Флюнт Орест Євгенович

Посада: доцент кафедри радіоелектронних і комп’ютерних систем

Науковий ступінь: кандидат фізико-математичних наук

Телефон (робочий): (032) 239-45-78

Електронна пошта: flunt@electronics.lnu.edu.ua

Наукові інтереси

Характер розподілу апаратних ресурсів комп’ютерних систем різними програмними процесами,

чисельні обчислення з довільно-заданою точністю,

низькочастотна діелектрична спектроскопія напівпровідників,

універсальний степеневий закон релаксації у частотному і часовому просторах,

модульована за інтенсивністю світлового потоку фотопровідність напівпровідників,

кінетика позитрон-електронної анігіляції у твердих тілах у частотному просторі,

автоматизація фізичного експерименту

Навчальні дисципліни

Публікації

1. Стахіра Й. М. Частотна залежність провідності шаруватого кристала In4Se3 / Й. М. Стахіра, Т. М. Демків, О. Є. Флюнт // Укр. фіз. журн. – 1995. – Т. 40, № 7. – С.737–739.

2. Стахіра Й. М. Підвищення точності перетворювача імпедансу з використанням вузлового методу / Й.М. Стахіра, О.Є. Флюнт // Вісн Львів. ун-ту. Сер. фіз.  – 1996.  – Вип.28. – С. 105–108.

3. Стахіра Й. М. Недебаївський характер діелектричного спектра низькоомних кристалів GaSe / Й.М. Стахіра, О.Є. Флюнт, Я.М. Фіяла // Вісн Львів. ун-ту. Сер. фіз. – 1997. – Вип.29. – С. 14–16.

4. Флюнт О. Є. Особливості діелектричного спектра кристалів InSe на низьких частотах / О.Є.Флюнт / Вісн Львів. ун-ту. Сер. фіз. – 1998. – Вип. 30. – С. 54–56.

5. Стахіра Й. Низькочастотний діелектричний спектр низькоомних кристалів GaSe / Й. Стахіра, О. Флюнт, Я. Фіяла // Журн. фіз. досліджень. – 1998. – Т. 2, №1. – С. 136–138.

6. Стахіра Й. М. Вплив легування кадмієм на діелектричний спектр селеніду індію / Й. М. Стахіра, О. Є. Флюнт // Вісн Львів. ун-ту. Сер. фіз. – 2000. – Вип.33. – С. 135–138.

7. Флюнт О. Розрахунок перехідної характеристики низькоомних шаруватих кристалів GaSe / О. Флюнт // Вісн Львів. ун-ту. Сер. фіз. – 2009. – Вип. 44. – С. 226–233.

8. Флюнт О. Застосування моделі дискретного розподілу часів релаксації для опису діелектричної дисперсії у високоомних кристалах GaSe / О. Флюнт // Теор. електротехніка. – 2010. – Вип. 61. – С. 60–68.

9. Флюнт О. Перехідна характеристика високоомних шаруватих кристалів GaSe, зумовлена струмами поляризації / О. Флюнт // Теор. електротехніка. – 2010. – Вип. 61. – С. 69–75.

10. Стебленко Л. П. Вплив слабкого постійного магнітного поля на фотопровідність і її релаксацію в кристалах кремнію / Л. П. Стебленко, О. В. Коплак, А. Н. Курилюк, О. Є. Флюнт // Вісник Київського ун-ту. Сер. фіз.-мат. наук. – 2010. – Вип. 4. – C. 291–295.

11. Стахіра Й. М. Вплив одновісного тиску на низькочастотну дисперсію діелектричної проникності у високоомних кристалах GaSe / Й. М. Стахіра, О. Є. Флюнт, Я. М. Фіяла // Укр. фіз. журн. – 2011. – Т. 56, № 3. – С. 267–271.

12. Флюнт О. Особливості температурної залежності діелектричної проникності високоомних кристалів GaSe в рамках моделі розподілу ефективних диполів за часами релаксації / О. Флюнт // Електроніка та інформаційні технології. – 2011. – Вип. 1. – С. 142–148.

13. Relationships between the efficiency of cyclohexane oxidation and the electrochemical parameters of the reaction solution / A. Pokutsa, O. Fliunt, Y. Кubaj et al // Journal of Molecular Catalysis A: Chemical. – 2011. – V. 347, N 1–2. – P. 15–21.

14. Флюнт О. Поведінка низькочастотної дисперсії у кристалах GaSe зі зміною температури / О. Флюнт // Електроніка та інформаційні технології. – 2012. – Вип. 2. – С. 71–76.

15. Флюнт О. Вплив розрядності чисел на правильність та точність чисельного розрахунку перехідних діелектричних характеристик / О. Флюнт // Вісн Львів. ун-ту. Сер. фіз. – 2013. – Вип. 48. – С. 270–278.

16. Флюнт О. Є. Застосування бібліотеки обчислень довільної точності GNU MPFR для реалізації алгоритму перетворення Фур’є методом апроксимації спектрів кубічними сплайнами / О. Є. Флюнт // Науково-практична конференція „Вільне та з відкритим кодом програмне забезпечення” (FOSS LVIV–2014). Матеріали та програма. – Львів: Львівський національний університет імені Івана Франка. – 24–27 квітня 2014 р. – С. 32–34.

17. Флюнт О. Оцінка меж точності чисельного обчислення інтегрального перетворення Фур’є степеневих спектрів за допомогою інтерполяції кубічними сплайнами / О. Флюнт // Електроніка та інформаційні технології. – 2016. – Вип. 6. – С. 83–88.

18. Флюнт О. Коливнi процеси в мiжзонних електронних переходах у шаруватих кристалах InSe / О. Флюнт // Вісник Львів. ун-ту. Серія фізична. – 2016. – Вип. 51. – С. 98–105.

19. Флюнт О. Є. Використання графічного інтерфейсу створеного у середовищі Qt Creator для організації проведення обчислень інтегральних перетворень Фур’є / О. Є. Флюнт // Науково-практична конференція „Вільне та з відкритим кодом програмне забезпечення” (FOSS LVIV–2017). Матеріали та програма. – Львів: Львівський національний університет імені Івана Франка. – 27–30 квітня 2017 р. – С. 29–32.

20. Флюнт О. Перевірка лінійності діелектричного відгуку кристалів GaSe в діапазоні домінування низькочастотної дисперсії / О. Флюнт // Електроніка та інформаційні технології. – 2017. – Вип. 8. – С. 51–58.

21. Fl’unt, O. Frequency domain kinetic of positron–electron annihilation in the MgO–Al2O3 spinel-type ceramics / O. Fl’unt , H. Klym, A. Ingram // Applied Nanoscience. – 2018. – P. 1-6. doi=10.1007/s13204-018-0708-x, url=https://doi.org/10.1007/s13204-018-0708-x

22. Флюнт О. Є. Характер розподілу використання оперативної пам’яті різними програмними додатками в операційній системі Ubuntu 16.04 LTS / О. Є. Флюнт // Науково-практична конференція „Вільне та з відкритим кодом програмне забезпечення” (FOSS LVIV–2019). Матеріали та програма. – Львів: Львівський національний університет імені Івана Франка. – 18–21 квітня 2019 р. – С. 24–26.

23. Fl’unt O. Effect of water adsorption on positron-electron annihilation kinetics in the MgO–Al2O3 ceramics in the frequency domain / O. Fl’unt, H. Klym, A. Ingram and R. Szatanik // Applied Nanoscience. – 2019. – P. 1–6. issn= 2190-5517, doi= 10.1007/s13204-019-01040-2, url= https://doi.org/10.1007/s13204-019-01040-2

Біографія

Флюнт Орест Євгенович (8.IV.1968, м. Борислав Львівської області) – радіофізик, кандидат фіз.-мат. наук, доцент (Низькочастотна діелектрична поляризація кристалів селенідів індію та галію, 2012). Закінчив фізичний факультет Львівського державного університету імені Івана Франка за спеціальністю радіофізика і електроніка (1990). У 1990–1993 роках аспірант кафедри фізики напівпровідників, з 1993 року науковий співробітник, старший науковий співробітник, з 2002 року асистент кафедри фізики напівпровідників. З 2015 року доцент кафедри радіоелектронних і комп’ютерних систем. Наукові інтереси: низькочастотна діелектрична спектроскопія напівпровідників, модульована за інтенсивністю світлового потоку фотопровідність напівпровідників, універсальний степеневий закон релаксації, кінетика процесів у твердих тілах у частотному і часовому просторах, високоточні обчислення.

Методичні матеріали

1. Низькорівневе програмування / Електронний навчальний курс (Протокол засідання атестаційної комісії № 1 від 20 березня 2019 р.) // http://e-learning.lnu.edu.ua/course/view.php?id=1595

2. Інженерна комп’ютерна графіка / Електронний навчальний курс // http://194.44.208.156/moodle/course/view.php?id=34

3. Спеціалізовані комп’ютерні системи / Електронний навчальний курс // http://194.44.208.156/moodle/course/view.php?id=173

4. Обчислювальна техніка та автоматизація експерименту / Електронний навчальний курс // http://e-learning.lnu.edu.ua/course/view.php?id=1643

Розклад