.11, №3. – С.675-679.

2. Б. Павлик, М. Кушлик, Р. Дідик та ін. Електрофізичні характеристики приповерхневих шарів кристалів Si p-типу з напиленими плівками Al, підданих пружній деформації// Електроніка та інформаційні технології. – 2011. – вип.2. – С.57-64.

3. Б. Павлик, М. Кушлик, Р. Дідик та ін. Дослідження приповерхневих шарів кристалів p-Si, з напиленими плівками металів, підданих пружній деформації // Український фізичний журнал. – 2013р. – том.58. – №3. – С. 215-221

4. Б.В. Павлик, М.О. Кушлик, Д.П. Слободзян Про природу центрів електролюмінесценції в пластично деформованих кристалах кремнію p-типу // Журнал нано- та електронної фізики. – 2015. – Т.7. – №3. – 03043-1-03041-5

5. Д.П. Слободзян, Б.В. Павлик, М.О. Кушлик Особливості впливу X-випромінювання та магнітного поля на електрофізичні характеристики бар’єрних структур на основі дислокаційного p-Si, призначеного для сонячної енергетики // Журнал нано- та електронної фізики. – 2015. – Т.7. – №4. – 04051-1 – 04051-5

6. B. Pavlyk, M. Kushlyk, D. Slobodzyan Origin of dislocation luminescence centers and their reorganization in p-type silicon crystal subjected to plastic deformation and high temperature annealing // Nanoscale Research Letters. – 2017. – V.12. – p.358

7. Б. В. Павлик, М. О. Кушлик, Д. П. Слободзян, Р. М. Лис Перебудова дефектної структури та центрiв дислокацiйної люмiнесценцiї у приповерхневих шарах p-Si // Журнал Фізичних Досліджень. – 2017. – Т.21, № 1/2. – С. 1601-1608

8. D. P. Slobodzyan, M. O. Kushlyk, B. V. Pavlyk Electroluminescence energy efficiency of Si-structures with different compound of nanoscale dislocation complexes // Applied Nanoscience. – 2018

9. B. Pavlyk, M. Kushlyk, D. Slobodzyan, I. Matviishyn, R. Lys, M.Jałbrzykowski Radiation-stimulated changes in the characteristics of surface-barrier Al–Si–Bi structures with different concentrations of dislocations at the crystal surface // Acta mechanica et automatica. – 2018. – V.12, No.1. – pp.72-77

 

Біографія

Освіта: вища

Назва навчального закладу: Львівський національний університет імені Івана Франка

Факультет: електроніки

Рік закінчення: 2011

Нагороди

Лауреат обласної премії молодим науковцям і спеціалістам Львівської Обласної Ради та Львівської Обласної Державної Адміністрації

Розклад