Флюнт Орест Євгенович

Посада: доцент кафедри радіоелектронних і комп’ютерних систем

Науковий ступінь: кандидат фізико-математичних наук

Вчене звання: доцент

Телефон (робочий): (032) 239-45-78

Електронна пошта: Orest.Fliunt@lnu.edu.ua

Веб-сторінка: electronics.lnu.edu.ua

Профіль у Google Scholar: scholar.google.com.ua

Профіль ORCID: www.scopus.com

Профіль у Scopus: www.scopus.com

Профіль у Web of Science (Publons): publons.com

Наукові інтереси

Характер розподілу використання апаратних ресурсів комп’ютерних систем різними програмними процесами,

вивчення кінетики процесів у клітинних автоматах,

чисельні обчислення з довільно-заданою точністю,

низькочастотна діелектрична спектроскопія напівпровідників,

універсальний степеневий закон релаксації у частотному і часовому просторах,

модульована за інтенсивністю світлового потоку фотопровідність напівпровідників,

кінетика позитрон-електронної анігіляції у твердих тілах у частотному просторі,

автоматизація фізичного експерименту

Навчальні дисципліни

Публікації

  • 1. Fliunt Orest Universality of temperature behavior of dielectric dispersion characteristic for hopping conductivity in solids in the frame of model of thermally activated effective dipoles / Orest Fliunt // Applied Nanoscience. – 2023. – Vol. , No . – P. 1–9. https://doi.org/10.1007/s13204-022-02755-5 (IF=3.869, Q2)
  • 2. Fliunt Orest Phenomenological model of giant piezodielectric effect in GaSe layered crystals / Orest Fliunt // Applied Nanoscience. – 2020. – Vol. 10, No 12. – P. 4847–4853. https://doi.org/10.1007/s13204-020-01346-6 (IF=3.198, Q2).
  • 3. Fliunt Orest Multicomponent positron–electron annihilation kinetics in the MgO–Al2O3 ceramics in the frequency domain / Orest Fliunt, Halyna Klym, Adam Ingram // Applied Nanoscience. – 2020. – Vol. 10, No 12. – P. 5045–5051. https://doi.org/ 10.1007/s13204-020-01301-5 (IF= 3.198, Q2).
  • 4. Pokutsa Alexander Sustainable oxidation of cyclohexane catalyzed by a VO(acac)2-oxalic acid tandem: the electrochemical motive of the process efficiency / Alexander Pokutsa, Pawel Bloniarz , Orest Fliunt et al // RSC Advances. – 2020. – Vol. 10, Is. 18. – P. 10959–10971. doi.org/10.1039/D0RA00495B (IF= 3.049, Q1).
  • 5. Fl’unt O. Effect of water adsorption on positron-electron annihilation kinetics in the MgO–Al2O3 ceramics in the frequency domain / O. Fl’unt, H. Klym, A. Ingram, R. Szatanik // Applied Nanoscience. – 2020. – Vol. 10, No 8 . – P. 2769–2774. doi.org/10.1007/s13204-019-01040-2 (IF= 3.198, Q2).
  • 6. Флюнт О. Є. Характер розподілу використання оперативної пам’яті різними програмними додатками в операційній системі Ubuntu 16.04 LTS / О. Є. Флюнт // Науково-практична конференція „Вільне та з відкритим кодом програмне забезпечення” (FOSS LVIV–2019). Матеріали та програма. – Львів: Львівський національний університет імені Івана Франка. – 18–21 квітня 2019 р. – С. 24–26.
  • 7. Fl’unt O. Frequency domain kinetics of positron–electron annihilation in the MgO–Al2O3 spinel-type ceramics / O. Fl’unt , H. Klym, A. Ingram // Applied Nanoscience. – 2019. – Vol. 9, Is. 5. – P. 1005–1010. doi.org/10.1007/s13204-018-0708-x   (IF= 3.198, Q2).
  • 8. Флюнт О. Перевірка лінійності діелектричного відгуку кристалів GaSe в діапазоні домінування низькочастотної дисперсії / О. Флюнт // Електроніка та інформаційні технології. – 2017. – Вип. 9. – С. 51–58. http://elit.lnu.edu.ua/pdf/8_6.pdf
  • 9. Флюнт О. Є. Використання графічного інтерфейсу створеного у середовищі Qt Creator для організації проведення обчислень інтегральних перетворень Фур’є / О. Є. Флюнт // Науково-практична конференція „Вільне та з відкритим кодом програмне забезпечення” (FOSS LVIV–2017). Матеріали та програма. – Львів: Львівський національний університет імені Івана Франка. – 27–30 квітня 2017 р. – С. 29–32.
  • 10. Флюнт О. Коливнi процеси в мiжзонних електронних переходах у шаруватих кристалах InSe / О. Флюнт // Вісник Львів. ун-ту. Серія фізична. – 2016. – Вип. 51. – С. 98–105. https://physics.lnu.edu.ua/wp-content/uploads/51_12.pdf
  • 11. Флюнт О. Оцінка меж точності чисельного обчислення інтегрального перетворення Фур’є степеневих спектрів за допомогою інтерполяції кубічними сплайнами / О. Флюнт // Електроніка та інформаційні технології. – 2016. – Вип. 6. – С. 83–88. http://elit.lnu.edu.ua/pdf/6_9.pdf
  • 12. Флюнт О. Є. Застосування бібліотеки обчислень довільної точності GNU MPFR для реалізації алгоритму перетворення Фур’є методом апроксимації спектрів кубічними сплайнами / О. Є. Флюнт // Науково-практична конференція „Вільне та з відкритим кодом програмне забезпечення” (FOSS LVIV–2014). Матеріали та програма. – Львів: Львівський національний університет імені Івана Франка. – 24–27 квітня 2014 р. – С. 32–34.
  • 13. Флюнт О. Вплив розрядності чисел на правильність та точність чисельного розрахунку перехідних діелектричних характеристик / О. Флюнт // Вісн Львів. ун-ту. Сер. фіз. – 2013. – Вип. 48. – С. 270–278. https://physics.lnu.edu.ua/wp-content/uploads/23_48.pdf
  • 14. Флюнт О. Поведінка низькочастотної дисперсії у кристалах GaSe зі зміною температури / О. Флюнт // Електроніка та інформаційні технології. – 2012. – Вип. 2. – С. 71–76. http://elit.lnu.edu.ua/pdf/2_8.pdf
  • 15. Relationships between the efficiency of cyclohexane oxidation and the electrochemical parameters of the reaction solution / A. Pokutsa, O. Fliunt, Y. Кubaj et al // Journal of Molecular Catalysis A: Chemical. – 2011. – V. 347, N 1–2. – P. 15–21. https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S1381116911002767
  • 16. Флюнт О. Особливості температурної залежності діелектричної проникності високоомних кристалів GaSe в рамках моделі розподілу ефективних диполів за часами релаксації / О. Флюнт // Електроніка та інформаційні технології. – 2011. – Вип. 1. – С. 142–148. http://elit.lnu.edu.ua/pdf/1_16.pdf
  • 17. Стахіра Й. М. Вплив одновісного тиску на низькочастотну дисперсію діелектричної проникності у високоомних кристалах GaSe / Й. М. Стахіра, О. Є. Флюнт, Я. М. Фіяла // Укр. фіз. журн. – 2011. – Т. 56, № 3. – С. 267–271.
  • 18. Стебленко Л. П. Вплив слабкого постійного магнітного поля на фотопровідність і її релаксацію в кристалах кремнію / Л. П. Стебленко, О. В. Коплак, А. Н. Курилюк, О. Є. Флюнт // Вісник Київського ун-ту. Сер. фіз.-мат. наук. – 2010. – Вип. 4. – C. 291–295.
  • 19. Флюнт О. Перехідна характеристика високоомних шаруватих кристалів GaSe, зумовлена струмами поляризації / О. Флюнт // Теор. електротехніка. – 2010. – Вип. 61. – С. 69–75. http://elit.lnu.edu.ua/pdf/61_9.pdf
  • 20. Флюнт О. Застосування моделі дискретного розподілу часів релаксації для опису діелектричної дисперсії у високоомних кристалах GaSe / О. Флюнт // Теор. електротехніка. – 2010. – Вип. 61. – С. 60–68. http://elit.lnu.edu.ua/pdf/61_8.pdf
  • 21. Флюнт О. Розрахунок перехідної характеристики низькоомних шаруватих кристалів GaSe / О. Флюнт // Вісн Львів. ун-ту. Сер. фіз. – 2009. – Вип. 44. – С. 226–233.
  • 22. Стахіра Й. М. Вплив легування кадмієм на діелектричний спектр селеніду індію / Й. М. Стахіра, О. Є. Флюнт // Вісн Львів. ун-ту. Сер. фіз. – 2000. – Вип.33. – С. 135–138.
  • 23. Стахіра Й. Низькочастотний діелектричний спектр низькоомних кристалів GaSe / Й. Стахіра, О. Флюнт, Я. Фіяла // Журн. фіз. досліджень. – 1998. – Т. 2, №1. – С. 136–138.
  • 24. Флюнт О. Є. Особливості діелектричного спектра кристалів InSe на низьких частотах / О.Є.Флюнт / Вісн Львів. ун-ту. Сер. фіз. – 1998. – Вип. 30. – С. 54–5
  • 25. Стахіра Й. М. Недебаївський характер діелектричного спектра низькоомних кристалів GaSe / Й. М. Стахіра, О. Є. Флюнт, Я. М. Фіяла // Вісн Львів. ун-ту. Сер. фіз. – 1997. – Вип.29. – С. 14–16.
  • 26. Стахіра Й. М. Підвищення точності перетворювача імпедансу з використанням вузлового методу / Й. М. Стахіра, О. Є. Флюнт // Вісн Львів. ун-ту. Сер. фіз.  – 1996.  – Вип.28. – С. 105–108.
  • 27. Стахіра Й. М. Частотна залежність провідності шаруватого кристала In4Se3 / Й. М. Стахіра, Т. М. Демків, О. Є. Флюнт // Укр. фіз. журн. – 1995. – Т. 40, № 7. – С.737–739. https://arxiv.org/pdf/1104.0801.pdf

Біографія

Флюнт Орест Євгенович (м. Борислав Львівської області) – радіофізик, кандидат фіз.-мат. наук, доцент кафедри радіоелектронних і комп’ютерних систем (тема дисертації “Низькочастотна діелектрична поляризація кристалів селенідів індію та галію”, 2012). Закінчив фізичний факультет Львівського державного університету імені Івана Франка за спеціальністю радіофізика і електроніка. Навчався в аспірантурі кафедри фізики напівпровідників, де пізніше працював на посаді наукового співробітника, старшого наукового співробітника, з 2002 року асистента кафедри фізики напівпровідників. З 2015 року доцент кафедри радіоелектронних і комп’ютерних систем. Наукові інтереси: низькочастотна діелектрична спектроскопія напівпровідників, модульована за інтенсивністю світлового потоку фотопровідність напівпровідників, універсальний степеневий закон релаксації, кінетика процесів у твердих тілах у частотному і часовому просторах, високоточні обчислення.

Методичні матеріали

1. Низькорівневе програмування / Електронний навчальний курс (Протокол засідання атестаційної комісії № 1 від 20 березня 2019 р.) // http://e-learning.lnu.edu.ua/course/view.php?id=1595

2. Інженерна комп’ютерна графіка / Електронний навчальний курс // http://194.44.208.156/moodle/course/view.php?id=34

3. Спеціалізовані комп’ютерні системи / Електронний навчальний курс // http://194.44.208.156/moodle/course/view.php?id=173

4. Обчислювальна техніка та автоматизація експерименту / Електронний навчальний курс // http://e-learning.lnu.edu.ua/course/view.php?id=1643

Розклад