Галій Павло Васильович

Посада: професор кафедри сенсорної та напівпровідникової електроніки

Науковий ступінь: доктор фізико-математичних наук

Вчене звання: професор

Телефон (робочий): (032) 239-46-78

Електронна пошта: galiy@electronics.lnu.edu.ua

Наукові інтереси

   Наносистеми та наноструктури пониженої розмірності – їх одержання та дослідження, нанотех­нології та наноелектроніка. Фізико-хімія, електронна спектроскопія та інженерія поверхні. Спек­троскопія дефектоутворення та формування міжфазових меж на поверхні матеріалів з різним типом зв’язку (на атомному рівні); матеріали нано-, мікро- та твердотільної електронік; радіа­ційна фізико-хімія поверхні та емісійні і зарядові ефекти поверхонь сколювання.

Навчальні дисципліни

Публікації

  1. Галій П.В. Роль примесей в термостимулированной экзоэлектронной эмиссии радиационно-возбуж­енных ионных соединений / П.В. Галий, И.З. Гудь, Т.М. Ненчук, Е.П. Поплавский // Изв. АН СССР. Сер. физ. ― 1991. ― т. 55, №12. ― C. 2432–2436.
  2. Набитович И.Д. Фотоэкзоэмиссия электронов поверхностей скола кристаллов KCl / И.Д. Набитович, П.В. Галий, Н.И. Лосик, В.И. Чих // Изв. АН СССР. Сер. физ. ― 1991. ― т. 55, № 12. ― С. 2437–2440.
  3. Галий П.В. Накопление центров окраски в бромиде цезия при облучении электронами и рекомби­национная термостимулированная экзоэлектронная эмиссия / П.В. Галий, В.П. Савчин // Укр. фіз. журн. ― 1991. ― т. 36, № 11. ― С. 1737―1743.
  4. Nabitovich I.D. Exoelectron Emission from Cleaved Surfaces of KCl Crystal Containing Coloured Centres / I.D. Nabitovich, P.V. Galiy, M.I. Losyk, V.I. Chikh // Поверхность. Физ. хим. мех. – 1993. – № 8. – С. 54–60.
  5. Galiy P.V., Dislocations and Exoemission Properties of Silicon / P.V. Galiy, T.N. Nenchuk, I.M. Stakhira, J.M. Spitkovsky // Поверхность. Физ. хим. мех. ― 1993. ― № 8. ― С. 61―65.
  6. Галий П.В.Экзоэмиссионная спектроскопия примесей радиационно-возбужденных ионных соедине­ний / П.В. Галий, Е.П. Поплавский // Поверхность. Физ. хим. мех. ― 1993. ― № 9. ― C. 33―39.
  7. Галій П.В. Радіаційне дефектоутворення і радіоліз поверхні кристалів CsI при опроміненні електро­нами / П.В. Галій, Т.М. Ненчук, В.П. Савчин // Укр. фіз. журн. ― 1994. ― т. 39, № 4. ― С. 450―456.
  8. Галий П.В. Дослiдження адсорбцiйної активностi шаруватих напiвпровiдникових кристалiв селенiдів iндiю та галiю / П.В. Галій, Т.М. Ненчук, В.П. Савчин, Й.М. Стахiра // Укр. фiз. журн. – 1995. – т. 40, № 3/4. – C. 230–235.
  9. Galiy P.V. The interconnection of colour centres and centres of recombinational thermostimulated exoelectron emission in CsBr crystals / P.V.Galiy, T.M. Nenchuk, O.V. Tsvetkova // Scientific Reports of the Techn. Univ. of Opole. Ser. Phys. ― 1995. ― vol. 16, № 215. ― P. 69―76.
  10. Galiy P.V.Auger-Recombinational TSEE of Radiatively Excited Caesium Hallides Crystals / P.V. Galiy //  Proc. of the 17-th Karpach Sem. on Exoemission and Related Pheno-mena. – Turawa, Poland. – 1996. – P. 15-22.
  11. Galiy P. Exoelectron relaxation emission of the coloured alkali halide crystals surfaces /P. Galiy, O. Tsvetko­va // Scientific Reports of the Techn. Univ. of Opole. Ser. Phys. ― 1996. ― vol. 17, № 220. ― P. 23―30.
  12. Galiy P.V. Electron Emission Spectroscopy of the Surfaces of Caesium Halide Crystals under Electron Irradition/ P.V. Galiy // Proc. of the 12-th International Symp. on Exoemission and its Application. – Polonica-Zdroj, Poland. – 1997. – P. 19-26.
  13. Galiy P.V. Exoemission Recombination Processes of Crystal Surfaces Excited by Cleaveges / P.V. Galiy, M.I. Losyk // Scient. Reports of the Techn. Univ. of Opole. Ser. Phys. ― 1997. ― vol. 20, № 240. ― P. 27―35.
  14. Galiy P.V. Surface Investigations of Nanostructured Porous Silicon/ P.V. Galiy, T.I. Lesiv, L,S. Monastyrs­kii., T.M. Nenchuk, I.B. Olenych // Thin Solid Films ― 1998, ― V. 318, N 2. ― P. 113―116.
  15. Галій П.В. Екзоемісійні рекомбінаційні процеси на кристалічних поверхнях, збуджених сколюван­ням / П.В. Галій, М.І. Лосик // Укр. фіз. журн. ― 1998. ― т. 43, № 2. ― С. 200―206.
  16. Galiy P.V.Radiation defect accumulation in cesium iodine scintilative crystals under inten-sive electron beam irradiation / P.V. Galiy // Functional materials. ― 1999. ― vol. 6, № ― P. 47―54.
  17. Galiy P.V. The radiation defect accumulation in scintillative crystals of caesium halides under intense electron beam irradiation/ P.V. Galiy // Radiation Measurements. ― ― vol. 30, № 1. ― P. 41―50.
  18. Galiy P.V. Auger Electron Spectroscopy Studies of In4Se3 Layered Crystals/ P.V. Galiy, T.M. Nenchuk, J.M.  Stakhira M. Fiyala // Journ.of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. – 1999. – vol. 105, N 1. – P. 91–97.
  19. Galiy P.V. Thermostimulated Exoelectron Emission Studies of Porous Silicon / P.V. Galiy, T.M. Nenchuk, J.M. Stakhira // Phys. Status Solidi (b). ― 1999. ― V. 212, N 1. ― P. R7― R9.
  20. ГалійП.В. Електронно-емісійна спектроскопія поверхонь поруватого кремнію /П.В. Галій // Укр. фіз. журн. ― 2000. ― т. 45, № 8. ― C. 985―993.
  21. Galiy P.V. Relaxation processes of exoemission from the surfaces of radiation coloured crystals excited by cleavage / P. Galiy, M.I. Losyk, R.Ya. Voloshchuk, O.V. Tsvetkova, O.P. Poplavskii // Proc. of the 13-th Inter­national Symp. on Exoemission and Related Relaxation Phenomena. – Jurmala, Latvia. – 2000. – p. 88-92.
  22. Galiy P.V. Study of interface formation on the cleavage surfaces of A3B6 layered semiconductors / P.V.Galiy, T.M. Nenchuk, J.M. Stakhira // Jour. of Physics D: Applied Physics. ― 2001. ― vol. 34, № ― P. 18―24.
  23. Галій П.В. Електронні релаксації радіаційних дефектів аніонної підгратки кристалів броміду цезію та екзоемісія електронів / П.В.Галій, О.Я. Мельник // Укр. фіз. журн. ― 2002. ― т. 47, № 4.― C. 376―384.
  24. Galiy P. Electronic relaxations of radiative defects of the anion sublattice in caesium bromide crystals and exoemission of electrons/ Galiy, O. Mel’nyk // Radiation Effects and Defects in Solids. ― 2002. ― vol. 157, № 6/12. ― P. 683―689.
  25. Галій П.В. Формування міжфазових меж на поверхнях сколювання монокристалічного кремнію /П.В.  Галій, Т.М. Ненчук // Фізика і хімія твердого тіла. ― ― т. 3, № 3. ― C. 470―481.
  26. Кількісна оже-електронна спектроскопія формування інтерфейсних шарів вуглецю на поверхнях ваку­умних сколів кристалів шаруватих напівпровідників In4Se3/ П.В. Галій, Т.М. Ненчук, О.Я. Мельник, Й.М. Стахiра // Укр. фіз. журн. ― 2003. ― т. 48, № 3. ― C. 256―268.
  27. ГалійП.В. Енерґетичний спектр та ймовірність виходу екзоелектронів у рекомбінаційній моделі екзоемісії / П.В. Галій, О.Я. Мельник // Журнал фізичних досліджень. ― 2003. ― т. 7, № 1. ― С. 84―92.
  28. Galiy P. Surface Structure and Nature of the Thin Film Coatings on the Surface of Porous Silicon / P. Galiy, A. Musyanovych, T. Nenchuk // Microscopy and Microanalysis. ― ― vol. 9, № 3. ― P. 292―293.
  29. Galiy P.V.Electron Spectroscopy of the Interface Carbon Layer Formation on the Cleavage Surface of the Layered Semiconductor In4Se3 Crystals / P.V. Galiy, A.  Musyanovych, T.M. Nenchuk // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. ― 2005. ― vol. 142, № 2. ― P. 121―128.
  30. Галій П.В. Роль термоактивованих та тунельних електронних релаксацій радіаційних дефектів у вини­кненні струму ізотермічної екзоемісії/ П.В. Галій, М.І. Лосик,О.Я. Мельник // Укр. фіз. журн. ― 2005. ― т. 50, № 5. ― С. 469―476.
  31. Galiy P.V. Excitonic ionizations of the electron centres in caesium iodide crystal and exoemission of elect­rons/V. Galiy, O.Ya. Mel’nyk, O.V. Tsvetkova // Journal of Luminescence. ― 2005. ― vol. 112, № 1/4. ― P. 105―108.
  32. Galiy P. X-Ray Photoelectron Spectroscopy of the Interface Phase on the Cleavage Surfaces of the Layered Semiconductor In4Se3 Crystals/ P.Galiy, A. Musyanovych // Functional materials. ― ― vol. 12, № 3. ― P. 467―475.
  33. Галій П.В. Екзоелектронна емісійна спектроскопія приповерхневого шару монокристалічного кремнію / П.В. Галій, Т.М. Ненчук, Л.І. Ярицька // Фізика і хімія тверд. тіла. ― 2005. ― т. 6, № 4. ― С. 570―575.
  34. Галій П.В. Кількісна спектроскопія електронно-стимульованих процесів на поверхні широкозонних діелектричних матеріалів // П.В. Галій, О.П. Поплавський, С.І. Вашкевич, С.Ю. Кривенко // Укр. фіз. журн. ― 2006. ― т. 51, № 6. ― C. 581―587.
  35. GaliyP.V. The Interface Microscopy and Spectroscopy on the Cleavage Surfaces of the In4Se3 Pure and Cop­per Intercalated Layered Crystals/ P.V. Galiy, A.V. Musyanovych, Ya.M. Fiyala // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. ― ― vol. 35, № 2. ― P. 88―92.
  36. Losovyj B. The electronic structure of surface chains in the layered semiconductor In4Se3(100) / Ya.B.  Losovyj, M. Klinke, E. Cai, I. Rodriges, J. Zhang, L. Makinistian, A.G. Petukhov E.A. Albanesi, P. Galiy, Ya. Fi­yala, J. Liu, P.A. Dowben // Applied Physics Letters. ― 2008. ― vol. 92, № 12. ― P.122107-1―122107-3.
  37. GaliyP.V. Structural and energy changes at the cleavage surfaces of In4Se3 layered crystals under interface formation/ P.V. Galiy, T.M. Nenchuk,B. Losovyj, Ya.М. Fiyala // Functional materials. ― 2008. ― vol. 15, № 1. ― P. 68―73.
  38. Liu The bulk band structure and inner potential of layered In4Se3 / J. Liu, Ya.В. Losovyj, T. Komesu P.A  Dowben, L. Makinistian, M. Klinke, E.A. Albanesi, A.G. Petukhov, P. Galiy, Ya. Fiyala // Applied Surface Sci­ence. ― 2008. ― vol. 254, № 14. ― P. 4322―4325.
  39. Losovyj B. The Anisotropic Band Structure of Layered In4Se3(001) / Ya.В. Losovyj, L. Makinistian, E. Albanesi, A.G.  Petukhov, J. Liu, P.V. Galiy, O.R. Dveriy, P.A Dowben // Journal of Applied Physics. ― 2008. ― vol. 104, № 8. ― P. 083713-1―083713-7.
  40. Galiy P.V. Atomic force microscopy study of the cleavage surfaces of In4Se3 layered semiconductor crystal / V. Galiy, T.M. Nenchuk, O.R. Dveriy, A. Ciszewski, P. Mazur, S. Zuber // Physica E: Low-dimensional Sys­tems and Nanostruct. ― 2009. ― vol. 41, № 3. ― P. 465―469.
  41. Мельник О.Я.Транспорт до поверхні та вихід у вакуум низькоенергетичних екзоелектронів CsBr /  О.Я. Мельник, П.В. Галій // Фізика і хімія твердого тіла. ― 2009. ― т. 10, № 1. ― С. 74―80.
  42. Galiy P.V. Investigation of (100) In4Se3 crystal surface nanorelief / P.V. Galiy, A. Ciszewski, O.R. Dveriy, Ya.B. Lozovyj, P. Mazur, T.M. Nenchuk, S. Zuber, Ya.M. Fiyala // Functional materials. ― 2009. ― vol. 16, N 3. ― P. 279-285.
  43. ГалійП.В. Нановимірні дослідження поверхні (100) шаруватого кристалу In4Se3 / П.В. Галій, Т.М. Не­нчук, О.Р. Дверій, О.П. Поплавський, Я.М. Фіяла // Фіз. і хімія твердого тіла. ― 2009. ― т. 10,  № 4. ― С. 813-818.
  44. Fukutani Keisuke.Ordered-Disordered Transition for Corrugated Au Layers / Keisuke Fukutani, N. Lozova, S.M. Zuber, P.A.  Dowben, P. Galiy, Yaroslav B. Losovyj. // Applied Surface Science. ― 2010, ― V. 256, Issue 15. ― P. 4796-4800.
  45. MakinistianP. Ab initio calculations and ellipsometry measurements of the optical properties of the layered se­miconductor In4Se3 / P. Makinistian, E.A. Albanesi, N.V. Gonzales Lemus, A.G. Petukhov, D. Schmidt, E. Schubert, Ya.B. Losovyj, P. Galiy, P. Dowben. // Physical Review B. ― 2010. ― Vol. 81,  N 7. P. 075217-1 ― 075217-8.
  46. Galiy P.V.The Anisotropy of Electron Spectra the Cleavage Surface (100) Layered In4Se3 Crystals/ V. Galiy, T.M. Nenchuk, O.R. Dveriy, Ya.B. Losovyj // Chemistry of Metals and Alloys. – 2011. – v.4, № 1/2. – P. 63-66.
  47. Галій П.В. Растрова електронна та атомно-силова мікроскопія радіолізу поверхонь плівок CsI при високоінтенсивному електронному опроміненні / П.В. Галій, Т.М. Ненчук, О.П Поплавський, О.Я. Тузяк // Фізика і хімія твердого тіла. – 2012. – Т. 13, №3. – с. 827–835.
  48. Galiy P.V. Indium induced nanostructures on In4Se3(100) surface studied by scanning tunnelling microsco­py / VGaliy , T.M.Nenchuk, A. Ciszewski., P. Mazur, S. Zuber, Ya.M. Buzhuk. // Functional materials – 2013.  – vol. 20, № 1. – р. 37-43.
  49. Галій П.В. Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsI / П.В.Галій, Т.М.  Ненчук., О.Я. Тузяк, І.Р. Яровець //Хімія, фізика та технологія поверхні. – 2013, – Т. 4, №2. – с. 132-150.
  50. Галій П.В. Динаміка зміни стехіометрії поверхні кристалів CsI під впливом концентрованих потоків енергії: роль теплових та електронних збуджень / П.В.Галій, О.Я. Тузяк, О.В. Цветкова, І.Р. Яровець //  Фізика і хімія твердого тіла. – 2013. – Т. 13, №3. – с. 827–835.
  51. 51. Galiy P.V. Low-energy-electron-difraction structural stadies of (100) cleavage surfaces of In4Se3 lay­ered crystals/ VGaliy, Ya.B.Losovyj, T.M. Nenchuk, I.R.. Yarovets // Ukr. Jour. Physics, 2014, т.59, N 6,. – P. 613-622.
  52. Галій П.В. Дослідження топографії та атомної структури поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3/ П.В. Галій, Т.М Ненчук ., I.R.. Yarovets // Журнал нано- та електронної фізики. – 2014.  –  т. 6,  № 2. – с. 02029-1-02029-7.
  53. Галій П.В. Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3// Хімія, фізика та технологія поверхні. – 2014. – т. 5, №3. – с. 245-255.
  54. Fukutani Keisuke Photoemission Study of Quasi-One-Dimensional Semiconductor In4Se3 High-Resolution Angle-Resolved / Fukutani Keisuke, Miyata Yasunari, Matsuzaki Idea, P.V.Galiy, Peter A. Dowben, Sato Taka­fumi, Takahashi Takashi // Journ. of the Physical Society of Japan. – 2015. – Vol. 84, – 074710-1 –  074710-6.
  55. GaliyP. Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Low Energy Electron Diffraction Investi­gations of GaTe Layered Crystal Cleavage Surface / P. Galiy, T. Nenchuk, A. Ciszewski, P. Mazur, S. Zuber, I. Yarovets // Металлофизика и новейшие технологии – 2015. – т. 37,  № 6. – с. 789-801.
  56. KFukutani. Tunable Two-Dimensional Electron Gas at the Surface of Thermoelectric Material In4Se3 / Fuku­tani K., Sato T., Galiy P.V., Sugawara K. and Takahashi T. // Physical Review B. – 2016. – Vol. 93, N 20. –  P. 205156-1-205156-6.
  57. Галій П.В. Дослідження мікро- та наноструктури міжшарових поверхонь сколювання шаруватих крис­талів InSe, інтеркальованих нікелем/ П.В. Галій, П. Мазур, А. Ціжевський, І.Р. Яровець, Т.М. Ненчук, Франк Сімон, Я.М. Бужук, В.Л. Фоменко // Журнал нано- та електронної фізики. – 2016. – т. 8, № 1. – С. 01012-1―01012-11.
  58. Galiy P.V. NixInSe (0001) Metal–Semiconductor Hetero Nano System study /P.V. Galiy, T.M. Nenchuk, A. Ciszewski, P. Mazur, I.R. Yarovets’ and O.R. Dveriy // Metallofizika i Noveishie Tekhnologii. – 2017. – Vol. 39, № 7. – P. 995–1004.
  59. ГалійП.В. Особливості нікелевих наноструктур, сформованих на міжшарових поверхнях сколювання (0001) інтеркалатів NiхInSe / П.В. Галій, І.Р. Яровець, Т.М. Ненчук, П. Мазур, А. Ціжевський, О.Р. Две­рій // Хімія, фізика та технологія поверхні. – 2018, т. 9, №1. ― С. 46-63
  60. ГалійП.В. Топографія та густина поверхневих електронних станів ювенільних та дефектних нано­структурованих поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3 / П.В. Галій, П. Мазур, А. Ціжев­ський, Т.М. Ненчук, І.Р. Яровець, Я.M. Бужук, О.Р. Дверій // Журнал нано- та електронної фізики. – 2018. – т. 10, № 4. – С. 04002-1 – 04002-12.
  61. Galiy Р.V. Study of Self-assembled 2D Ag Nanostructures Intercalated into In4Se3 layered semiconducture crystals / P.V. Galiy, T.M. Nenchuk, R. Dveriy, A. Ciszewski, P. Mazur, I.O. Poplavskyy // Proceeding of the 2018 IEEE 8-th Intern. Conf. on “Nanomaterials: Applcations & Properties (NAP-2018)”, September 9-14, 2018, Odesa-Zatoka, Ukraine. – P. 02CBM02-1–02CBM02-5.

Біографія

  Народився 2.01.1953 в с. Йосиповичі Стрийського р-ну Львів. обл. Радіофізик, канд. фіз.-мат. наук (Емісійні властивості монокристалів та тонких шарів галоїдних сполук цезію, 1986), ст. наук. співроб. (2000), доц. (2002), д-р фіз.-мат. наук (Електронні властивості та мікро- і наноструктура поверхонь галогенідів цезію й селенідів індію, 2010), професор (2014).

Закінчив фіз. ф-т Львів. ун-ту (1975), спеціальність – радіофізика і електроніка, кваліфікація – радіофізик;

У 1975–79 інженер, 1979–84 ст. інженер;

1984–88 мол. на­ук. співроб. каф. фізики напівпровідників;

1988–96 ст. наук. співроб.;

1996–97 доцент-дослідник;

1997–98 провід. наук. співроб. НДЧ;

1998–2012 доц. а з 2012 – професор каф. фіз. напівпровідни­ків;

З травня 2016 – професор каф. сенсорної та напівпровідникової електроніки Львів нац. ун-ту ім. Івана Франка ф-ту електроніки та комп’ютерних технологій.

  • Вчені звання:

Атестат Старшого наукового співробітника, 2000

зі спеціальності “фізика твердого тіла”

Атестат Доцента кафедри фізики напівпровідників, 2002

Атестат Професора кафедри фізики напівпровідників, 2014

Проекти

  • Грант міжнародного фонду “Відродження” (1993). Грант університету Небраска-Лінколь­на (США) (2018).
  • Участь у наукових проектах.

 Керівник проектів LU-PG1207 (2005-07-09 рр.), (2010-13 рр, “The Anisotropy of Electron Ene­rgetic Structure and Electron Spectra the Cleavage Surface Layered Semiconductor Crystals” США, спільних з Центром передових мікроструктур та приладів (Center for Advanced Microstructures and Devices (CAMD)) Державного університету Луїзіани (LSU) (CША).

  Науковий керівник теми СН-59Ф “Одержання та дослідження наносистем на основі халько­генідних напівпровідників з природними наноструктурованими матрицями” Фундаментальна, держбюджетна 2017-2019 рр. № держреєстрації: 0117U001229

  Науковий керівник проекту СН-67 “Отримання та дослідження халькогенідних матеріалів придатних для розробки магнітоелектронних пристроїв спінтроніки” Фундаментально-приклад­на, грантові кошти. Замовник: Наглядова Рада університету Небраска-Лінкольн (UNL) (США) 2018-2019 рр.

  • Керівник 4 захищених канд. дис.
  • Автор більше 230 наукових та навчально-методичних публікацій: 220 наукових праць з яких більше 90 наукових статей у вітчизняних та закордонних фахових, рейтингових журналах; більше 130 тез доповідей на наукових конференціях різного рівня – Вітчизня­них, Міжнародних та ін.;
  • Громадська робота та наукові контакти i співпраця:

  Член Міжнар. наглядового комітету симпоз. і семінарів з пробл. “Екзоелектронна емісія та її застосу­вання” (1996-2010 рр.), член Спеціалізованої Вченої ради по захисту канд. та доктор. дисертацій (з 2011 р.) та член Вченої ради факультету електроніки та комп’ютерних технологій.

  Контакти i співпраця з вченими: Центру передових мікроструктур та приладів (Center for Advanced Microstructures and Devices (CAMD)) Державного університету Луїзіани (LSU) (CША). та університету Небраска-Лінкольн (UNL), Державного університету Indiana (ІSU) (CША), вченими університетів та коледжів Японії з якими є спільні наукові дослідження та публікації.

  Багаторазові стажування у Вроцлавському університеті Республіки Польщі (РП) в Інституті Експери­ментальної фізики, Відділі мікроструктури поверхні. Спільні дослідження та публікації у рамках наукової співпраці.

Методичні матеріали

  • 2 навчальних посібники:

Галій П.В. Основні послуги та системи і технології доступу до мережі Інтернету. Навч. посібник.- Львів: Ліга-Прес. 2013.-472 c.

Функціональна мікроелектроніка. Навч. посібник [О.Й. Бабич, П.В. Галій, П.П. Паран­дій] – Львів: Ліга-Прес. 2014.-174 c.;

  • 8 методичних розробок до лабораторних практикумів з наступних навчальних курсів:

“Фізичні основи інтегральної електроніки” та “Напівпровідникове матеріалознавство” (1);

“Елект­ронні процеси переносу у напівпровідниках” (2);

“Основи Інтернету”(2); “Електрика і магнетизм” (3)

Розклад