Коман Богдан Петрович

Посада: професор кафедри фізичної та біомедичної електроніки

Науковий ступінь: доктор фізико-математичних наук

Вчене звання: професор

Телефон (робочий): (032) 239-41-30

Наукові інтереси

  • напівпровідникова електроніка;
  • комп’ютерна електроніка;
  • технологія напівпровідникових матеріалів;
  • фізика і хімія поверхні;
  • механічні властивості твердотільних структур.

Навчальні дисципліни

Публікації

Монографії:

Коман Б.П. Закономірності міжфазової взаємодії у приповерхневих шарах структур твердо тільної електроніки: Монографія. Б.П.Коман .– Львів, 2017.- 350с. ISBN978-617-10-0403-0.

 

Статті:

  1. Koman B. P. Effect of combined radiation processing on parameters o f Si-based MOS transistors / B. P. Koman, R. I. Bihun & O. A. Balitskii – Radiation Effects and Defects in Solids 2017, Vol.172, NOS.7-8, p.600-609.
  2. Koman B. P. Deformation-Induced Interfacial Interactionin Elastically-Plastically Deformed Single Crystals of CdxHg1_xTe / B. P. Koman // Metallofiz. Noveishie Tekhnol. 39, No. 8: 1129—1148 (2017)
  3. Koman B.P., Yuzevich V.M.. Energy parameters of Interfacial layers in composite systems grapheme-(Si,Cu,Fe, Co, Au, Ag, Al, Ru, Hf, Pb) and semiconductors (Si, Ge)- ( Fe,Co,Cu,Al, Cr, W, Pb) / B.P. Koman, V.M. Yuzevich // Jоurnal of Nano-Electronic Physics– 2015.– Vol. 7 , No4 , 04059 (7pp).
  4. Б. П. Коман, І.М. Ровецький, В.М. Юзевич. АСМ-дослідження поверхні металічних конденсатів на монокристалічному кремнії та енергетичні параметри міжфазової взаємодії в системі «металічний конденсат—напівпровідник» – Металофізика і новітні технології. – 2015.– Т. 37, № 11.– С. 1443 – 1460.
  5. Коман Б. П. Особливості міжфазової взаємодії у структурах Si-SiO2 / Б. П. Коман // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. – 2016.– Т.13, №2.–C. 84–93.
  6. Оленич И. Б., Монастирский Л.С., Коман Б.П., Лучечко А.П.. Влияние пассивирующих пленок на фотолюминесценцию пористого кремния //Журнал прикладной спектроскопии, 2016, т. 83, № 1, с.126-130.
  7. Коман Б.П. Автоматизований комплекс для дослідження параметрів електроактивних центрів у твердих тілах з використанням методики термостимульованої деполяризації / Б.П. Коман // Відбір і обробка інформації – 2016. – №44 (120)- C.37-44. (міжвід. збірн. наук. праць)
  8. Монастирський Л.С. Розпізнавання газів на основі мікрокомп’ютерного аналізу даних сенсорів поруватого кремнію / Л.С. Монастирський, О.І. Петришин, Б.П. Коман, Р.Я. Яремик // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології. – 2016. – Т. 13, №3. – С. 74–79.
  9. Yuzevych V. M. Near-surface layer of some materials / V. M. Yuzevych, B. P. Koman, R.M. Dzhala // Jоurnal of Nano-Electronic Physics– 2016.– Vol. 8 , No4 , 04005 (7pp).
  10. Оленич І.Б.. Електричні властивості оксидокремнієвих гетероструктур на основі поруватого кремнію / І. Б. Оленич, Л.С.Монастирський, Б.П. Коман // Укр. фіз. журн. 2017. Т.62, №2.–С.166–170.
  11. Коман Б.П. Температурная селективность радиационного воздействия на кремниевые МОП-транзисторы / Б.П. Коман // Физика и техн. полупроводников. – 2014. – Т. 48. – Вып. 5. – С. 677–683.
  12. Коман Б.П. Собственные механические напряжения, термодинамические и адгезионные параметры в системе металлический конденсат–монокристаллический кремний / Б.П. Коман, В.Н. Юзевич // Физика тверд. тела. – 2012. – Т. 54, в. 7. – С. 1335–1341.
  13. Юзевич В.Н. Особенности температурной зависимости энергетических параметров взаимодействия в системах кварц – Pb, NaCl, KCl – Pb / В.Н. Юзевич, Б.П. Коман // Физика тверд. тела. – 2014. – Т. 56, Вып. 3. – С. 583–588.
  14. Юзевич В.Н. Моделирование взаимосвязи механоэлектрических параметров поверхности твердых тел / В.Н. Юзевич, Б.П. Коман // Физика тверд. тела – 2014. – Т. 56. – Вып. 5. – С. 895–902.
  15. Koman B.P. Alfa-particles irradiation in defects in SiO2 films of Si-SiO2 structures / B.P. Koman, O.V. Galchinskij, R.O. Kovalyuk, A.K. Shkolniy // Nucl. Instruments and Meth. in Physics Res. B. – 1996. – 116. – P. 389–392.
  16. Коман Б.П. Розмірна залежність механічних напружень у металічних конденсатах на кремнії / Б.П. Коман, В.М. Юзевич // Металлофизика и новейшие технологии. – 2014. –№8. – С.145–151.
  17. Юзевич В.М. Енергія адгезійних зв’язків у системі конденсат міді на монокристалічному кремнії / В.М.Юзевич, П.М.Сопрунюк, Б.П. Коман, П.В.Луговий // Металлофизика и новейшие технологии. – 2005. – Т. 27, № 5. – С. 643–652.
  18. Коман Б.П. Механічні напруження в мідних конденсатах на монокристалічному кремнії / Б.П. Коман, В.М. Юзевич // Металлофизика и новейшие технологии. – 2003. – Т. 25, № 6. – С. 1538–1551.
  19. Коман Б. П. Вплив рентгенівського випромінювання на кремнієві МДН–транзистори / Б.П. Коман // Укр. фіз. жур. – 2000. – Т. 45. –№ 9. – С. 1101–1105.
  20. Коман Б.П. Взаємозв’язок механічних та електрофізичних властивостей власнодефектних кристалів Cd Hg Te / Б. П. Коман // Фізика і хімія твердого тіла. – 2011. – Т. 12. – С. 1018–1025.
  21. Коман Б.П. Вплив альфа-опромінення на кремнієві МОН – транзистори / Б.П. Коман // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. – 2012. – Т. 39. – №1. – С. 88–96.

 

Патенти на винахід та авторські свідоцтва :

  1. Патент на винахід №110461. Спосіб отримання кремнієвого МДН-транзистора. / Б.П. Коман, Л.М.Морозов. Зареєстровано 12.01. 2016р. МПК H01L21/26 (2016.01). Львівський національний університет імені Івана Франка.
  2. Патент на винахід №108773 Спосіб виготовлення кремнієвих МДН-транзисторів / Коман Б.П., Морозов Л.М., Монастирський Л. С. – 10.06-2015р., Львівський національний університет імені Івана Франка.
  3. Патент № 99369. Україна, МПК (2012). Спосіб зниження концентрації акцепторів / Коман Б.П., Морозов Л. М., Писаревський В. К. (Україна, заявник і власник патенту Львівський національний університет імені Івана Франка. – № а 201014881 заявл. 13. 12. 2010 р., опубл. 25. 06. 2012 р., Бюл. № 129.
  4. Патент № 86018. Україна, МПК (2006). Спосіб отримання кремнієвого транзистора / Коман Б.П., Морозов Л.М. (Україна, заявник і власник патенту Львівський національний університет імені Івана Франка. –№ а 200509623 заявл. 13. 10. 2005 р., опубл. 25. 04. 2007 р., бюл. №5.
  5. Патент № 77961. Україна, МПК (2007). Спосіб отримання кремнієвого транзистора / Коман Б.П., Морозов Л.М. (Україна, заявник і власник патенту Львівський національний університет імені Івана Франка. –№ 2004010504 заявл. 22. 01. 2004 р., опубл. 15. 08. 2005 р., бюл. № 8.
  6. Патент № 72308. Україна, МПК. Спосіб отримання кремнієвого транзистора / Коман Б.П., Морозов Л. М. (Україна, заявник і власник патенту Львівський національний університет імені Івана Франка. –№ 2002087054 заявл. 28. 08. 2002 р., опубл. 15. 02. 2005 р., бюл. №2.
  7. Деклараційний патент № 72073А, МПК. Спосіб отримання кремнієвого транзистора / Коман Б.П., Морозов Л. М. (Україна, заявник і власник патенту Львівський національний університет імені Івана Франка. –№2003065799 заявл. 23. 06. 2003р., опубл. 17. 01. 2005 р., бюл. № 1.
  8. Патент № 86137. Україна, МПК (2009). Спосіб металізації кремнієвих підкладок / Коман Б.П., Морозов Л.М. (Україна, заявник і власник патенту Львівський національний університет імені Івана Франка. – № а 200708457 заявл. 23. 07. 2007 р., опубл. 26. 01. 2009 р., Бюл. № 2.
  9. Патент № 92. Україна, МПК. Спосіб металізації кремнієвих підкладок / Коман Б.П., Морозов Л.М., Юзевич В.М. (Україна, заявник і власник патенту Львівський національний університет імені Івана Франка. –№ 2002087053 заявл. 28. 08. 2002 р., опубл. 17. 07. 2003 р.
  10. Авторское свидетельство СССР, №1366872, 5D G 01 B 7/08. Емкосный датчик для измерения толщины напыляемой пленки / Юхимюк Ж.Г., Костышин В.Г., Коман Б.П. (Україна, заявник і власник патенту Львівський державний університет імені Івана Франка. –№ 4085720/25–28 заявл. 14. 07. 1986 г., опубл. 15. 01. 1988 г., Бюл. № 2.
  11. Авторское свидетельство СССР, №1456765. кл. 01 В 7/08. Емкосный датчик-свидетель для контроля толщины напыляемой диэлектрической пленки / Юхимюк Ж.Г., Коман Б.П. (Україна, заявник і власник патенту Львівський державний університет імені Івана Франка. – № 4260631. Заявл. 11. 06. 87 г., опубл. 07. 02. 1989 г., бюл. № 5.
  12. Авторское свидетельство СССР, №1461127 Устройство для измерения толщины напыляемой пленки / Коман Б.П., Юхимюк Ж.Г. (Україна, заявник і власник патенту Львівський державний університет імені Івана Франка. Заявка №4260318. Заявл. 11. 06. 1987 г., бюл. 2.

Біографія

Народився 28.08.1950 р., селище Магерів Львівської обл., Жовківського р-ну.

Закінчив фізичний факультет Львівського державного університету імені Івана Франка ( 1972 р.). Кандидат фізико-математичних наук (1981 р.), доцент кафедри радіоелектронного матеріалознавства (1983 р.), доктор фізико-математичних наук ( 2015р.).

Працював на кафедрах фізики напівпровідників, радіелектронного матеріалознавства, системного проектування, фізичної та біомедичної електроніки.

Наукові інтереси: напівпровідникова електроніка, комп’ютерна електроніка, технологія напівпровідникових матеріалів, фізика і хімія поверхні, механічні властивості твердотільних структур.

Опублікував: монографію, підручник, три навчальних посібники, понад 150 наукових праць у профільних та міжнародних виданнях. Автор 13 Патентів на винаходи та авторських свідоцтв.

Методичні матеріали

Навчальні посібники, підручники.

  1. Коман Б.П. Лабораторний практикум з напівпровідникової електроніки / Б.П. Коман, М.Я. Мисько.– Львів: ЛНУ ім. Івана Франка, 2011.– 370 с. ISBN978-613.
  2. Коман Б.П. Функціональні елементи інформаційних систем на базі напівпровідникової електроніки. Навчальний посібник / Б. П. Коман – Львів: ЛНУ імені Івана Франка, 2018. – 798 с. ISBN 978-966-613-901-9.
  3. Коман Б.П. Основи комп’ютерної електроніки. Підручник. / Б. П. Коман, М.Я.Мисько – Львів: ЛНУ імені Івана Франка, 2018. – 430 с. ISBN 978-967-656-917-9.

Розклад